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发明专利:229实用新型: 116外观设计: 85
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1:[发明] 浇水器
申请号:201610410935.6 公开号:CN107455240A 主分类号:A01G25/14(2006.01)I
申请人:刘镒 申请日:2016.06.06 公开日:2017.12.12
发明人:刘镒
摘要:一种浇水器,长条形盒体上放置有盖体,盖体两侧侧板上开设有多个出水孔。本发明提供的浇水器,结构简单、使用方便,可以解决浇树的问题。
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申请号:201810504424.X 公开号:CN108523509A 主分类号:A47C12/02(2006.01)I
申请人:刘镒 申请日:2018.05.24 公开日:2018.09.14
发明人:刘镒
摘要:本发明涉及一种具有攀爬功能的多功能座椅,该座椅包括N个基座单元,M个椅面单元,M个椅背单元,可伸缩连接轴,连接杆;基座单元的前部带有多个台阶,后部带有A卡槽;连接杆上具有B卡槽;滑块的一端卡头位于A卡槽内,另一端卡头位于B卡槽内;滑块可同时沿A卡槽和B卡槽移动;椅面单元与椅背单元固定连接,并且椅面单元与椅背单元的连接部位通过可伸缩连接轴与基座单元连接;椅面单元的底部具有多个台阶,椅面单元和椅背单元可翻转使整个座椅变形为椅子或梯子。本发明的座椅可以根据需要灵活调节宽度,可仅供一人使用或两人使用;并且当其变形为椅子时,可供人在较宽范围内移动,因此能够节省存放空间,并且方便使用。
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申请号:202310363203.6 公开号:CN118738013A 主分类号:H01L23/498
申请人:华为技术有限公司 申请日:2023.03.30 公开日:2024.10.01
发明人:刘镒;刘杰;朱继锋
摘要:本申请提供了一种芯片金属化的方法和芯片,提出了不用沉积介电层,可以直接对衬底进行刻蚀,即刻蚀到了芯片衬底内,使得后续沉积的金属薄膜可以嵌入芯片衬底中。由于芯片衬底一般较厚,可以通过控制后续沉积的介电层的厚度和阻挡层的厚度,灵活控制金属薄膜的厚度,既可以使得金属薄膜厚度增加,还可以尽可能减小介电层的厚度,避免了介电层太厚对芯片性能的影响,提高芯片的供电性能。
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申请号:200810086129.3 公开号:CN101533420 主分类号:G06F17/50(2006.01)I
申请人:矽统科技股份有限公司 申请日:2008.03.11 公开日:2009.09.16
发明人:刘宗信;林立镒
摘要:本发明揭露一种集成电路设计的时钟树状结构中路径时间延迟量的平衡方法,主要包括下列步骤:(a)计算从根部元件至每一终点元件之间一部份的反相器的路径时间延迟值,将其中最大者定义为目标路径延迟值。(b)将每个终点元件的路径时间延迟值与邻近的终点元件的路径时间延迟值进行比较,并且将比较所得较高的路径时间延迟值分别记录于反相器以及根部元件。(c)将每个反相器的路径时间延迟值与目标路径延迟值进行比较。(d)将差值加入原始的反相器元件类型的路径时间延迟值。(e)将差值加入至该反相器下游的反相器中所记录的路径时间延迟值,以使时钟树状结构的时钟偏移量最小化。
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申请号:202110093076.3 公开号:CN112852830A 主分类号:C12N15/29
申请人:赣南师范大学 申请日:2021.01.25 公开日:2021.05.28
发明人:陈道宗;谭晨;刘镒
摘要:本发明属于植物基因工程领域,特别是涉及一种提高植物中花青素含量的基因BnaPAP2.c6.a及其应用。本发明提供了一种提高植物中花青素含量的基因BnaPAP2.c6.a,所述基因BnaPAP2.c6.a的核苷酸序列如SEQ ID NO:1所示。上调表达本发明提供的基因BnaPAP2.c6.a能够有效提高植物中花青素的合成。
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6:[发明] 基板制程设备
