摘要：本发明涉及集成电路的制备方法及接触插塞结构的制备方法，该接触插塞结构的制备方法的一实施例，包含下列步骤：于一半导体基板上形成一导电堆栈；于该导电堆栈上形成一图案化屏蔽；于该导电堆栈的一上部形成一凹部；于该凹部的表面及该图案化屏蔽上形成一间隙壁层；形成一屏蔽区块，填入该凹部；局部去除未被该屏蔽区块覆盖的间隙壁层；以及使用该屏蔽区块及该图案化屏蔽局部去除该导电堆栈以形成该接触插塞结构。

摘要：本发明公开了一种资源获取方法，所述方法包括以下步骤：将资源获取请求发送至CDN服务器，并监测是否获取到资源；当监测到资源未获取时，将验证所述CDN服务器状态的信息发送至CDN服务器；当所述CDN服务器反馈的状态信息为CDN服务器无法正常运行时，将所述资源获取请求发送至源站服务器，通过所述源站服务器获取资源。本发明还公开了一种资源获取装置、设备及计算机可读存储介质。本发明能够提高获取资源的可靠性，解决了CDN服务不能实时更新资源的问题。

摘要：本发明公开了一种真丝织物染色病疵定位剥色方法，它要解决的技术问题在于能较好地剥去染色绸上的染色病疵，但对该真丝纤维强力损伤不大。为此需采取下列工艺步骤：采用催化剂金属盐对真丝染色病疵绸进行预媒处理，使该催化剂的金属离子吸附在染料处；漂洗，将吸附在真丝蛋白质分子上的催化剂金属离子除去而保留吸附在染料分子上的催化剂金属离子；采用双氧水进行氧化剥色；氧漂结束后，加入硫脲进行还原剥色，除去真丝织物上的染色病疵；水洗。采用本发明的真丝织物染色病疵定位剥色后，真丝染色绸剥色白度达68以上，真丝纤维强力保持率达71％以上。

摘要：本发明涉及聚乙二醇-接枝-聚半胱氨酸/金复合纳米粒子、制备及应用，属于复合纳米粒子制备技术领域。将聚乙二醇-接枝-聚半胱氨酸溶于二甲基甲酰胺中，再加入水后，进行透析，得到胶束溶液；向胶束溶液中加入双氧水，反应结束后再次透析，得到聚乙二醇-接枝-聚半胱氨酸交联胶束；将氯金酸和聚乙二醇-接枝-聚半胱氨酸交联胶束混合后，避光搅拌，得到聚乙二醇-接枝-聚半胱氨酸/金复合纳米粒子。与现有技术相比，本发明中，聚乙二醇-接枝-聚半胱氨酸交联胶束既可还原氯金酸，又可以稳定单质金，氯金酸还原过程中不需要还原剂，反应条件温和，为制备具有光热转换性能的纳米粒子及其用于癌症协同治疗体系提供了一种途径。

摘要：一种基于随机森林模型的管线健康状态评估方法，属于城市供水管网技术领域。所述方法包括：分别从城市供水管网的基础数据库和破损数据库中提取管线基本信息和历史破损情况；对获取到的管线信息进行数据预处理；利用随机森林模型建立自变量与因变量之间的关系，评价模型的分类效果；利用通过分类效果评估的随机森林模型预测供水管网的破损概率；对预测结果进行分级，用不同颜色表示健康等级，绘制健康状态专题图；评价管线破损影响因子重要性，分析影响规律。应用本发明对管网健康状态评估，其预测结果与实际情况基本相符，能够有效地评价管道状态，为

摘要：提供具有提高的擦除速度的分离栅极闪速存储器单元。擦除栅极和浮置栅极在半导体衬底上方横向间隔开。浮置栅极具有：朝向擦除栅极增大的高度；与擦除栅极相邻的凹形侧壁表面；以及浮置栅极的凹形侧壁表面与上表面的界面限定的尖端。控制栅极和侧壁间隔件布置在浮置栅极的上表面上方。控制栅极横向偏离浮置栅极的尖端，并且侧壁间隔件横向布置在控制栅极与尖端之间。还提供了用于制造分离栅极闪速存储器单元的方法。

摘要：本发明提供了用于制造嵌入式闪存器件的方法。存储和逻辑浅沟槽隔离(STI)区分别延伸至衬底的存储区和逻辑区内。存储和逻辑STI区的上表面大约与位于衬底上面的焊盘层的上表面共面。在逻辑区上面形成覆盖层。对焊盘层实施第一蚀刻以暴露出存储STI区之间的存储间隙。浮动栅极层形成为填充存储间隙。对浮动栅极层实施第二干蚀刻以将浮动栅极层回蚀刻至覆盖层和存储STI区的上表面下方。对存储STI区实施第三蚀刻以使存储STI区凹进。对浮动栅极层实施第四蚀刻以形成浮动栅极。本发明的实施例还涉及用于防止浮置栅极变化的方法。

摘要：一种基于BP神经网络的管道破损概率预测方法，属于城市供水管网技术领域。所述方法包括：为预测管道破损概率进行前期的数据准备；选择待预测的管网区域，分别通过全管网、所在行政区、周边缓冲区三种途径确定训练数据范围；选择导致管道发生破损的影响因子，在训练数据范围内提取建模所需训练样本；利用BP神经网络算法，使用训练样本训练模型，采用基于10折交叉验证的ROC曲线评价模型的稳定性和预测精确度；将训练好的模型应用在待预测管网区域，得到每一条管道将要发生破损的概率；在ArcGIS中采用自然断点法将管道破损概率分类，制作专题图。本发明拓展了现有管道破损概率预测模型的研究内容，为供水管网资产管理科学方法的建立提供一种新的思路。

摘要：本发明提供一种制造MEMS器件的方法，包括在载体衬底上方的牺牲层上形成多个圆边沟槽。然后，在牺牲层上方形成多晶硅层，以填充沟槽。多个制动器由沟槽限定并且从多晶硅层朝向载体衬底突出。随后，去除牺牲层的一部分，以在多晶硅层与载体衬底之间限定凹槽并且暴露制动器。本发明还提供了具有圆边制动器的MEMS结构及其制造方法。

摘要：本公开涉及一种闪存器件以及相关方法。在一些实施例中，闪存器件具有栅叠件，其具有通过控制栅极介电质与浮栅隔开的控制栅极。擦除栅极设置在栅叠件的第一侧上。字线设置在栅叠件的与第一侧相对的第二侧上。字线具有从与栅叠件相对的外侧到距离栅叠件更近的内侧单调增加的高度。字线的形状使字线的接触阻抗优化，并且使得形成在字线上的上覆的覆盖间隔件被很好的界定，这可以提供更可靠的读取/写入操作和/或更好的性能。