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外观设计:
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1:
[发明]
一种制作相变存储器元件结构的方法
申请号:
201010182777.6
公开号:CN102254864A 主分类号:H01L21/82(2006.01)I
申请人:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2010.05.20 公开日:2011.11.23
发明人:
吴关平
摘要:本发明提供了一种制作相变存储器元件结构的方法,包括:提供前端器件结构,前端器件结构具有露出表面的导电插销;在前端器件结构上形成介电层;在介电层上形成具有第一开口的绝缘层,第一开口位于导电插销的正上方;在第一开口的侧壁上形成间隙壁;以具有形成了间隙壁的第一开口的绝缘层为掩膜,刻蚀介电层,形成第二开口,露出导电插销的上表面;在第二开口中形成高度低于绝缘层的底部电极;在底部电极上形成相变层。因此,需要一种方法,既能够解决相变层图案化时可能存在的位置不精确的问题,又能够通过减小底部电极的尺寸来减小底部电极与相变层的接触面积,提高相变存储器的读写速度。
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2:
[发明]
一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器
申请号:
201910972375.7
公开号:CN112736189A 主分类号:H01L43/02
申请人:
上海磁宇信息科技有限公司
申请日:2019.10.14 公开日:2021.04.30
发明人:
吴关平
摘要:本发明提供了一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器,制造工艺包括:衬底片上已完成磁存储器底部金属导线制作及表面平坦化;依次沉积第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层;光刻通孔图案;通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层,停在所述第三电介质层,或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层,停在所述第二电介质层,以形成第一孔槽;沉积第六电介质层,填充所述第一孔槽;全片刻蚀,以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙;继续刻蚀剩余的电介质层,形成通孔;通过所述通孔将后续制作的MTJ结构与所述金属导线电连接。
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3:
[发明]
一种磁存储器顶电极及其制造工艺和磁存储器
申请号:
201910972811.0
公开号:CN112736196A 主分类号:H01L43/12
申请人:
上海磁宇信息科技有限公司
申请日:2019.10.14 公开日:2021.04.30
发明人:
吴关平
摘要:本发明提供了一种磁存储器顶电极及其制造工艺和磁存储器,制造工艺包括:衬底片上已完成磁存储器的底电极制备以及磁性隧道结的刻蚀;依次沉积第一电介质层、第二电介质层,并将表面平坦化;依次沉积第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层;光刻通孔图案;通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层,停在所述第三电介质层,或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层,停在所述第二电介质层,以形成第一孔槽;沉积第六电介质层,填充所述第一孔槽;全片刻蚀,以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙;继续刻蚀剩余的电介质层,形成通孔,通过所述通孔引出磁存储器的顶电极。
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4:
[发明]
一种提高锂离子电池正极材料LiFePO
4
性能的方法
申请号:
201310138963.3
公开号:CN103259013A 主分类号:H01M4/58(2010.01)I
申请人:
南京工业大学
申请日:2013.04.19 公开日:2013.08.21
发明人:
邵宗平
;
吴关
摘要:本发明属于锂离子电池领域,是一种提高锂离子电池正极材料LiFePO4性能的方法,其具体步骤为:一、用多元醇还原法制备纯相的LiFePO4材料;二、将纯相LiFePO4与适量的碳前驱体在去离子水中混合均匀,在空气气氛中一定温度下进行干燥热处理;三、将步骤二所得的粉体在惰性气氛下高温热处理一定时间,即得到纳米级均匀片状形貌、电子电导率增大、离子扩散速率提高的锂离子正极LiFePO4材料。本发明的工艺简单,且不需要昂贵的实验仪器。本发明能显著提高正极材料的本征电子电导率和锂离子扩散速率,从而显著提高正极材料的电化学性能。
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5:
[发明]
相变存储器、其底部接触结构及其各自制作方法
申请号:
201210053852.8
公开号:CN103296201A 主分类号:H01L45/00(2006.01)I
申请人:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2012.03.02 公开日:2013.09.11
发明人:
李莹
;
吴关平
