摘要：本发明涉及一种高取向碳纳米管薄膜散热片的制备方法，属于散热技术领域。其经过可纺丝碳纳米管阵列制备、干法纺丝制备超顺排碳纳米管薄膜、芯片表面堆叠制备得到产品高取向碳纳米管薄膜散热片。本发明采用CVD的方法制备超顺排列可纺丝碳纳米管阵列材料，在芯片表面通过干法直接纺丝技术得到厚度可控的高取向碳纳米管薄膜散热片。由于该薄膜散热片具有非常高的热导率，在芯片表面创造出更大的有效表面积并将热量通过散热器传输到外界环境，降低芯片的运行温度。

摘要：本发明属于煤矿智能管理领域，涉及一种矿用车辆、人员混合定位的系统及方法，包括：GIS客户端，所述GIS客户端用于获取车辆的位置和人员的位置信息、处理后并进行展示；其中，对人员和车辆的位置信息的处理包括：获取车辆的位置；获取人员的位置；在人员的位置位于车辆的位置的设定范围内，且在车辆的位置信息发生变化时人员的位置信息有同样变化时，则将人员的位置信息绑定于车辆的位置信息。有效解决了人员进入车厢后由于无线信号变弱造成的人员定位卡不能正常测距，导致的成人员标识卡和车辆标识卡在同一个基站下的有效范围不一致的问题。

摘要：本发明涉及一种改进的硅通孔结构制备方法，其包括如下步骤：a、提供基板，在基板内刻蚀形成所需的深孔；b、在所述深孔内进行氧等离子体环境下的氧等离子氧化或氧等离子体阳极氧化，以在深孔的内壁上形成氧化层，所述氧等离子体氧化过程中基板温度为200℃~600℃；c、在具有氧化层的深孔内沉积得到阻挡层以及种子层，所述阻挡层位于种子层与氧化层之间；d、在上述深孔内进行金属导体填充，所述金属导体填充在深孔内，阻挡层包裹在金属导体的外圈；e、对基板的背面进行减薄，以形成所需的通孔结构。本发明工艺步骤简单，能降低形成TSV结构的漏电流以及寄生电容，提高可靠性，适应范围广。

摘要：本发明涉及一种工艺方法，尤其是一种硅通孔侧壁的平坦化方法，属于硅通孔加工的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种硅通孔侧壁的平坦化方法，所述侧壁平坦化方法包括如下步骤：a.提供基板，并对所述基板进行刻蚀，以在所述基板内得到深孔；b.对所述基板进行氧等离子体环境下的氧等离子体氧化或氧等离子体阳极氧化，以在所述深孔的侧壁上形成氧化绝缘层；所述氧等离子体氧化过程中基板的温度为200℃～600℃；c.利用等离子体刻蚀去除上述深孔侧壁的氧化绝缘层；d.重复上述步骤b及步骤c，直至深孔侧壁达到所需的光滑度。本发明工艺步骤简单，能对TSV的侧壁进行有效平坦化，便于TSV内加工的可靠性，适应范围广，安全可靠。

摘要：本发明公开了一种高正向浪涌电流能力的SiC二极管及加工工艺,包括SiC层(1)，SiC层(1)上设有若干第一沟槽(2)，第一沟槽(2)的中部上端设有第二沟槽(3)，第二沟槽(3)内填充有浅P+grid层，第一沟槽(2)和第二沟槽(3)之间填充有深P‑grid层，SiC层(1)的外部设有离子注入层(4)。本发明能够进一步提高SiC二极管的正向浪涌电流能力。

摘要：本发明公开了一种基于多激光雷达综采工作面实时三维成像方法及系统。所述成像方法包括：获取任一激光雷达在对应液压支架坐标系下的位姿，所述激光雷达预设于与其对应的液压支架上；获取任一激光雷达在当前时刻其视场内的局部综采工作面的原始点数据；通过所述原始点数据对所述局部综采工作面进行局部实时成像；以一液压支架坐标系为基准，将任一局部实时成像的结果变换至该液压支架坐标系下以进行全局实时成像。所述成像系统将激光雷达设于液压支架上，并设置与每一激光雷达对应的子处理器，及与各子处理器相连的总处理器，及执行所述成像方法的软件。本发明可实现综采工作面的局部实时成像和全局实时成像，且不用对原有矿井结构进行改造。

摘要：本发明属于矿用电源保护技术领域，具体涉及一种适用于矿用后备电源的保护电路。包括：后备电池、开关、第一电阻及电容依次串联；第一电阻与所述开关电连接的一端还与场效应管的源极电连接，第一电阻与电容电连接的一端还与场效应管的栅极、三极管的集极同时电连接；三极管的发射极接地；场效应管的漏极与三极管的基极电连接后作为后备电池的负载输出端；负载输出端与比较器的高电平端、第二电阻的一端及第三电阻的一端同时相连；第二电阻的另一端通过第四电阻分压后与比较器的第一输入端相连，第三电阻的另一端与稳压管的一端及比较器的第二输入端同时相连；第一输入端通过第五电阻与比较器的输出端电连接。本发明避免了电池输出震荡及放亏。

摘要：本发明公开了一种液压支架的姿态检测方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：在移动机器人运行过程中，当激光雷达的坐标系原点与预设起点重合时，基于激光雷达实时获取环境点云数据进行帧间点云配准，得到激光雷达相对于预设起点的位姿；在相机检测到任一液压支柱上的ArUco码的情况下，基于ArUco码进行位姿估计，得到液压支柱相对于相机的位姿；获取激光雷达和相机的相对位姿，基于激光雷达和相机的相对位姿、激光雷达相对于预设起点的位姿以及液压支柱相对于相机的位姿，得到各液压支柱相对于预设起点的位姿；进而基于各液压支柱相对于预设起点的位姿进行姿态检测，得到检测结果。上述技术方案提高了姿态检测的准确性。

摘要：本发明涉及半导体领域，公开一种铜桥焊接的碳化硅功率模块，功率模块包括芯片模组、冷却板，芯片模组包括一个或多个SiC‑IGBT芯片和DBC板，一个或多个SiC‑IGBT芯片通过铜桥焊接在DBC板上，DBC板铺设于冷却板上，SiC‑IGBT芯片包括上层结构和下层结构，上层结构由N+掺杂层、P+掺杂层、P‑Well层、CSL层和N‑drift层组成，下层结构由N缓冲层和P基底组成，N缓冲层上形成有SiC异质结；冷却板内形成有冷却通道，在冷却板上设置有DBC板和多个SiC‑IGBT芯片时，任意相邻两个芯片模组的下方的冷却通道形成弓字形。本发明基于在N缓冲层上形成的SiC异质结，形成天然电势井，使得芯片的开关性能得到增强；基于设置的弓字形的冷却通道，芯片的散热效率得到提高，进而整个功率模块可以高效稳定的运行。

摘要：本发明涉及半导体领域，具体涉及一种功率半导体器件模块，模块包括：壳体，包括底壳和上盖，底壳和上盖之间形成容纳元器件的空间；基板，设置于底壳上，其包括拼接成方形且相互间具有空隙的第一板体、第二板体和第三板体；第一开关单元和第二开关单元，两者具有相同器件且呈中心对称地布局于基板的左右两部分，第一开关单元和第二开关单元均由交流输入端子、布线板、碳化硅MOSFET和两个IGBT芯片、多个直流端子、多个第一肖特基二极管、多个交流输出端子组成。本发明在基板上中心对称地布局第一开关单元和第二开关单元，使得在对应的交流输入端子和交流输出端子只需要设置一个布线板，使得在端子之间产生最小距离，优化了电源环路以实现低电感。