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吴成英
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1:
[发明]
一种面向目标分类系统的通用目标攻击方法及装置
申请号:
202110232607.2
公开号:CN112836764A 主分类号:G06K9/62
申请人:
中山大学
申请日:2021.03.02 公开日:2021.05.25
发明人:
高成英
;
吴星
摘要:本发明公开了一种面向目标分类系统的通用目标攻击方法及装置。所述方法,包括步骤:S1、对随机生成的噪音矩阵进行初始化,得到初始噪音矩阵;S2、将所述初始噪音矩阵叠加至自然图像,得到伪装图像,并通过标签误导方法和特征误导方法误导所述目标分类系统,得到误导后的目标分类系统,以获取所述误导后的目标分类系统对所述伪装图像的分类结果;S3、对所述初始噪音矩阵进行更新得到更新噪音矩阵,并将所述初始噪音矩阵更新为所述更新噪音矩阵;S4、迭代执行步骤S2~S3直至满足预设停止条件,获取当前所述初始噪音矩阵和/或当前所述伪装图像。本发明能够实现定向攻击目标分类系统,获取具有最佳攻击效果的噪音矩阵和/或伪装图像。
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2:
[发明]
一种化工污染场地的修复方法
申请号:
202110868061.X
公开号:CN113546958A 主分类号:B09C1/10
申请人:
成英
申请日:2021.07.30 公开日:2021.10.26
发明人:
成英
;
吴科文
摘要:本发明公开了一种化工污染场地的修复方法,属于化工污染场地修复领域,包括以下步骤S1:化工污染场地经行平整处理;S2:将化工污染场地经行隔离处理;S3:构建微生物群,将平整隔离后的化工污染场地内的土壤,制备形成微生物培养基,挑选并培养出能有效处理土壤中有机污染物的微生物菌种;S4:将步骤S3中挑选初的微生物菌种放置于化工污染场地内;采用微生物修复对土壤中重金属进行固定、移动或转化,改变它们在土壤中的环境化学行为,可促进有毒、有害物质解毒或降低毒性,从而达到生物修复的目的,属于原位修复技术,其成本低、二次污染易于控制,微生物修复以后,再采用植被修复恢复土壤环境,修复效果好,成本低。
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3:
[发明]
一种纳米级超细钨粉的制备方法
申请号:
03150230.X
公开号:CN1480282 主分类号:B22F9/22
申请人:
北京科技大学
申请日:2003.07.22 公开日:2004.03.10
发明人:
吴成义
;
张丽英
摘要:本发明提供了提供了一种纳米级超细钨粉的制备方法,采用低温超声喷雾热转换法制备的纳米级WO
3
氧化物粉末为原料,用H
2
气按两阶段还原,第一阶段还原温度为380~500℃、保温30~60分钟;先制成纳米(WO
2.9
)蓝钨粉末。第二段H
2
还原,温度为700~780℃、保温40~60分钟、制备成纳米超细W粉末。经高速剪切粉碎机破碎的料浆过43μm筛,并转入真空烘干机内。料浆在真空下脱出酒精,然后在烘干机夹层内通入90±10℃蒸气将钨粉振动烘干,待冷却后出料,即得到平均粒径≤80nm的纳米钨粉。本发明的优点在于:粉末颗粒形貌为近球形,经过剪切破碎的钨粉,其松装比重可由0.5~0.7g/cm
3
,增加到1.4~1.7g/cm
3
。适用于纳米级钨粉的工业化生产。
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4:
[发明]
一种纳米铜粉的制造方法
申请号:
03153363.9
公开号:CN1483540 主分类号:B22F9/24
申请人:
北京科技大学
申请日:2003.08.12 公开日:2004.03.24
发明人:
张丽英
;
吴成义
摘要:本发明提供了一种纳米级超细铜粉的制备方法,所使用的方法是采用溶液还原的化学方法,使2价的铜离子Cu
2+
得到两个电子还原成0价铜分子Cu
0
。其工艺是:先将含铜离子的盐类CuSO
4
溶于水,用联氨在水溶液中可提供电子的特点将Cu
2+
离子还原成极细的Cu颗粒。反应产物中SO
4
2-
根离子被水清洗出。并用乙醇脱出残余水,采用连续式快速离心分离的方法将废液与沉淀物分离,最后在真空振动烘干机中低温烘干即可得到纳米Cu粉。本发明的优点在于:适用于纳米级超细、呈球形铜粉末的工业化生产。所用设备简单、工序短;连续式高速离心机大大地节省了纳米铜粉的沉淀时间,提高生产效率约60倍。
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5:
[发明]
一种纳米级超细钴粉的制备方法
申请号:
200410068855.4
公开号:CN1586772 主分类号:B22F9/22
申请人:
北京科技大学
申请日:2004.07.09 公开日:2005.03.02
发明人:
吴成义
;
张丽英
摘要:本发明提供了一种纳米级超细钴粉的制造方法,采用气流超声喷雾热转换法制备纳米级平均晶粒<60nm的CoOx前驱体粉末,经焙烧,剪切破碎,离心,风干,再经管式炉低温520~550℃H
2
还原,制备成纳米级平均晶粒<80nm的Co粉末。所使用的氧化钴粉末,是采用低温68~128℃气流超声喷雾热转换法,制备的纳米级平均晶粒<60nm的CoOx前驱体粉末。本发明的优点在于:工艺简单,成本低。可利用原有的还原炉大规模生产。钴粉的粒度分布区间窄,粉末的平均粒经≤80nm,颗粒形状为球形。
