Patent9 专利在线
高级搜索 ▼
申请号或专利号
公开号
专利名称
专利摘要
申请人
发明人
全部专利
发明专利
实用新型专利
外观设计专利
高级搜索 - 多字段组合检索
+ 增加条件
查询语句:
(请输入搜索条件)
普通搜索
当前查询到
3778
条专利与查询词 "
同燕
"相关,搜索用时0.1718653秒!
排序方式:
按相关度排序
按申请日升序↑
按申请日降序↓
按公开日升序↑
按公开日降序↓
发明专利:
1975
实用新型:
1656
外观设计:
147
共
1975
条,当前第
1-10
条
下一页
最后一页
返回搜索页
1:
[发明]
聚醚酯增塑剂的合成方法
申请号:
201410201348.7
公开号:CN105085883A 主分类号:
申请人:
天津科技大学
申请日:2014.05.09 公开日:2015.11.25
发明人:
万同
;
林燕燕
摘要:本发明公开了一种以己二酸、C
4
~C
6
的二元醇、含有醚键的C
4
~C
6
二元醇为主要原料,加入催化剂通过三部酯化反应、中和、水洗、脱色、减压蒸馏提纯制备一种新型聚醚酯类绿色增塑剂的方法,其中所述的催化剂为正钛酸四丁酯、辛酸亚锡、氯化亚锡。本发明设计的制备过程简单高效,原料来源丰富。本发明设计的新型聚醚酯表现出更好的耐久性、抗迁移性,可以进行人规模的工业化生产。
详细信息
下载全文
2:
[发明]
柠檬酸醚酯增塑剂的合成
申请号:
201410201350.4
公开号:CN105085980A 主分类号:
申请人:
天津科技大学
申请日:2014.05.09 公开日:2015.11.25
发明人:
万同
;
林燕燕
摘要:本发明公开了一种以柠檬酸、一元酸、二元醇为主要原料,以对甲苯磺酸为催化剂,甲苯为带水剂通过两步酯化反应、中和水洗、脱色、减压蒸馏提纯制备新型绿色环保柠檬酸酯增塑剂的方法。本发明的原料来源丰富,反应过程简单高效安全。本发明的新型柠檬酸酯的相对分子量在500~2000g/mol之间,增加了酯基数量和引入了醚键,使其在抗迁移、耐寒性、柔顺性方面有更好的表现,可以成为一种性能更优异的绿色环保增塑剂。
详细信息
下载全文
3:
[发明]
数据集获取方法、装置、电子设备和计算机可读介质
申请号:
202410138083.4
公开号:CN117974188A 主分类号:G06Q30/0201
申请人:
朴道征信有限公司
申请日:2024.01.31 公开日:2024.05.03
发明人:
张燕
;
钟一同
摘要:本公开的实施例公开了数据集获取方法、装置、电子设备和计算机可读介质。该方法的一具体实施方式包括:获取数据意图信息和数据领域信息;获取至少一个数据集;对于每个数据集,执行第一生成步骤:根据数据意图信息,利用生成式模型,生成添加属性集;生成目标属性数据集;将该目标属性数据集添加至该数据集,得到添加后数据集;利用属性合理信息生成模型,确定属性合理信息;根据该属性合理信息,生成候选数据集;生成价值流转信息;对至少一个候选数据集进行价值区间归置,以生成关联信息;在该目标用户终端显示数据选择区域集。该实施方式通过确定价值流转信息,可以准确地为对应的目标用户提供所需的高质量数据集。
详细信息
下载全文
4:
[发明]
面向高频应用的双沟槽型SiC MOSFET结构及制造方法
申请号:
202010598803.7
公开号:CN111799322A 主分类号:H01L29/06
申请人:
清华大学
申请日:2020.06.28 公开日:2020.10.20
发明人:
岳瑞峰
;
杨同同
;
王燕
摘要:本发明公开了一种面向高频应用的双沟槽型SiC MOSFET结构及制造方法,其中,双沟槽型SiC MOSFET结构构建在N++型SiC衬底上的N‑型SiC外延层,包括:栅极沟槽、源极沟槽、N+源区、P型基区、P+屏蔽区、N型电流扩展区和N‑型外延层,其中,N+源区和P型基区由上至下排列,P+屏蔽区位于P型基区和源极沟槽的下方,N型电流扩展区位于P+屏蔽区的外侧,N‑型外延层位于栅极沟槽的槽底中间区域和N型电流扩展区的下方。该结构既有传统双沟槽型SiC MOSFET的优异静态品质因子,又能够明显降低开关损耗、提高短路耐受能力。
详细信息
下载全文
5:
[发明]
面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构
申请号:
202210121620.5
公开号:CN114551569A 主分类号:H01L29/06
申请人:
清华大学
申请日:2022.02.09 公开日:2022.05.27
发明人:
岳瑞峰
;
杨同同
;
王燕
