摘要：本发明公开了一种磁场传感器和霍尔器件。所述磁场传感器包括电桥电路，所述电桥电路包括四个桥臂；每一桥臂包括一霍尔电阻元件，至少一个桥臂还包括与对应桥臂上的霍尔电阻元件相串联的可调电阻元件；其中，每一霍尔电阻元件具有一对电阻输出端和一对电流输入端，所述电阻输出端用于接入到所述霍尔电阻元件所在的对应桥臂中，所述电流输入端用于接收工作电流以便在所述电阻输出端产生霍尔电阻。本发明通过四个霍尔电阻元件及可调电阻元件组成电桥电路，可实现零磁场时的电桥平衡。本发明可以在有磁场时实现电桥差分输出，从结构上大大降低了霍尔器件的零场偏移问题，其工艺简单，有利于大规模产业化推广。

摘要：本发明公开了一种自旋极化耦合的GaN高电子迁移率晶体管，属于铁磁材料领域及三代半导体微波毫米波器件领域。该晶体管包括GaN HEMT完整外延结构以及在GaN HEMT完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质、一次栅金属磁化膜及二次栅金属；所述的GaN HEMT完整外延结构包括：衬底、成核层及高阻缓冲层、沟道层和势垒层；所述的一次栅金属磁化膜及二次栅金属自下而上共同构成器件的栅极。本发明采用磁化膜作为栅极的一次栅金属，可通过磁化膜的自旋极化耦合，实现对二维电子气的电子自旋方向的调制。同时由于肖特基势垒的作用，可调控沟道内的二维电子气浓度。

摘要：本发明公开了一种自旋极化耦合的GaN MOSFET及制备方法，属于铁磁材料领域及三代半导体微波毫米波器件领域。该结构包括GaN MOSFET完整外延结构以及在GaN MOSFET完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质、一次栅金属磁化膜及二次栅金属。本发明通过在GaN MOSFET完整外延结构的势垒层表面制备磁化膜形成一次栅金属磁化膜，再通过制备二次栅金属形成完整栅极。本发明可通过栅极的磁性大小及磁化方向来调制沟道内的二维电子气的电子自旋方向；同时可调控沟道内的二维电子气浓度。

摘要：本发明提出了一种牵引变电站谐波发射水平估计方法。该方法采用两个正态分布函数对谐波电压随机分量进行描述，并在此基础上提出了对谐波随机分量的概率分布进行仿真模拟的方法，将牵引负荷谐波发射水平的估计转化为非线性规划问题，通过随机仿真得到牵引负荷谐波电压95％概率大值。本方法简化了计算过程，降低了计算的工作量和复杂性。

摘要：本发明公开了电力系统和牵引供电系统负荷评估技术领域中的一种电气化铁道牵引变电所负荷的评估方法，用于解决目前负荷分析中无法反映波动性和随机性的问题。技术方案是所述方法包括：构建牵引变电所电力机车的有功功率概率模型，利用模拟退火算法辨识有功功率概率模型参数，构建牵引变电所电力机车的无功功率概率模型，利用模拟退火算法辨识无功功率概率模型参数，验证牵引变电所负荷概率模型；有功功率概率模型的构建，依据行车数量和每台电力机车发挥的功率。本发明刻画了牵引变电所有功功率和无功功率的统计特性，可直接用于概率潮流计算，或为电力系统仿真分析提供负荷数据。

摘要：一种减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，所述微波毫米波芯片的主要结构包括SiC衬底、外延沟道、势垒层、源漏电极及T型栅，T型栅结构采用电子束一次成型制备，所述减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法包括以下步骤：剥离栅金属，对栅结构进行钝化，钝化的致密介质具有耐BOE溶液腐蚀特性；生长电容介质；采用光刻工艺使栅暴露出来而电容结构被胶保护；利用BOE溶液对电容介质进行腐蚀，控制时间去除栅两侧的电容介质并保留钝化介质。将不同的介质作钝化和电容介质，以选择性的去处栅两侧的寄生电容，该方法用致密度高的高温SiN介质做栅钝化，利用致密度低的低温SiN介质做电容，依靠做栅钝化和做电容两者的BOE腐蚀速率差异去除栅两侧的电容介质减小栅寄生电容。

摘要：一种微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法，在介质层上涂一层耐刻蚀的电子束胶；利用电子束直写设备直写栅脚图形；在直写完的栅脚图形上涂深紫外光刻胶；利用电子束直写设备直写栅帽图形；对直写完的栅帽进行烘焙，并利用碱性显影液对直写完的栅帽进行显影，一次性得到栅脚和栅帽的胶型；采用烘烤工艺改变栅脚胶型；可大幅提高小尺寸栅的电子束直写速度和制备效率。且分两步进行介质层刻蚀；利用自停止层对外延材料的CaP层进行过挖槽或者过刻蚀；所述胶型转化为栅型，剥离得到金属栅，对栅金属进行蒸发和剥离后的钝化，即保证了栅的稳定性，又利用了新胶的耐蚀性很好的控制了线宽损失，该工艺兼具了裸栅的小尺寸和介质辅助栅的稳定性的优点。

摘要：本发明是一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法，其特征该方法包括如下工艺步骤：（1）元件的制备；（2）纳米薄层金属锗的制备；（3）电子束直写栅；（4）纳米薄层金属锗的第一次去除；（5）栅介质的刻蚀，栅金属的蒸发和剥离；（6）纳米薄层金属锗的第二次去除。本发明的优点：1、采用金属锗作为底层导电层，一致性好，而且厚度精确可控；在其表面涂敷的电子束胶具有很好的粘附性，又易于去除。2、金属锗在10nm以下便可具有非常好的导电特性，对改善GaN HEMT表面电子束电荷积累效果优异。

摘要：本申请涉及信息处理技术领域，具体公开了一种标题生成方法、设备和存储介质，所述标题用于总结向用户展示的推荐内容，所述标题生成方法包括以下步骤：根据所述推荐内容的文本类型来确定用于生成标题的参数，所述文本类型包括项目申报通知、项目立项公示、专利报表、专利对比报表、企业报表和企业对比报表中的至少一个；获取所述参数;根据所述文本类型和所述参数生成所述标题。本申请可以根据向用户展示的推荐内容的文本类型，对该推荐内容的相关详情数据进行清洗处理，得到参数，最终生成通俗易懂的标题，从而使用户可以快速对内容有大致的了解。

摘要：本发明公开了一种用于大规模即时物流配送的聚类方法及系统，方法具体步骤如下：步骤1：以客户点为中心，根据商家个数设定聚类数k，运用K‑means算法进行初始聚类，将地理位置相近的客户点划分到同一聚类中；步骤2：根据K‑means初始聚类得到的聚类中心，使用欧式距离作为度量标准，对配送员进行归集；步骤3：以每个区域内配送员的动态位置为基础，再次运用K‑means聚类算法进行聚类，找到每个区域内的配送员聚集中心，即虚拟配送中心位置；步骤4：根据虚拟配送中心位置，运用Voronoi图进行多边形区域划分；通过Voronoi聚类，得到最终的配送区域划分结果，每个区域内聚集了设定数量的客户点，并且分配了设定数量的配送员用于所述区域的配送任务。