摘要：一种具有单侧读取的双侧程序化的方法，此方法提供具有不同储存电荷量的氮化硅只读存储单元，并利用双位间不同的交互作用控制启始电压的操作窗。由于氮化硅只读存储器的启始电压操作窗的增加，并通过左位、右位、电荷量以及其双位的电荷位置的组合，可使氮化硅只读存储达到2位、4位、8位与16位的存储状态。

摘要：用于一多电平只读存储单元的预先编程确认电平是动态地产生。一项判定考虑一编程确认电平、一过度编程预算及一第二位效应预算，以产生预先编程确认电平。产生的预先编程确认电平消除过度编程、难以编程及第二位效应的关键问题所在。

摘要：一种具有可储存多个位的电荷陷入结构的存储单元。一个高临界偏压配置会施加在存储单元的电荷陷入结构的一部分上以储存高临界状态，且一个低临界偏压配置会施加在电荷陷入结构的其它部分上以提高其临界电压来储存低临界状态，但并不超过低临界状态的最高临界电压，以降低存储单元不同部分之间的读取干扰效应。在另一个电荷陷入式存储单元中，当一个高临界偏压配置施加在存储单元上以储存较高临界状态时，该偏压配置试图使存储单元的电荷陷入结构的所有部分储存较高临界状态。当一个低临界偏压配置施加在存储单元上以储存较低临界状态时，该偏压配置试图使存储单元的电荷陷入结构的所有部分储存较低临界状态，但并不超过低临界状态的最高临界电压。

摘要：一种电荷储存存储单元(如NROM或浮置栅极快闪存储单元)的自收敛编程电路和方法。该方法包括：从两个以上的待存储于存储单元的数据值中确定一个数据值，并将一组预定栅极电压电平中对应所述确定数据值的一个栅极电压施加到控制栅极。控制编程参数，建立一个由选定的栅极电压确定的自收敛的阈值状态。采用上述方式，阈电压对应存储单元的确定数据值收敛在目标阈值。在各个实施例中，减少或消除了编程校验操作，从而减少了编程操作的整体时间并提高了器件的性能。编程操作的第二部分可包括改善整个阵列阈值边际的校验操作。

摘要：一种多阶存储单元的编程方法，其先提供存储单元，此存储单元包括有第一存储位置与第二存储位置。然后，对此存储单元进行擦除步骤，以提高第一存储位置与第二存储位置的阈值电压值。接着，进行判断步骤，比较第一存储位置与第二存储位置所欲编程的第一编程状态与第二编程状态，以选择合适的编程的步骤。

摘要：本发明涉及结合嵌入式闪速存储器及物理可编程只读存储器的存储器结构。其中该物理可编程只读存储器可作为一个存储器结构。而闪速存储器则可作为错误更新单元、备份存储器或额外的存储器单元。该物理可编程只读存储器单元则堆叠于该闪速存储器上方，并以三维的物理可编程只读存储器结构增加物理可编程只读存储器的密度。

摘要：一种结合多个嵌入式闪速存储器的存储器结构。这些闪速存储器可以用于如错误校正单元或备用存储器或额外存储器单元。一方面，闪速存储器单元堆叠在闪速存储器单元的顶部，且这些闪速存储器单元共用栅极层。另一方面，这些对堆叠的闪速存储器单元互相堆叠，且每一对以绝缘氧化层绝缘。另一方面，这些对堆叠的闪速存储器单元以未绝缘的配置互相堆叠。

摘要：一种操作多个非挥发性多阶存储器单元的方法。此存储器单元具有至少第一、第二、第三及第四编程准位。每一编程准位对应于一相异的二进制状态且具有一临界电压分布。维持每一存储器单元的操作电压固定且变更施加于每一存储器单元的程序化脉冲的脉冲宽度以控制每一存储器单元的临界电压分布。

摘要：一种分栅金属-氮化物-氧化物-硅存储设备包括一薄介电层，该薄介电层位于存储器栅与氮化硅陷获层的间。薄介电层可以阻止低电场时的电荷损失，并且可以允许在高电场时发生空穴注入。

摘要：本发明公开一种单一内嵌多晶硅存储结构，其包括存取晶体管以及形成于硅衬底上的存储元件。此存取晶体管包括植入于硅衬底中的源极与漏极扩散区域、以及形成于硅衬底上并介于源极与漏极扩散区域之间的多晶硅控制栅极。此存储结构包括植入于硅衬底中的源极与漏极扩散区域、以及形成于此硅衬底上并介于源极与漏极扩散区域间的多晶硅浮动栅极；然而，此源极扩散区域包括双扩散结构。