摘要:本发明公开了一种面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构,沟槽调制型结终端扩展结构构建在掺杂碳化硅表面外延层上,包括刻蚀沟槽环和划片槽。刻蚀沟槽环有多个,多个刻蚀沟槽环位于紧邻功率器件有源区的四周外侧的结终端区且自结终端区的内侧到外侧依次环向设置,多个刻蚀沟槽环的环宽自结终端区的内侧到外侧按照设定尺寸逐渐减小,多个刻蚀沟槽环的环间距自结终端区的内侧到外侧按照设定尺寸逐渐增加;划片槽位于结终端区的四周外侧。本发明的面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构,能提高高压碳化硅功率器件的阻断电压的同时具有更宽的工艺窗口,成品率高、一致性好、重复性好、成本低。
详细信息
下载全文
6:
[发明]
计算机散热风扇
申请号:
200610063456.8
公开号:CN101174173 主分类号:G06F1/26(2006.01)I
申请人:
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
;
鸿海精密工业股份有限公司
申请日:2006.11.03 公开日:2008.05.07
发明人:
毛
同燕
;
潘炎坤
摘要:一种计算机散热风扇,包括一风扇及一开关,所述开关串联连接于所述风扇的电源接脚与计算机系统电源之间。由于本发明计算机散热风扇的较佳实施方式由于在所述计算机散热风扇的电源接脚上串联一开关,用以切断或接通所述计算机散热风扇的电源,避免测试过程中对所述计算机散热风扇进行热插拔。
详细信息
下载全文
7:
[发明]
储存局域网络的自动规划系统
申请号:
200910205882.4
公开号:CN102045377A 主分类号:H04L29/08(2006.01)I
申请人:
英业达股份有限公司
申请日:2009.10.21 公开日:2011.05.04
发明人:
宋海燕
;
陈玄同
摘要:本发明公开了一种储存局域网络的自动规划系统,通过虚拟磁盘服务对储存局域网络的储存结构的规划。自动规划系统包括:客户端、储存设备与虚拟磁盘服务管理器。磁盘服务管理器根据客户端所发出的配置要求对储存设备进行相应的规划,提供储存设备的自动化的规划。本发明可以协助储存局域网络的管理员的规划,藉以提高储存局域网络的规划效率。
详细信息
下载全文
8:
[发明]
利用极化电位控制多路输出的阴极保护装置及其工作方法
申请号:
201310097518.7
公开号:CN103147082A 主分类号:C23F13/06(2006.01)I
申请人:
青岛雅合阴保工程技术有限公司
申请日:2013.03.25 公开日:2013.06.12
发明人:
孙勤
;
王燕
;
卢少同
摘要:一种利用极化电位控制多路输出的阴极保护装置,包括机箱,机箱内安装有操作显示控制单元、输出单元、多路采样单元。利用极化电位控制多路输出的阴极保护装置使区域内的控制点电位达到极化电位理想范围或极化电位允许范围,能够更准确的体现和保证了各点的阴极保护效果,阴极保护装置就不需要调整输出,大大简化了调整步骤,降低了调整的复杂度,提高了设备的可靠性,设备抗杂散电流干扰能力强,不会出现功率骤变,设备按照恒定电流方式输出恒定输出电流,使得设备运行较恒电位仪更加平稳,电位调整反应更加合理,保证了设备安全有效的工作,降低了设备的故障率,将温度因素引用到调整机制中,提高了设备的控制精度。
详细信息
下载全文
9:
[发明]
光纤测温主机、系统及方法
申请号:
201310694555.6
公开号:CN103630266A 主分类号:G01K11/32(2006.01)I
申请人:
上海华魏光纤传感技术有限公司
申请日:2013.12.16 公开日:2014.03.12
发明人:
王同志
;
刘小燕
摘要:本发明提供一种用于高压开关柜的光纤测温主机、包含该主机的系统以及使用该主机测温的方法。该主机采用光纤测温探头,结合光信号采样处理器设置。实现了对特定触点触头的测温以及短距离光纤测温,可很好地用于高压开关柜等仪器。并且提供一种光纤测温系统,另包含了一显示模块,可根据测量需要进行显示设置。并且提供了一种使用光纤测温主机的测温方法,以实现对多台目标仪器的测温。
详细信息
下载全文
10:
[发明]
光纤测温主机
申请号:
201310689244.0
公开号:CN103712713A 主分类号:G01K11/32(2006.01)I
申请人:
上海华魏光纤传感技术有限公司
申请日:2013.12.16 公开日:2014.04.09
发明人:
王同志
;
刘小燕
摘要:本发明提供了一种光纤测温主机,采用光纤探头耦接高压开关柜内的连接头以获取相应的温度信息并存储于光信号中,并采用光信号采集模组对所述光信号进行光电转换并从中采样出温度信息,在上述光纤测温主机中还集成了显示模块以详细显示获取的各温度信息以对该些温度进行监控。将光纤测量应用到测量高压开关柜,能抗电磁干扰、腐蚀、雷击,且能在恶劣环境下工作,且将显示模块集成在测温主机中使得所述测温主机可以独立运行而不依赖外部显示设备。
详细信息
下载全文
共
1975
条,当前第
1-10
条
下一页
最后一页
返回搜索页