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6:
[发明]
一种工业用连续式工频气流振动筛分装置
申请号:
200410046354.6
公开号:CN1583291 主分类号:B07B1/28
申请人:
北京科技大学
申请日:2004.06.07 公开日:2005.02.23
发明人:
吴成义
;
张丽英
摘要:本发明提供了一种工业用连续式工频气流振动筛分装置,由搅拌电机(1)、进料口(2)、搅拌棒(3)、粉料仓(4)、电磁控制钟罩进料阀(5)、工频电磁转换气流振动发生器(6)、粉料分散刮板(7)、筛网(8、17、18)、电磁自动出料阀(9)、出料口密封板(10)、粉末出料管(11)、下腔反弹共振胶囊(12)、粉料分散电机(13)、机架(14)、蝶阀(15)、下层粉料桶(16)、N
2
、Ar气充气阀(19)组成。采用工频空气、氮气、氩气振动气流,进行筛分。其优点在于能够快速地进行连续化自动化筛分工作,没有机械振动噪音,没有油类或脂类污染,筛网使用寿命长,粉末不堵塞筛孔,筛分效率高,安全可靠,耗电量低。
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7:
[发明]
一种纳米级超细镍铁合金粉的制备方法
申请号:
200410009274.3
公开号:CN1593819 主分类号:B22F9/00
申请人:
北京科技大学
申请日:2004.06.29 公开日:2005.03.16
发明人:
吴成义
;
张丽英
摘要:本发明提供了一种纳米级超细镍铁合金粉末的制造方法,采用镍铁的硫酸盐或硝酸盐水溶液,经低温超声喷雾热转换法制备成纳米级NiO·FeO复合氧化物粉末,经反复清洗,离心分离,或直接焙烧除去前驱体粉末中的酸根和残余水,得到干燥的复合氧化物粉末,再经管式炉低温650~700℃H
2
还原,即可制成纳米级镍铁合金粉末。本发明的优点在于:镍铁合金的成分,可由溶液成分任意选配,合金成分非常均匀,合金粉末的平均粒经≤80nm,颗粒形状为球形;并可大规模的工业化生产。
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8:
[发明]
一种纳米级超细碳化钒粉末的制备技术
申请号:
200410009080.3
公开号:CN1569624 主分类号:C01B31/30
申请人:
北京科技大学
申请日:2004.05.12 公开日:2005.01.26
发明人:
吴成义
;
张丽英
摘要:本发明提供了一种纳米级超细碳化钒粉末的制备技术。适用于纳米级碳化钒粉末的工业化生产。采用超声喷雾热转换法制备的纳米级V
2
O
5
前驱体粉末经焙烧后,配以纳米级<0.02μm的超细碳黑粉,在剪切机内混合后,在不锈钢的管式碳化炉内,H
2
保护下,850~980℃、60~80分钟碳化得到超细的碳化钒粉末,再经剪切粉碎机破碎桥接团粒,烘干后即可得到平均粒径<0.1μm的超细碳化钒粉末。本发明的优点在于超声喷雾热转换法制备的纳米级V
2
O
5
前驱体粉末即为纳米级粉末、效率高,适用于大规模纳米级超细碳化钒粉末的工业化生产。
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9:
[发明]
一种纳米级钨粉及碳化钨粉的制备方法
申请号:
200410009568.6
公开号:CN1608983 主分类号:C01B31/34
申请人:
北京科技大学
申请日:2004.09.16 公开日:2005.04.27
发明人:
吴成义
;
张丽英
摘要:本发明提供了一种纳米级钨粉及碳化钨粉的制备方法,采用高温250~300℃,高压空气2.5~3.5MPa超音速喷雾热转换法先制成纳米级WO
3
粉末,用H
2
还原成纳米WO
2.9
兰钨粉,进行超高速层间剪切破碎,同时加入隔离剂将纳米级兰钨颗粒包覆,再进行旋液粒度分级,连续式离心沉降,烘干,制成有包覆薄膜的纳米兰钨粉末。在两端进H
2
,中段抽气排水的还原炉中低温700~750℃,保温60~90分钟,还原出平均粒径≤80nm的钨粉,然后将纳米级钨粉与纳米碳黑粉混合,加入有机物隔离剂,离心、干燥后,在980~1000℃,保温60~80分钟,碳化,制成纳米WC粉用超高速层间剪切机破碎桥接团粒,旋液分级,离心沉淀,干燥,制成平均粒径≤90nm的WC粉末。
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10:
[发明]
一种超细晶粒钨-铜合金的制造方法
申请号:
01144212.3
公开号:CN1363708 主分类号:C22C27/04
申请人:
北京科技大学
申请日:2001.12.13 公开日:2002.08.14
发明人:
张丽英
;
吴成义
摘要:本发明提供了一种用低温超声喷雾热转换法制备的WO
3
-CuO纳米级复合氧化物粉末,平均粒径≤30nm。经低温300~750℃,30~60分H
2
气还原制备成纳米级W-Cu合金粉末(平均粒径≤80nm),再经高速剪切粉碎,钢模压制成形和H
2
气保护1100~1450℃烧结,或真空或真空-中压烧结,或(HIP)热等静压烧结可制成超细晶粒W-Cu合金。其优点为合金的相对密度可达98~99.5%;真空-中压烧结或HIP处理,残留孔隙<0.01%。合金中的W晶粒平均粒径≤1.5μm。
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