摘要：本发明涉及一种大容量平面接触调压器，它由线圈、电刷组等构成，电刷组每组为二只，这二只电刷均错开排列，任何时候都至少有一只电刷与线圈的铜心接触，保证了电流的连续性输出。本实用新型还具有触点温升低、火花等级低等优点。用于电气行业的电压变换与调整。

摘要：本发明涉及一种滚轮式平面接触调压器，它由线圈、电刷组等构成，电刷组每组为三只，这三只电刷均错开排列，任何时候都至少有一只电刷与线圈的铜芯接触，保证了电流的连续性输出。本发明还具有触点温升低、火花等级低等优点。用于电气行业的电压变换。

摘要：一种低镍奥氏体不锈钢粉末及其应用，粉末的合金成份组成关系，Cr：13-22％，Ni：0-6％，Mn：9-2.5％，Cu＜2％，Nb、Ti、V＜1％，余者为Fe和熔炼过程带入的杂质，合金中Ni和Mn的含量总和必须在7-12％的范围内；粉末采用水雾化法或气雾化法制成预合金粉末，形状有不规则形、多角形、树枝形、近球形、球形；制品用压制成型、注射成型和松装烧结等通用的粉末冶金成型方法生产。本发明为不锈钢粉末冶金制品提供了一种低成本、无磁性的奥氏体不锈钢粉末原料。

摘要：结合无线兼容认证天线及全球微波互联接入天线的天线组，包含壳体，至少一个全球微波互联接入天线，安装于该壳体内，至少一个无线兼容认证天线，安装于该壳体内，及电路板，安装于该壳体内，用来处理该至少一个全球微波互联接入天线及该至少一个无线兼容认证天线收发的信号，该至少一个无线兼容认证天线是实质上与该至少一个全球微波互联接入天线正交。本发明利用全球微波互联接入平面偶极天线数组可达成高增益的效能。

摘要：本发明实施例公开了一种调节皮肤微生态平衡的组合物及其制备方法，所述组合物由包括如下重量份原料制得：β‑葡聚糖0.1‑10份、生态营养液0.1‑8份、二裂酵母发酵产物溶胞物0.1‑3份、乳酸杆菌/豆浆发酵产物滤液0.1‑6份、芽孢杆菌发酵产物0.1‑10份、生物糖胶‑2 0.1‑6份、羧甲基脱乙酰壳多糖0.1‑1份和甘草酸二钾0.1‑1份；本发明组合物具有菌群调节和抗炎舒缓功能，通过益生元和后生元的共同作用，扶持有益于皮肤健康的微生物，竞争性抑制致病菌的生长，同时利用生物多肽来抑制造成菌群紊乱的病原菌的增殖，恢复皮肤菌群平衡，再通过调节皮肤pH环境，降低皮肤炎症反应从而修复皮肤微生物屏障，提高皮肤的防御能力。

摘要：此处公开改善集成电路装置效能所用的源极/漏极接点间隔物与其形成方法。该方法包括蚀刻层间介电层以形成源极/漏极接点开口，其露出源极/漏极结构上的接点蚀刻停止层。沉积源极/漏极接点间隔物层，以部分地填入源极/漏极接点开口并覆盖层间介电层与露出的接点蚀刻停止层。蚀刻源极/漏极接点间隔物层与接点蚀刻停止层，延伸源极/漏极接点开口以露出源极/漏极结构。蚀刻步骤形成源极/漏极接点间隔物。方法包含形成源极/漏极接点至延伸的源极/漏极接点开口中露出的源极/漏极结构。源极/漏极接点形成于源极/漏极接点间隔物上，并填入延伸的

摘要：本发明公开了一种防脱生发组合物，包括如下重量份的组分：乳酸杆菌发酵产物0.1‑5份、菊粉0.1‑2份、α‑葡聚糖寡糖0.1‑2份、嘧啶‑3‑氧化物衍生物1‑5份、L‑2‑氧代噻唑烷‑4‑羧酸1‑5份、抗刺激剂0.1‑2份、pH调节剂0.1‑2份、抗菌剂0.1‑2份、水50‑80份。其通过对头皮微生态的调节，来维持头皮的菌群平衡，从而配合生发活性物发挥更大的作用。

摘要：本发明提供一种用于FinFET器件的鳍片切割方法及由此形成的FinFET器件和电子装置。本发明提供的用于FinFET器件的鳍片切割方法，在进行切割之前，在基板的上表面的伪鳍结构区域形成多个填充有硅褚化合物的填充区；然后在包含多个填充区的基板上形成多个鳍结构；最后去除底部包含有填充区材料的伪鳍结构；由于填充区材料对硅有很高的刻蚀选择性，所以可以从底部移除伪鳍结构；此外，由于是自对准过程，因此，没有鳍结构残留和丢失的风险。

摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有鳍部以及伪栅极结构，所述鳍部包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层，所述牺牲层的材料为硅锗，其中，邻接所述半导体衬底的牺牲层中锗的浓度高于其余牺牲层中锗的浓度，邻接所述半导体衬底的牺牲层的厚度高于其余牺牲层的厚度；所述牺牲层两侧形成凹部，其中，邻接所述半导体衬底的牺牲层两侧的凹部的深度大于其余牺牲层两侧的凹部的深度。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，使得环栅纳米片的叠层沟道结构中最下层的金属栅极长度变短，可以提高环栅纳米片的叠层沟道结构中最下层沟道的阈值电压。

摘要：本申请提供一种互连结构及其形成方法，该形成方法包括：提供前层结构和位于前层结构上的堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠的第一导电阻挡材料层、导电连线材料层、第二导电阻挡材料层、通孔连线材料层以及第三导电阻挡材料层；在第三导电阻挡材料层上形成第二掩膜层；刻蚀堆叠结构至暴露前层结构，其中，与第二掩膜层和第三掩膜层位置对应的第一导电阻挡材料层、导电连线材料层和第二导电阻挡材料层被保留并分别形成第一导电阻挡层、导电连线和第二导电阻挡层；与第三掩膜层位置对应的第三导电阻挡材料层和通孔连线材料层被保留并分别形成通孔连线和第三导电阻挡层。本申请的互连结构及其形成方法可以提高互连结构的良率。