摘要：8×8二维面阵SiC紫外光电探测器及其制备方法，探测器为金属‑半导体‑金属结构，在衬底上的Si面上外延生长N型SiC缓冲层并外延生长SiC非刻意掺杂i型层，刻蚀在i型层上形成斜面，在器件表面热生长二氧化硅层作为器件的钝化层；通过刻蚀钝化层形成叉指状电极窗口并制备Au或Pt高功函数金属电极，光刻、刻蚀和溅射形成面阵紫外探测器的64条金属‑半导体‑金属结构的SiC探测器像元独立电极焊盘和一条共用电极焊盘，在面阵器件上旋涂聚酰亚胺保护隔离层。对生长好的外延片进行RCA标准清洗，先后制备倾斜台面、钝化层、电极与焊盘，在面阵上旋涂聚酰亚胺，显影后去除光敏面与面阵焊盘的聚酰亚胺，烘烤。

摘要：用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器为p‑i‑n外延结构，在衬底的Si面上外延生长N型SiC缓冲层并作为p‑i‑n的N型欧姆接触层，在N型SiC缓冲层上外延生长i型层并作为光子吸收层，在i型层上外延一层P+型层并构成紫外探测芯片的p‑i‑n结构；在P+型层的钝化层上刻蚀P型电极窗口并设有P型电极和焊盘；在N型SiC缓冲层的钝化层上刻蚀N型电极窗口并设有N型电极与焊盘。对外延片清洗；先后制备隔离保护倾斜台面，红外信号的透过窗口，SiO2钝化层，P型电极、N型电极、P型焊盘和N型焊盘，红外抗反射层，得用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器。

摘要：减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法，涉及一种碳化硅表面刻蚀，尤其是涉及一种采用感应耦合等离子体技术实现碳化硅材料刻蚀过程中一种减少ICP刻蚀SiC表面损伤的新方法。提供一种新的减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法。其步骤为在SiC表面上涂敷光刻胶，经曝光、显影、腐蚀形成光刻掩膜层；在保留有光刻胶图形的SiC样品表面溅射沉积金属膜层，去除光刻胶掩膜层及其上的金属层，保留与SiC表面紧密接触的金属图形；将保留金属图形的SiC材料置于感应耦合等离子体刻蚀系统中进行第一次ICP刻蚀，实现SiC材料的图形化；再取出SiC材料，氮气吹洗，将SiC材料置于ICP刻蚀系统中，进行第二次ICP刻蚀。

摘要：本发明公开了一种倒T型埋栅结构的二维材料场效应晶体管及其制备方法，首先制备倒T型栅极栅帽和栅脚，然后制备栅介质及二维材料转移，并在衬底表面以平面光刻显影技术制备出隔离区图形，在衬底表面以平面光刻显影技术制备出源漏电极图形，制备出源漏电极；最后在衬底表面以电子束光刻显影技术制备出栅脚图形，与栅脚金属对准，以湿法腐蚀技术来将自对准法中连接源漏电极的金属从栅脚图形下断开，实现自对准，从而得到倒T型埋栅结构的二维材料场效应晶体管。本发明的栅脚栅长可以做到几十纳米量级，栅帽的金属可以使栅极的电阻减小，倒T型的结构使得栅极结构稳定，不会出现T型倒掉的情况。

摘要：本发明公开了一种离子注入氧化实现自对准石墨烯晶体管的制造方法，将复合金属膜同离子注入技术结合实现晶体管的自对准。本发明利用不同金属、石墨烯之间氧化性能的不同，以区域选择离子注入的方式实现栅介质的氧化，实现晶体管栅极和源/漏极的对准，可有效降低寄生、避免石墨烯裸露，制备高质量栅介质，提升石墨烯晶体管的频率特性。

摘要：本发明公开了一种实时全模拟动画电影制作平台，括度全息显示屏和桌面，所述度全息显示屏安装在桌面的前侧，所述桌面的中部设有凹槽，凹槽的上方设有显示屏，所述桌面的左右两侧均设有投影布，投影布的前侧设有投影仪，左侧投影仪的一侧设有扫描仪，所述桌面的中部设有缺口槽，缺口槽的左右两侧的侧壁上设有滑槽，滑槽的后端转动连接有承接板，本发明通过设置的360度全息显示屏，帮助设计者查缺补漏，进行实时模拟，辅助制作，并通过显示屏进行创作，扫描仪和投影仪展示手写稿，可以对显示屏、投影布的收放，灵活显示，本发明将生活区和工作区分离开，避免相互干扰，将生活用品放置在放置板上，避免杂乱和干扰。

摘要：一种多角度加工坐标计算及补偿方法，包括：控制所述探针探测用于固定产品的治具，并计算所述治具的坐标；控制所述探针探测所述产品，并计算所述产品的加工坐标；将所述产品的加工坐标与所述治具的坐标进行比对，判断产品偏移的误差量是否超出预设值；及自动计算所述产品在多个角度的加工坐标，并依据所述产品偏移的误差量分别补偿所述多个角度的加工坐标。本发明同时提出一种多角度加工坐标计算及补偿装置和存储设备。所述多角度加工坐标计算及补偿方法能够实现多个角度加工坐标的自动计算及补偿。

摘要：一种二氧化钛紫外光电探测器的制备方法，涉及一种半导体光电探测器件。提供一种器件暗电流较小的二氧化钛紫外光电探测器及其制备方法。探测器采用金属-半导体-金属结构，从下到上包括一层绝缘衬底，利用磁控溅射技术在绝缘衬底上沉积的多晶TiO2薄膜，用磁控溅射或电子束蒸发技术在TiO2薄膜上制备的叉指金属电极。采用优化溅射工艺参数沉积高质量多晶TiO2薄膜，沉积的薄膜具有理想的化学配比，高的致密度和结晶度。利用该薄膜为基体制备的MSM结构紫外探测器具有响应度高，暗电流小，紫外可见抑制比高等优点。制备过程简单，成本低，若在Si基衬底上制作，则可与成熟的Si工艺兼容，有利于光电集成，容易产业化。

摘要：本发明的目的是提供一种联幅布生产用撑杆，包括支撑杆，支撑杆的一端设置有撑面，撑面为半月状的弧形撑面，支撑杆的另一端设置有铰链，位于连接铰链一侧的支撑杆上设置有螺纹部分，螺纹部分上设置有调节螺母。通过在浸胶机的前干燥区、拉伸区、定型区各设置一个铰链支架，使用和收起比较方便快捷，并在铰链支架上通过铰链连接若干带有螺纹的支撑杆，通过调整调节螺母达到调节支撑杆压力的目的，操作比较简单快捷，并设置有半月状的弧形撑面，使得撑面能够与布匹保持良好的接触面，保持一定的拉伸张力，满足扩幅效果。本发明结构简单、安装和调节方便，能够有效、持续的对联幅布产生拉伸张力，保障联幅布的品质，保证生产的顺畅。

摘要：本发明的目的是提供一种新型工业布用浸胶槽，包括槽体和进胶管，所述进胶管的一端设置在槽体的内部，另一端连接在储胶桶下端，所述进胶管上设置有电磁阀，所述电磁阀设置有信号接收器，所述槽体中设置有浮漂，浮漂通过连接杆连接在位置开关上，所述位置开关控制信号发射器。通过浮漂和位置开关，对槽体中的胶液液面进行探测，进而控制进胶管进行进胶，并且通过同样的配置对储胶桶进行探测，避免胶液用完无人添加的问题，提高了工作效率，减少了人工，延长了设备的使用寿命。