摘要：一种减少气体团簇离子束加工设备中微粒污染的装置，即产生气体团簇离子束的限定设备，包括：第一构件为孔板，孔板上设有1个在远离工件的方向上从第一构件孔板突出的第二构件；所述第二构件是筒形或锥筒形，该孔板上孔将至少一部分气体团簇离子束传输至被处理工件，孔围绕中心轴线并对准轴线中心，并且孔板上的孔也是第二构件中的入口，第一构件的中心轴线和第一构件中靠近工件的出口；所述第一构件的孔内为筒形或锥筒形相交的外表面，围绕所述筒形或锥筒的内表面，所述筒形或锥筒内表面和所述外表面在所述入口处会聚以限定顶点即筒形或锥筒形的顶端。

摘要：本发明公开了铜互连布线层上覆盖结构的方法：S1、将结构放置在减压室中；S2、在减压室内形成加速的加盖气体团簇离子束；S3、将加速覆盖气体团簇离子束引导至一个或多个铜互连表面和覆盖有阻挡层材料的介电层表面上，形成至少一个覆盖结构；S4、覆盖结构上形成至少一个绝缘层；具体为：在减压室内形成加速沉积气体团簇离子束，将加速沉积气体团簇离子束引导到一个或多个铜互连表面上；所述绝缘层的材料包括选自以下组中至少一种：碳化硅，氮化硅或者碳氮化硅；本发明可以在不影响相邻介电材料的绝缘或泄漏特性的情况下有效地覆盖互连结构中的铜互联。

摘要：一种通过带电粒子束扫描工件的方法，包括以下步骤：将工件安装在通过带电粒子束扫描工件的扫描系统上；通过所述带电粒子束沿始于和结束于所述工件上基本上相同位置的圆形路径对所述工件执行第一扫描运动；通过带电粒子束沿从工件上不同位置开始和结束的非圆路径对工件进行第二次扫描。

摘要：一种对含硅、含锗和含金属材料进行气簇离子束刻蚀方法，提供包含晶体硅的衬底和衬底表面上的暴露材料层；在衬底固定器周围保持减压环境，保持所述衬底；将所述衬底安全地保持在所述减压环境中；执行产生压力和气体团簇离子束GCI)蚀刻工艺以去除所述暴露材料层的至少一部分，所述GCIB蚀刻工艺包括：建立GCIB过程条件，包括设置：不超过1000sccm的SiF4的流量，在上述GCIB工艺条件的部分基础上形成气簇离子束GCIB；通过所述减压环境加速所述GCIB；将所述加速GCIB照射到所述衬底的所述表面的至少一部分上，以蚀刻所述衬底的至少一部分。

摘要：利用气体团簇离子束处理中进行调节工件的表面轮廓的方法，获取与工件表面的表面轮廓有关的计量数据；使用所述计量数据计算所述工件的校正数据；所述校正数据从与所述工件上的表面的表面轮廓有关的计量数据计算出的数据；使用气体将校正数据应用于工件簇离子束以在所述工件的表面的一个或多个区域上选择性地形成或生长牺牲材料；在一个或多个选择性地使用气体团簇在所述工件上的表面区域离子束生长或形成牺牲材料，根据所述校正数据确定通过所述GCIB在所述表面的所述一个或多个区域上形成的所述牺牲材料的量；再执行蚀刻工艺以去除所述牺牲层材料和所述工件上的所述表面的至少一部分。

摘要：一种用于调节finFET器件翅片高度的气体簇离子束蚀刻方法，衬底具有完全覆盖所述鳍结构并在所述鳍结构的每个鳍之间的区域的鳍结构和空隙填充材料层，其中每个鳍包括形成于finFET器件上表面的帽层；刨平所述空隙填充材料层，直至所述帽层暴露于所述鳍结构的至少一个鳍上；为所述鳍结构设置目标鳍高度，所述鳍高度从所述帽层和所述鳍结构之间的接口测量；根据实现大于1.5的蚀刻选择性的工艺条件，由蚀刻工艺组合物建立GCIB，所述蚀刻选择性定义为所述间隙填充材料层的蚀刻速率与所述覆帽层的蚀刻速率之间的比率；将所述衬底暴露于所述GCIB，并使所述间隙填充材料层相对于所述帽帽层凹进，直到达到所述目标鳍片高度。

摘要：一种在衬底上的高深宽比接触通孔的底部打开保护层的方法，包括：提供一个衬底和衬底上第一层和第二层保护沉积；衬底具有在其中形成有通孔图案的第一层和保护地沉积在第一层上的第二层；第二层顺着第一层、沿着第一层的顶表面延伸，在通孔图案的入口处包裹在拐角上，并渗透覆盖到通孔中在与通孔图案的侧壁和底部相符合的同时，该通孔图案部分地建立接触通孔图案，在接触通孔图案的大约中间深度处测量的初始孔中部临界尺寸CD，以及在近似顶部处测量的初始顶部CD；并测量最终临界尺寸，该临界尺寸位于所述触点的中部深度，包括位于所述入口的所述拐角处；接触通孔图案的特征在于第二层包裹在通孔图案的拐角上时具有初始拐角轮廓。

摘要：本发明涉及一种用气体团簇离子束生长薄膜的方法，包括以下步骤：在减压环境中提供衬底；在减压环境中从加压气体混合物中产生气体团簇离子束(GCIB)；建立第一、第二数据集，基于第一和第二数据集选择用于生长过程的束加速电势和束剂量；根据选择的束加速电势来加速GCIB；基于第一和第二数据集调节生长过程中加速后GCIB的束能量分布；将加速后的GCIB照射到衬底的至少一部分上；通过生长工艺在衬底的至少一部分上生长含硅薄膜，以实现具有目标厚度和目标表面粗糙度的含硅薄膜。

摘要：一种气体团簇离子束在衬底中形成非晶层的方法，用于使衬底的一部分非晶化的方法，设置具有第一部分和第二部分的衬底在气体团簇离子束处理系统中的一部分；至少用所述衬底处理装置处理所述衬底；气体团簇离子束在衬底中形成非晶层的方法，衬底在气体团簇离子束处理系统中；第一GCIB使用第一束能量，该第一束能量在所述衬底上第一部分区域产生所需厚度的非晶子层，所述衬底第二部分区域为晶体子层，并且用所述第一GCIB进行处理产生了非晶态的第一粗糙度界面位于所述衬底所述非晶子层和所述晶体子层之间的‑晶体界面；然后使用小于所述第一束能量的第二束能量用第二GCIB处理所述衬底的至少第一部分区域，将所述第一粗糙度界面减小到第二粗糙度界面。

摘要：气体团簇离子束流在真空中形成薄膜的方法，在减压环境中提供所述衬底；由加压气体混合物产生所述至少一个气体团簇离子束GCIB；选择离子团簇加速电位和剂量以达到所述小于5nm的厚度；根据所述离子团簇剂量，将所述加速的至少一个GCIB照射到所述衬底的所述至少一部分上；在所述衬底的所述至少一部分上形成所述超薄薄膜以达到所述厚度；所述超薄薄膜的厚度小于5nm；(a)通过将所述衬底中的至少一种原子成分与所述至少一种GCIB中的至少一种成膜原子成分混合，任选地在所述衬底的表面部分中生长混合子层，(b)沉积一种或多种成膜原子在所述基底的所述表面部分上来自所述至少一个GCIB的组分形成沉积层。