摘要:一种相变存储器底部接触结构的制作方法,包括:提供至少形成有包埋在第一介电层中的导电插塞的半导体衬底;在导电插塞及第一介电层上形成第二介电层;形成暴露部分导电插塞的沟槽;在第二介电层、沟槽内淀积导电层;利用光刻工艺在沟槽外的导电层上定义出垂直沟槽的条状区域,保留位于导电插塞及该条状区域上的导电层,去除其它区域的导电层;在沟槽内填充第三介电层,并CMP去除沟槽外的第三介电层及导电层。本发明还提供了上述方法形成的相变存储器底部接触结构以及相变存储器的结构及其制作方法。采用本发明的技术方案,实现了在45nm工艺下,制作小于45nm的相变层底部接触结构。
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6:
[发明]
电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法
申请号:
201210483777.9
公开号:CN103839919A 主分类号:
申请人:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2012.11.23 公开日:2014.06.04
发明人:
李莹
;
吴关平
摘要:本公开涉及电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法。所述熔丝装置包括:熔丝元件,所述熔丝元件包含相变材料;以及第一电极,所述第一电极与所述熔丝元件接触,并且所述第一电极在与所述熔丝元件接触的部分处具有亚光刻尺寸。根据本公开,熔丝装置的断开电流相比于相关技术能够被减小。
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7:
[发明]
相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列
申请号:
201310105912.0
公开号:CN104078563A 主分类号:
申请人:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2013.03.28 公开日:2014.10.01
发明人:
李莹
;
吴关平
摘要:一种相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列,其中所述相变存储器的形成方法包括:提供半导体衬底,位于所述半导体衬底表面的第一介质层,位于所述半导体衬底表面、第一介质层内的环形电极;形成覆盖部分所述环形电极的阻挡层;形成覆盖部分所述阻挡层和部分所述环形电极的第二介质层,所述第二介质层的厚度大于所述阻挡层的厚度,且所述第二介质层的侧壁与所述环形电极的顶表面具有唯一接触线;形成相变材料层;回刻蚀所述相变材料层直至暴露出所述环形电极的顶表面为止,位于所述第二介质层侧壁表面的相变材料层构成相变层。本发明的相变存储器操作功耗低。
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8:
[发明]
磁性随机存储器架构及其制造方法
申请号:
202010912776.6
公开号:CN114203897A 主分类号:H01L43/02
申请人:
上海磁宇信息科技有限公司
申请日:2020.09.02 公开日:2022.03.18
发明人:
戴瑾
;
吴关平
摘要:本申请提供一种磁性随机存储器架构及其制造方法,其结构在于,存储器的源极线,与连接磁性隧道结的接触点中至少一者,是通过自对准技术所形成,得以较为有效的压缩和字线的距离,进而提升磁性随机存储器架构的存储单元密度。
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9:
[发明]
一种高活力水稻花粉收集用冷却干燥装置及使用方法
申请号:
202410713184.X
公开号:CN118452074A 主分类号:A01H1/02
申请人:
合肥市合丰种业有限公司
申请日:2024.06.04 公开日:2024.08.09
发明人:
关敬平
;
吴芹
摘要:本发明公开了一种高活力水稻花粉收集用冷却干燥装置及使用方法,涉及花粉处理领域,本发明包括机架、设置在机架一侧的集粉料口、设置在机架另一侧的排粉料口,以及连通集粉料口和排粉料口的驱粉组件,机架上设置有对进入集粉料口花粉进行干燥以及对排粉料口中花粉进行冷却的干燥冷却组件;干燥冷却组件包括制冷片、往复组件,以及多个干燥部件,制冷片固定设置在排粉料口的底部,对排粉料口内部制冷,往复组件驱动多个干燥部件往复移动,推动多个干燥部件之间的幼穗释放花粉;本发明通过在花粉进入集粉料口前就对花粉进行干燥,除去花粉表面水分,使花粉附着能力降低,使得花粉在装置内部流动时不会附着在装置内壁,能够避免花粉浪费。
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10:
[发明]
一种水稻用多次过滤的可伸缩花粉收集装置及方法
申请号:
202410713167.6
公开号:CN118592216A 主分类号:A01D93/00
申请人:
合肥市合丰种业有限公司
申请日:2024.06.04 公开日:2024.09.06
发明人:
关敬平
;
吴芹
摘要:本发明公开了一种水稻用多次过滤的可伸缩花粉收集装置及方法,涉及花粉收集装置领域。本发明包括收集箱以及设置在收集箱侧面的收集组件;收集箱底部活动设置有过滤组件,过滤组件周围设置有摇摆组件,摇摆组件通过传动组件与排气组件连接;收集箱底部设置有第一清理组件,排气组件上设置有第二清理组件,通过中转管中的气体通过连接管进入到环管中,环管中的气体通过吹气喷头喷出,将收集箱底部的花粉吹入到中心的过滤网上,这样,不仅是对底部的花粉进行清理,提高了收集箱内部的清洁度以及清理效率,而且能够协助将花粉更轻易的进入到收集箱中心的盛放瓶中,也提高了收集效率。
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