摘要：本发明适用于陶瓷金属化技术领域，提供了一种用于微细孔陶瓷金属化前工序的高效自动涂敷设备，包括超声波发生器、真空泵、超声波换能器、超声波真空槽体(金属化槽），高/低位槽体等。发生器给换能器提供电源，换能器将电能转发为机械波，真空泵为系统提供真空环境，便于金属液浸入陶瓷微细孔，换能器为金属液提供乳化作用：破除金属液中的气体;热效应：增加金属液的流动性;空化效应：提高金属液与陶瓷的结合度和致密性.整个操作过程简便快捷，无需人工操作，提高了陶瓷金属化前工序涂敷的效率,降低了生产成本，将会给大功率LED光源封装，电池封装，继电器封装,光纤通讯，传感器，微电子等封装行业带来巨大的经济和社会效益。

摘要：示例性器件包括：前侧电源轨，设置在衬底的前侧上方；背侧电源轨，设置在衬底的背侧上方；外延源极/漏极结构，设置在前侧电源轨和背侧电源轨之间。外延源极/漏极结构通过前侧源极/漏极接触件连接至前侧电源轨。外延源极/漏极结构通过背侧源极/漏极通孔连接至背侧电源轨。背侧源极/漏极通孔设置在衬底中，并且介电层设置在衬底和背侧电源轨之间。背侧源极/漏极通孔延伸穿过介电层和衬底。前侧硅化物层可以位于前侧源极/漏极接触件和外延源极/漏极结构之间，并且背侧硅化物层可以位于背侧源极/漏极接触件和外延源极/漏极结构之间，从而使得外延源极/漏极结构位于硅化物层之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括具有前侧以及后侧的衬底、设置在所述衬底的所述前侧上的源极/漏极结构、包括用导电材料填充的沟槽的背侧通孔，所述沟槽暴露在所述衬底的背侧处、延伸穿过所述衬底、以及电耦合至所述源极/漏极结构，以及包括设置在所述衬底与所述背侧通孔之间并且将所述衬底与所述背侧通孔分隔的电介质材料的隔离层，其中所述隔离层选择性地覆盖在所述衬底与所述背侧通孔之间的所述沟槽的多个侧壁的第一部分，并且不覆盖所述沟槽的所述多个侧壁的第二部分。

摘要：本发明涉及一种形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法，具体为一种在具有主动区域的基底上形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法。该方法首先至少在栅极的第一部分上形成金属硅化物。并于该主动区域及该栅极上沉积金属。执行退火程序，使得该金属反应而在该主动区域上形成金属硅化物。本发明所述方法提供金属硅化过程中，对于栅极电极高度可更佳的控制，且可较低的栅极电极电阻、提高元件速度、降低或防止栅极电极的渗硼、及降低或消除耗尽效应，且避免了高阶面漏电流或尖突。

摘要：本发明是关于一种金属硅化栅极及其形成方法，其形成方法适用于具有至少一栅极以及多个主动区的一基底，包括下列步骤：借由一第一材料以于该些主动区上形成一第一金属硅化物，该第一金属硅化物具有一第一厚度；以及借由一第二材料以于该栅极内形成一第二金属硅化物，其中该第二金属硅化物具有一第二厚度，其中该第二厚度较该第一厚度为厚，且形成该第二金属硅化物时，该些主动区内的该第一金属硅化物具有阻障功能，可避免于该些主动区内产生金属二次硅化。本发明可明显改善其超浅接合结构的可靠度，可在不增加接合漏电流的情形下减少于主动区与栅电极的寄生电阻、片电阻、以及接触电阻，且可避免接合漏电流或尖峰放电情形。

摘要：一种在金氧半导体场效应电晶体(MOSFET)的源/漏极区中降低损坏形成的方法，该方法包含：提供一基板，该基板具有至少一栅极结构，该栅极结构包含：一栅极氧化层；一栅极电极层；及一源/漏极区，具有不纯物离子掺杂；植入一离子种类以产生非晶硅层；沉积一金属层在该源/漏极区中并进行反应；以及快闪退火处理该基板。本发明还公开了一种金氧半导体场效应电晶体和一种半导体元件的制造方法。本发明借由利用非晶硅化布植工艺、硅化镍工艺和快闪退火处理的系统和方法来减轻源/漏极区缺陷。

摘要：本公开涉及多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法。本文公开了用于增强多栅极器件(例如，鳍状场效应晶体管(FET)或栅极全环绕(GAA)FET)的性能的外延源极/漏极结构，以及制造外延源极/漏极结构的方法。一种示例性器件包括电介质衬底。该器件还包括沟道层、设置在沟道层之上的栅极、以及设置为与沟道层相邻的外延源极/漏极结构。沟道层、栅极和外延源极/漏极结构被设置在电介质衬底之上。外延源极/漏极结构包括具有第一掺杂剂浓度的内部部分和具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度的外部部分。内部部分与电介质衬底实体地接触，并且外部部分被设置在内部部分和沟道层之间。在一些实施例中，外部部分与电介质衬底实体地接触。

摘要：本公开提供了一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，形成半导体装置的例示性方法包括形成从基板的前侧延伸的鳍片结构，凹蚀鳍片结构的源极区以形成源极开口，在源极开口下方形成半导体插塞，平坦化基板以从基板的背侧露出半导体插塞，进行预非晶布植(pre‑amorphous implantation,PAI)制程使基板非晶化，用介电层替换非晶化基板，用背侧源极接触件替换半导体插塞。通过进行PAI制程，将晶体半导体非晶化且可实质上移除。因此，可有利地改善半导体结构的性能及可靠性。

摘要：提供半导体结构及其形成方法。在一实施例，一种例示方法包括：形成从基底的前侧延伸的鳍状结构；将鳍状结构的源极区凹陷以形成一源极开口；在源极开口的下方形成半导体插塞；从基底的背侧暴露半导体插塞；选择性移除基底的第一部分而未移除基底邻近半导体插塞的第二部分；在工件的底表面的上方形成背侧介电层；以背侧接触件替换半导体插塞；以及选择性移除基底的第二部分，以在背侧介电层与背侧接触件之间形成间隙。通过形成此间隙，可以有效地减少背侧接触件与邻近的栅极结构之间的寄生电容。

摘要：提供半导体结构与其形成方法。在一实施例中，例示性的半导体结构包括栅极结构位于主动区的通道区上；漏极结构位于主动区的漏极区上；源极结构位于主动区的源极区上；背侧源极接点位于源极结构下；隔离结构位于源极结构上并接触源极结构；漏极接点位于漏极结构上并电性耦接至漏极结构；以及栅极接点通孔位于栅极结构上并电性耦接至栅极结构。栅极接点通孔与漏极接点之间的距离，大于栅极接点通孔与隔离结构之间的距离。例示性的半导体结构的寄生电容减少且漏电流的容许范围加大。