摘要：本发明提供一种精锻生产线的给水控制系统及其控制方法，该冷却纯水系统包括：水库、至少一条供水管、设备冷却进水管、设备冷却回水管，供水管的一端与水库连通，供水管的另一端与设备冷却进水管连通，供水管上依次设置有用于防止水回流的单向阀和用于抽水的第一抽水泵，第一抽水泵两端通过软连接管与供水管连接，软连接管用于防止第一抽水泵的持续振动损坏；本发明的优点是：能够实现温度根据需要自动控制，提高了效率，减少了设备维护成本，脱离了传统意义上的电路控制，实现了全水路自动控制，非常适合恶劣的工况环境下使用。

摘要：本申请公开一种价格确定及预测模型构建的方法、装置、设备及存储介质，其中，价格确定方法包括步骤：获取参与促销商品的属性信息、根据销量预测模型分析所述参与促销商品的属性信息，并确定所述参与促销商品的销量、获取决策变量和决策条件、根据所述决策条件、所述决策变量和所述参与促销商品的销量计算得到所述参与促销商品的促销价格。本申请能够构建不同门店的不同类型的商品对应的销量预测模型，进而使得更加精细化的销量预测模型对参与促销的商品进行销量预测，从而根据销量预测模型预测的销量计算得到参与促销商品的促销价格，本申请可用于对各品牌商、各零售商促销活动中的各商品进行定价，进而提高促销收益。

摘要：本申请涉及一种数据处理方法、模型建立方法、装置及电子设备，属于计算机技术领域。该方法包括在需要预测参与促销定价的N个产品使收益最大化的最优参数组合时，获取影响收益最大化的决策因子，决策因子包括：目标置信度和决策变量，决策变量包括：N个产品各自的输入参数以及各自的参数变量；针对每一个产品，利用事先训练得到的预测模型，获得该产品在不同参数下的目标置信度的置信区间，其中，根据该产品的输入参数以及对应的参数变量得到该产品的不同参数；根据该产品在不同参数下的目标置信度的置信区间，确定该产品的最优参数，从而得到使收益最大化的N个产品的最优参数组合。通过该方法使得求解出的最优解更准确。

摘要：本发明公开了一种二线制总线信号传输系统的批量测试装置及测试方法，测试装置包括上位机、总体控制单元、上行电流信号解析单元、下行通信电平发生单元、开关单元和按键选择控制单元；所述上位机与所述总体控制单元通讯相连，所述总体控制单元经按键选择控制单元与所述开关单元相连；所述总体控制单元分别经上行电流信号解析单元和下行通信电平发生单元与待测测试通道的二线制总线相连。本发明具有结构简单、测试效率高等优点。

摘要：本发明公开了一种带氰基的环状碳酸酯制备方法，包括以下步骤：一、先将氯代二醇、碳酸二甲酯、第一催化剂投入反应釜回流反应，反应温度控制在70～90℃，混合搅拌升温回流反应2‑4h；之后，滴加尚未投料的氯代二醇与碳酸二甲酯形成的混合液，同时将低沸蒸出，反应完毕，后处理得氯代烷基二氧杂环酮；二、向反应釜中投入氰基化试剂、第二有机溶剂、第二催化剂、噁唑啉类化合物，滴加氯代烷基二氧杂环酮，反应过程中控制温度在70～80℃，反应完毕，中和至弱碱性，后处理得产品，本发明的优点在于：工艺路线简单，步骤少，提纯难度低，产物纯度高，可达99%以上。

摘要：本发明提供了一种测试固体介质应力张量的装置及方法，该装置包括应力张量测量球和数据采集仪；所述应力张量测量球埋设于固体介质内部的指定位置；所述数据采集仪匹配设置在固体介质的外部，其一端通过数据线连接所述应力张量测量球，用于采集所述应力张量测量球的准静态及动态的应变数据。本发明可通过多个方向的轴向应变测量解算出应力张量的多个独立应力分量，解决了传统应力测量方法仅能测量轴向应力分量或剪应力测量精度低的问题。

摘要：一种集成电路芯片，包括：半导体基板，其上具有多层金属层间绝缘层及分别嵌于多层金属层间绝缘层之间的多层铜金属层；第一保护层，覆盖于多层金属层间绝缘层及多层铜金属层之上；第一电源/地环，形成于多层铜金属层的最上层中，其中第一电源/地环属于集成电路芯片的一个电路区块；第二电源/地环，形成于第一保护层上的铝金属层中，且第二电源/地环同属于集成电路芯片的上述电路区块；以及第二保护层，覆盖第二电源/地环及第一保护层。上述集成电路芯片可以降低集成电路芯片器件的电压降并且提高芯片的性能。

摘要：本发明提供了一种用于检测物质致敏性以及用于皮肤外用免疫调节药物的筛选或药效学评价的人工表皮体外模型，所说的模型是由人工表皮与单核细胞系细胞共培养而得。本发明的人工表皮体外模型具有如下技术效果：1、通过检测模型中相关细胞因子及细胞表面标记物的变化，可评价各种化合物、皮肤外用制剂及化妆品的致敏性；在判断物质致敏性时，具有很高的敏感度、特异性和准确性，检测方法简单，应用范围广；2、可以用于皮肤外用免疫调节药物的筛选或药效学评价；3、模型构建成本低，批间差异小，质量容易控制；4、模型所用的材料易得，便于规模化生产。

摘要：一种集成电路芯片，包括：半导体基板，其上具有多层金属层间绝缘层及分别嵌于多层金属层间绝缘层之间的多层铜金属层；第一保护层，覆盖于多层金属层间绝缘层及多层铜金属层之上；第一电源/地网状内连接网络，形成于多层铜金属层的最上层中，其中第一电源/地网状内连接网络属于集成电路芯片的一个电路区块；第二电源/地网状内连接网络，形成于第一保护层上的铝金属层中，且第二电源/地网状内连接网络同属于集成电路芯片的上述电路区块；以及第二保护层，覆盖第二电源/地网状内连接网络及第一保护层。上述集成电路芯片可以降低集成电路芯片器件的电压降并且提高芯片的性能。

摘要：K_0.5Na_0.5NbO₃单晶的制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的铌酸钾钠单晶尺寸较小、内应力大的技术问题。本方法如下：将K₂CO₃粉末、Na₂CO₃粉末和Nb₂O₅粉末混合放入坩埚内加热，再在生长炉中生长，采用顶部籽晶助熔剂法，在籽晶杆转速为10～25r/min的条件下旋转到单晶放肩至8mm～12mm，然后在提拉速度为2～2.5mm/h的条件下将单晶提拉至12mm～25mm，再将单晶提出，降至室温，即得。本发明的铌酸钾钠的单晶尺寸可为11mm×11mm×15mm。实现了缺陷少，漏电流小、压电常数大的铌酸钾钠单晶的制备。本发明属于单晶的制备领域。