申请号:202110277232.1 公开号:CN114864365A 主分类号:H01J37/32
申请人:凌嘉科技股份有限公司 申请日:2021.03.15 公开日:2022.08.05
发明人:黄一原;刘镒
摘要:一种基板制程设备,其包含制程腔体及基板载台。所述制程腔体具有电浆入口壁及环绕壁。所述电浆入口壁经配置以接收来自一远程电浆源的输出。所述环绕壁形成腔体内表面,所述内表面定义内部空间以接收一基板。所述基板载台可升降地设置于所述制程腔体的所述内部空间,并具有面对所述电浆入口壁的基板支撑面。所述环绕壁,在所述制程腔体的截面中,具有第一区段及第二区段。所述第一区段对应于所述基板载台的制程区域,并具有第一宽度。所述第二区段相较于所述第一区段更远离所述电浆入口壁,并具有大于所述第一宽度的宽度。
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7:[发明] 基板处理设备
申请号:202110803066.4 公开号:CN115036232A 主分类号:H01L21/67
申请人:凌嘉科技股份有限公司 申请日:2021.07.15 公开日:2022.09.09
发明人:黄一原;刘镒
摘要:一种基板处理设备,包括腔室构件,其内定义具有宽深比的内部空间,所述腔室构件包括成对的入口墙及装卸端口。所述成对的入口墙彼此在横向上相对设置,每个所述入口墙具有入口,所述入口经配置以接收来自远程电浆源的输出。所述装卸端口于横向上布置在所述成对的入口墙之间,经配置以允许基板通过进入所述内部空间。
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申请号:202210845793.1 公开号:CN117230423A 主分类号:C23C14/56
申请人:凌嘉科技股份有限公司 申请日:2022.07.19 公开日:2023.12.15
发明人:黄一原;刘镒
摘要:一种并列式镀膜设备及多层膜的镀膜方法,所述并列式镀膜设备适用于对载具所载送的至少一个待镀物进行镀膜,所述并列式镀膜设备包含双层真空腔、多个制程腔、入料升降机构及多个输送装置。所述双层真空腔包括沿Z轴方向相反设置的入料室与出料室。所述制程腔用来对所述待镀物进行定点镀膜,所述双层真空腔与所述制程腔在Y轴方向并列成双排。所述入料升降机构包括能沿所述Z轴方向移动的入料升降座。所述输送装置设置于所述制程腔且用来带动所述载具移动。所述载具由所述入料室入料,并在通过所述制程腔后,由所述出料室出料。利用所述双层真空腔与各制程腔双排并列的空间设计,减少设备长度而能降低设备的占地面积。
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申请号:202211092952.1 公开号:CN117702070A 主分类号:C23C14/56
申请人:凌嘉科技股份有限公司 申请日:2022.09.08 公开日:2024.03.15
发明人:黄一原;刘镒
摘要:一种旋转移载式立式镀膜设备,包含多个真空制程腔、第一旋转腔,及第二旋转腔。所述真空制程腔分别设置于第一轴线及第二轴线上,且能容置及输送所述待镀物。所述第一旋转腔设置于所述第一轴线上,并连接其中一个真空制程腔且可驱动所述待镀物旋转,并可供所述待镀物移入及移出,所述第二旋转腔设置于所述第二轴线上,并连接其中另一个真空制程腔且可驱动所述待镀物旋转,并可供所述待镀物移入及移出。因此可减少设置真空制程腔的数量而减少占用空间且易于利用空间,并达到双面镀膜的功效。
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申请号:202211093562.6 公开号:CN117702071A 主分类号:C23C14/56
申请人:凌嘉科技股份有限公司 申请日:2022.09.08 公开日:2024.03.15
发明人:黄一原;刘镒
摘要:一种末端返回式双面立式镀膜设备,包含第一排真空腔、第二排真空腔、转移真空腔及回流区。所述第一排真空腔设置在基准线的一侧且包括第一真空腔、第二真空腔及第三真空腔。所述第二排真空腔设置于所述基准线的另一侧且包括第四真空腔、第五真空腔及第六真空腔。所述第一排真空腔与所述第二排真空腔设置在邻近所述基准线的一侧的腔门彼此错开。载具能沿着由所述第一排真空腔、所述转移真空腔、所述第二排真空腔及所述回流区所形成的循环路径移动。本发明能节省设备占地面积,且各真空腔的腔门互相错开不干涉,方便维修或故障排除。
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