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发明专利:
3889
实用新型:
2492
外观设计:
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1:
[发明]
具有电流泄漏减小设计的半导体集成电路
申请号:
200680036477.9
公开号:CN101278248 主分类号:G05F1/10(2006.01)I
申请人:
莫塞德技术公司
申请日:2006.08.29 公开日:2008.10.01
发明人:
吴学俊
摘要:半导体集成电路包括CMOS受控反相器,该反相器包括串联的PMOS和NMOS晶体管。所述NMOS晶体管的源极通过用于电压VSS的功率选通的附加的NMOS晶体管耦合至接地线。所述PMOS晶体管的源极可通过用于电压VDD的功率选通的附加的PMOS晶体管耦合至电源线。所述反相器接收输入信号IN以及早于所述输入信号转变的互补形式。响应所述输入信号,所述反相器产生输出信号。接收所述输出信号和所述互补输入信号的NAND门控制了功率选通NMOS晶体管。接收所述输出信号和互补输入信号的NOR门控制功率选通PMOS晶体管。通过输出信号和互补输入信号的反馈,执行至CMOS反相器的功率选通,实现了通过CMOS受控反相器的电流泄漏的减小。通过功率选通晶体管进行的自泄漏减小可应用于另一类型的逻辑门,例如NAND、NOR和异或、AND、OR。
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2:
[发明]
用于自刷新存储器单元的动态随机存取存储器设备及方法
申请号:
200680040549.7
公开号:CN101300641 主分类号:G11C11/406(2006.01)I
申请人:
莫塞德技术公司
申请日:2006.10.12 公开日:2008.11.05
发明人:
吴学俊
摘要:本发明公开一种在自刷新模式和常规模式下运行的具有存储器单元的动态随机存取存储器(DRAM)。在自刷新模式的运行中,模式探测器提供自刷新模式信号。其包括用于产生与自刷新模式信号无关的振荡信号的自激振荡器。响应振荡信号,自请求控制器在自刷新模式中提供自刷新请求信号。自刷新信号和自刷新模式信号异步,并且被提供到地址电路,用来选择字线以刷新其中的存储器单元。自刷新请求控制器包括逻辑电路,用于在振荡信号和自刷新模式信号的启动激活边沿之间仲裁时序,并且在自刷新模式进入和退出时,提供自刷新请求和停止该请求,而无视自刷新模式信号和振荡信号的冲突。该DRAM设备在可变的DRAM单元保持时间内运行并获得可靠的自刷新。
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3:
[发明]
具有低功耗的自刷新半导体集成电路
申请号:
200680044743.2
公开号:CN101317232 主分类号:G11C11/4063(2006.01)I
申请人:
莫塞德技术公司
申请日:2006.11.30 公开日:2008.12.03
发明人:
吴学俊
摘要:动态随机存取存储器具有逻辑相同的电路,来提供相同的逻辑控制信号。每一组控制信号可以具有不同的电参数。一个电路可以为高速运行而优化,同时另一个电路可以为低功耗而优化。逻辑相同的电路可以包括字线地址预解码电路,其中,在正常操作模式中启用高速预解码电路,并且启用较低速低功耗预解码电路以用于自刷新操作。在自刷新操作期间,高速电路可以从电源解耦合以最小化其电流泄漏。
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4:
[发明]
具有数据控制的存储器
申请号:
200880105697.1
公开号:CN101849262A 主分类号:G11C7/10(2006.01)I
申请人:
莫塞德技术公司
申请日:2008.07.07 公开日:2010.09.29
发明人:
吴学俊
摘要:在一个实施例中,一种存储器装置包括存储器、第一数据链路、第一输入端、第二输入端、第二数据链路、第一输出端和第二输出端。第一数据链路被配置为将一个或多个包输入到该存储器装置。第一输入端被配置为将命令选通信号输入到该存储器装置,该命令选通信号描述经由第一数据链路输入到该存储器装置的命令包。第二输入端被配置为将数据选通信号输入到该存储器装置,该数据选通信号描述经由第一数据链路输入到该存储器装置的数据包。第一和第二输出端被配置为分别输出命令选通信号和数据选通信号。第二数据链路被配置为从该存储器装置输出包。
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5:
[发明]
具有功率节省特性的非易失性半导体存储器设备
申请号:
200880121408.7
公开号:CN101903953A 主分类号:G11C11/413(2006.01)I
申请人:
莫塞德技术公司
申请日:2008.09.15 公开日:2010.12.01
发明人:
吴学俊
摘要:一种非易失性半导体存储器设备,包括(i)接口,具有用于接收输入时钟的输入和用于接收控制器发出的命令的一组数据线,该命令包括擦除命令;(ii)具有反馈回路配置的电路部件的模块,该模块由基准时钟驱动;(iii)可以可控地在基准时钟跟随输入时钟的第一状态和基准时钟和输入时钟解耦合的第二状态之间转换的时钟控制电路;和(iv)命令处理单元,配置为识别命令,并且使得时钟控制电路响应于识别擦除命令从第一状态转换为第二状态。相比于当基准时钟跟随输入时钟时,当基准时钟和输入时钟解耦合时,模块消耗更少的功率。
