摘要：本揭露提供了半导体装置结构和其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一层、第二层、第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层。所述第一层安置在所述衬底上并与所述衬底接触。所述第一层包含AlX1Ga(1‑X1)N，其中0.5≦X1<1。所述第二层安置在所述第一层上并与所述第一层接触。所述第二层包含Al、Ga和N。所述第一氮化物半导体层在所述第二层上。所述第二氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。

摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底(10)；III族氮化物过渡层堆叠(11)，其安置于所述衬底(10)上，所述III族氮化物过渡层堆叠(11)维持与所述衬底(10)的外延关系；第一III族氮化物层(121)，其安置于所述III族氮化物过渡层堆叠(11)上；和第二III族氮化物层(122)，其安置于所述第一III族氮化物层(121)上，所述第二III族氮化物层(122)具有大于所述第一III族氮化物层(121)的带隙能量的带隙能量，其中所述III族氮化物过渡层堆叠(11)包括第一过渡层(111)、所述第一过渡层(111)上的第二过渡层(112)以及所述第二过渡层(112)上的第三过渡层(113)，且其中所述第二过渡层(112)在所述第一过渡层(111)、第二过渡层(112)和第三过渡层(113)当中具有最小铝摩尔比。本发明还涉及形成此类半导体器件的方法。根据本发明的所述半导体器件有利地在所述第一III族氮化物层(121)中具有小于或等于1×109cm‑2的位错密度。

摘要：提供半导体器件结构和其制造方法。所述半导体器件结构包含衬底、所述衬底上的半导体层以及安置在所述衬底上且被所述半导体层覆盖的图案化电介质层。所述图案化电介质层经配置以防止所述半导体层中的成分扩散到所述衬底中。所述半导体器件结构还包含所述半导体层上的第一氮化物半导体层和所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。

摘要：本揭露提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和碳氮化物半导体层。第一氮化物半导体层在衬底上方。第二氮化物半导体层形成在第一氮化物半导体层上，并且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。碳氮化物半导体层位于衬底和第一氮化物半导体层之间。

摘要：本发明公开一种用于外延生长的晶圆承载盘及其使用方法，包括承载盘本体、环部和支撑部，承载盘本体包括第一部分和第二部分，第一部分的直径小于第二部分的直径；环部包括圆环形的底部及设置在底部上方的台阶部，底部贯穿设置在第一部分的外壁，且底部朝向台阶部的一侧面与第一部分的顶部齐平用以承载晶圆，底部背离台阶部的另一侧面与第二部分的顶部之间形成悬空部；支撑部嵌设在悬空部内，以降低环部在晶圆外延过程中的温度。本发明具有以下优点：承载盘本体与环部中间的部分，利用气体或热阻材料增加热阻降低热传导能力以至于减少生长过程中环部整体的温度，提高外延层的厚度及成分均匀性，降低晶圆片上的颗粒缺陷进而增加外延片的生产良率。

摘要：本发明公开了一种晶格过渡型氮化镓HEMT器件的外延层及制造方法，其中的外延层包括衬底、以及在所述衬底表面沿纵向依次层叠设置的AlN成核层、AlGaN缓冲层、超晶格缓冲层、AlGaN过渡层、高碳GaN层、低碳GaN沟道层、AlGaN势垒层和盖帽层。本发明中超晶格缓冲层与高碳GaN层之间插入AlGaN过渡层后，从较高铝含量的超晶格缓冲层先过渡到中等铝含量的AlGaN过渡层，然后再过渡到没有铝的高碳GaN层，减小了层与层之间的晶格失配，从而减小晶圆的形变与翘曲。

摘要：本发明公开了一种衬底上氮化镓HEMT器件的外延层及制造方法，其中的外延层包括衬底、以及在所述衬底表面沿纵向依次层叠设置的SiO2不连续层、AlN成核层、AlGaN层、缓冲层、高碳GaN层、低碳GaN沟道层、AlGaN势垒层和盖帽层，其中，所述SiO2不连续层的表面分布有随机无规律的类三角形，能使部分的所述衬底露出其表面。本发明衬底上被随机不规律的、类三角形形状的SiO2薄层不连续覆盖，在这样的衬底上生长HEMT结构降低了高碳GaN层和低碳GaN沟道层中GaN穿透位错的密度，使用这样低位错密度外延结构制备的HEMT功率器件的性能与可靠性得到了提升。

摘要：本申请提供了一种氮化镓HEMT器件的外延结构，从下至上依次包括缓冲层；原位氮化物层；第一高碳浓度层，所述第一高碳浓度层的碳浓度大于1018cm‑3；低碳浓度沟道层，所述低碳浓度沟道层的碳浓度小于1018cm‑3；势垒层。本申请实施例中原位氮化物层的存在可以阻挡外延结构的底层的位错继续向上延伸，同时也会促进位错的转弯湮灭。在合并形成平滑表面后再开始生长沟道层，这样不需要很厚的沟道层就可以获得平滑的外延结构的表面，进而提高关键层的界面质量，进而提升在此外延结构基础上制造的氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能与可靠性。

摘要：本申请提供了一种晶体管器件，包括：外延结构、形成在外延结构上的栅极；栅极包括P‑GaN栅极层、栅极金属层；所述栅极还包括形成在所述P‑GaN栅极层和所述栅极金属层之间的介质层和形成在所述介质层和所述P‑GaN栅极层之间的中间结构，所述中间结构包括至少一个P型III族氮化物层，所述P型III族氮化物层的禁带宽度大于所述P型GaN栅极层的禁带宽度；所述介质层用于将所述P型III族氮化物层和所述栅极金属层隔离。本申请实施例中P型III族氮化物层可以具有Al组分，P型III族氮化物层的禁带宽度大于P型GaN栅极层的禁带宽度，因此可以增加栅极耐压，增强栅极可靠性。介质层可以隔离P型III族氮化物层与栅极金属层，避免P型III族氮化物层与栅极金属层直接接触带来的界面缺陷，改善界面处的质量。

摘要：半导体器件包括第一基于III‑V族氮化物的层、第二基于III‑V族氮化物的层、基于氮化物的半导体层和基于氮化物的晶体管。第一基于III‑V族氮化物的层通过应用第一V/III比率设置在衬底上。第一基于III‑V族氮化物的层具有第一浓度的III族元素。通过应用小于第一V/III比率的第二V/III比率将第二基于III‑V族氮化物的层设置在第一基于III‑V族氮化物的层上。第二基于III‑V族氮化物的层具有小于第一浓度的III族元素的第二浓度。第二浓度沿着远离第一基于III‑V族氮化物的层的方向减小，使得第一浓度的第一方差小于第二浓度的第二方差。基于氮化物的半导体层设置在第二基于III‑V族氮化物的层上。