摘要：本发明公开了一种选择性地阻止至少部分带电粒子通过的屏蔽装置，包括：屏蔽板，其包括实体部以及多个竖直的贯通孔；磁场产生元件，嵌设于所述实体部内，用以在每一所述贯通孔中形成与该贯通孔方向垂直的磁场，以使所述等离子体的至少部分带电粒子在所述磁场中受洛伦兹力发生偏转而与所述贯通孔的侧壁碰撞。本发明还提供了一种具有上述屏蔽装置的等离子体处理装置。本发明能够减小高能离子到达基片表面对其造成损伤。

摘要：一种加载网页的方法，包括：接收用于请求加载第一网页的请求消息，该第一网页中包含对应第一请求消息的锚点；加载该第一网页中的第一区域的树对应的内容和父节点树对应的内容，其中，父节点树为该第一区域的树的父节点树，该锚点位于该第一区域；渲染该第一区域的树对应的内容和父节点树对应的内容；在第一显示窗口显示该第一区域的树对应的内容和父节点树对应的内容。通过该方法，能够改变网页内容的原有加载顺序，优先加载和渲染网页中的锚点页面，这样，能够加快锚点页面的送显速率。

摘要：本发明公开了一种配煤炼焦控制参数优化方法及系统，涉及配煤炼焦技术领域。一种配煤炼焦控制参数优化系统，包括有：配煤炼焦煤料测定模块、配煤炼焦参数输出模块和配煤炼焦参数优化模块。本发明通过配煤炼焦煤料测定模块，实现了对湿煤料的全面分析，包括水分和煤质信息，为后续的调湿操作提供了精确的数据支持；配煤炼焦参数输出模块通过预处理和目标值确定，提供了初始调湿控制参数，有助于将煤料水分含量调节至接近最优状态；通过实时获取并分析待分析去水炼焦湿煤料的水分信息，配煤炼焦参数优化模块能够动态调整调湿参数，确保煤料水分含量达到目标值。

摘要：本发明提供了一种氮化钽TaN的刻蚀方法，包括：步骤a、在第一时间段内，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，以使TaN与所述第一刻蚀气体发生界面反应生成第一刻蚀产物；步骤b、在第二时间段内，向反应腔室内通入第二刻蚀气体；步骤c、循环执行所述步骤a和所述步骤b，直至所述TaN完全去除。在本发明提供的TaN刻蚀方法中，其在整个刻蚀过程中，能够保证TaN薄膜不同区域的刻蚀速率均相同，因此，在整个TaN薄膜材料刻蚀结束后，不会出现局部区域出现过刻蚀的现象，不会出现过刻蚀损害TaN薄膜下方的层结构。因此，相较于现有技术的刻蚀方法，本发明提供的刻蚀方法能够提高刻蚀工艺的兼容性和产品的良率。

摘要：本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器。所述存储器结构：依次为衬底、电子束蒸发或磁控溅射制备的薄膜底电极、脉冲激光淀积或磁控溅射制备的铁酸铋薄膜，以及顶部电极。本发明使用一种新型铁电半导体材料铁酸铋薄膜，具有高达5.4A/cm2的极性调制二极管电流密度，非常适合于高密度信息的存储应用，存储的信息同时兼具非易失性、抗疲劳性、抗辐射性和阻变存储的非破坏性读取功能，提高了非易失性存储单元的编程/擦除速度(皮秒量级)，具有广阔发展空间和市场潜力。

摘要：本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种测量漏电铁电薄膜电滞回线的方法。本发明方法首先在漏电极化的铁电薄膜上施加同极性的外加电压，测定并记录薄膜两端不同电压下通过铁电薄膜的漏电流，经曲线拟合，得到漏电流和施加电压的函数方程，进而计算得到电畴翻转的极化电流随时间的变化关系。最后将位移电流对时间积分，计算出该外加电压下铁电薄膜产生的位移电荷密度。重复以上的测量和计算过程，得到该铁电薄膜的不同电压下所对应的电位移，从而测得整个漏电铁电薄膜的电滞回线。本发明解决了漏电铁电薄膜电学表征的难题，特别是为超薄铁电漏电薄膜电学性能研究提供了有力手段。

摘要：本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种快速电压扫描测量铁电薄膜微分电容的方法。本发明方法充分考虑到薄膜内不同微观铁电畴在外加电压作用下对宏观电容值的贡献，采用在预置脉冲后留有足够大小的弛豫时间，使注入电荷对微观电畴的钉扎效应降到最低。通过随后的任意幅度的脉冲电压快速扫描，对电容进行充电，并通过微小量的充电电压变化，使铁电薄膜电容产生相应的放电电流。通过与样品相连的示波器求出放电电荷，从而求出对应的微分电容。本发明解决了商用电桥无法快速电压扫描的问题，为测量铁电薄膜电容高频响应和研究微观缺陷运动对介电响应方面的贡献提供了有效的手段。

摘要：本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种绝缘/漏电铁电薄膜电畴反转电流测量与转换为电滞回线的方法。本发明首先在漏电的铁电薄膜上施加同极性的不同外加电压，由示波器记录并通过多项式/指数函数拟合求得铁电薄膜的漏电流和施加在铁电薄膜上的电压的函数关系。而后对薄膜施加双极性连续脉冲，利用漏电流与铁电薄膜两端电压函数关系扣除漏电流，得到电畴反转电流曲线。在任意时刻将电畴反转电流曲线对时间积分即得到对应该时刻铁电薄膜的极化值，与该时刻对应铁电薄膜两端电压逐点作图即得漏电铁电薄膜的电滞回线。本发明方法采用标准电阻取代了传统方法中的参考电容，测量速度更快，并且可以正确地测量漏电薄膜的电滞回线。

摘要：本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为铁电畴运动速度可调脉冲电压测量铁电畴极化翻转的方法。在极化翻转过程中铁电电容上的电压等于其矫顽电压Vc，在外加脉冲电压为V时，总的电路电流表示为I=Vt/Rt=(V-Vc)/Rt。因此在不改变测量脉冲电压的条件下，可在电路中串联不同阻值的电阻实现对电流大小和Vc的调节，即实现在不同矫顽电压下对铁电极化翻转速度的调节。本发明提供了一种可以连续改变铁电极化翻转速度的方法，并且通过改变预置电压与测量脉冲电压极性关系（相反或相同）实现对铁电电容极化翻转和非极化翻转特性的测量。

摘要：提供了一种铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法，属于存储器技术领域。该铁电阻变存储器包括上电极(101)、下电极(103)以及设置于该上电极(101)和下电极(103)之间的用作存储层的铁电半导体薄膜层(102)；其中，该铁电半导体薄膜层(102)可被操作地通过铁电电畴产生二极管导通特性、并可被操作地通过该电畴的变化调制该二极管导通特性；该铁电阻变存储器根据该二极管导通特性的调制变化存储信息。该铁电阻变存储器具有结构简单、制备方法简单、可非破坏性读取、且非易失性存储的特点。