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6:
[发明]
菊花链存储器配置和用途
申请号:
200880112684.7
公开号:CN101836258A 主分类号:G11C7/10(2006.01)I
申请人:
莫塞德技术公司
申请日:2008.08.27 公开日:2010.09.15
发明人:
吴学俊
摘要:本发明披露了菊花链式存储器配置和使用。根据一个配置,存储器系统包括以菊花链方式耦合的控制器和对应的包括多个连续的存储器装置串。控制器在串行控制链路上传递命令来配置第一存储器装置将数据块写到该链中的第二存储器装置。例如,控制器通过在菊花链控制链路上通信来将多个存储器装置中的第一存储器装置配置为用于输出数据的源,通过在菊花链控制链路上通信来将第二存储器装置配置为用于接收数据的目标,并且通过在菊花链控制链路上通信来启动从第一存储器装置到第二存储器装置的数据传送,从而启动数据块的复制。
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7:
[发明]
定位压合治具
申请号:
200910057664.0
公开号:CN101966648A 主分类号:B23P21/00(2006.01)I
申请人:
昆山华冠商标印刷有限公司
申请日:2009.07.28 公开日:2011.02.09
发明人:
吴学俊
摘要:本发明涉及一种定位压合治具,其包括有工作台,其上设置有若干定位柱,该等定位柱在工作台上设定有工作区。进一步的,工作台上还设置有若干尺寸调节槽,定位柱安装于尺寸调节槽上,并可通过安装于不同的尺寸调节槽内,来改变其设定的工作区的尺寸大小。本发明涉及的定位压合治具可用于多种不同尺寸的笔记本电脑的组装。
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8:
[发明]
具有输出延迟调整的串联存储器系统
申请号:
200980138194.9
公开号:CN102165529A 主分类号:G11C7/22(2006.01)I
申请人:
莫塞德技术公司
申请日:2009.09.17 公开日:2011.08.24
发明人:
吴学俊
摘要:提供了用于校正时钟占空比和/或执行输出延迟调整的系统和方法,以应用于用作从装置的串联装置中。主装置为第一从装置提供时钟。每个从装置将该时钟顺序地传递给下一个从装置。最后的从装置将该时钟返回给该主装置。该主装置比较输出和所返回的时钟,并确定是否需要占空比校正和/或输出延迟调整。如果需要,该主装置产生并输出命令,用于由装置执行占空比和/或输出延迟调整。每个从装置具有用于执行占空比校正和/或输出延迟调整的电路。在一些实施方案中,每个从装置是存储器装置,且主装置是存储器控制器。
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9:
[发明]
热成型机
申请号:
201110242262.5
公开号:CN102357967A 主分类号:B29C43/02(2006.01)I
申请人:
昆山华冠商标印刷有限公司
申请日:2011.08.23 公开日:2012.02.22
发明人:
吴学俊
摘要:本发明公开了一种热成型机,包括支架、工作台、驱动装置、压板、上模和下模,其特征在于:还包括两个夹板、拉杆、弹簧、滑动板,所述工作台的前侧延伸到支架前侧的外边,在工作台上设置有能够水平滑动的滑动板,所述滑动板上设置有下模,在下模和上模之间设置有后端相互枢接的上夹板和下夹板,所述两个夹板上开设有成型开口,在下夹板与滑动板之间设置有弹簧,在压板的前表面与上夹板之间设置有拉杆。本发明解决了现有技术中热成型机采用手工脱模,易烫伤作业人员,工作效率低,易拉破产品造成产品变形,给企业带来较大损失的问题,提供了一种结构简单、使用方便、能够避免高温烫伤,减少在脱模时拉破及拉扯变形的热成型机。
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10:
[发明]
雕铣切割装置及使用该装置切圆、连续切多个直角的方法
申请号:
201210054578.6
公开号:CN102601815A 主分类号:B26D1/28(2006.01)I
申请人:
昆山华冠商标印刷有限公司
申请日:2012.03.05 公开日:2012.07.25
发明人:
吴学俊
摘要:本发明公开了一种雕铣切割装置及使用该装置切圆、连续切多个直角的方法,包括固定轴、固定在所述固定轴上的主轴,还包括安装在所述主轴上的刀套和安装在所述刀套上的刀体,所述刀体为偏心刀。本发明解决了现有技术中在雕铣切割直角或者圆时,这种切割方式会导致直角处变形,圆的下刀口和提刀口变形的问题,通过改变雕铣切割装置的刀具和刀具的旋转方式及运动轨迹,使装置在切割圆或连续切割多个直角时能够保证不会出现变形,提高了切割产品的质量,符合了客户的产品设计需求,提高了公司的效益。
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