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发明专利:19实用新型: 0外观设计: 0
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申请号:201810945668.1 公开号:CN110246962A 主分类号:H01L43/08
申请人:东芝存储器株式会社 申请日:2018.08.20 公开日:2019.09.17
发明人:园田康幸
摘要:实施方式涉及磁存储装置(magnetic memory device)及其制造方法。磁存储装置具备下部结构、层叠结构及第1侧壁绝缘层,所述层叠结构设置在所述下部结构上并包括:第1磁性层,所述第1磁性层具有可变的磁化方向;第2磁性层,所述第2磁性层具有固定了的磁化方向;以及非磁性层,所述非磁性层设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间,所述第1侧壁绝缘层沿着所述层叠结构的侧壁设置且其上端位于比所述非磁性层的上表面低的位置。
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申请号:201810993741.2 公开号:CN110246963A 主分类号:H01L43/08
申请人:东芝存储器株式会社 申请日:2018.08.29 公开日:2019.09.17
发明人:园田康幸
摘要:本发明提供半导体存储装置及其制造方法。根据一实施方式,半导体存储装置具备:基板;层叠体,其包括设置于所述基板的上方的电阻变化元件、和设置于所述电阻变化元件的上方的金属层;第一绝缘层,其设置于所述层叠体的侧面;第二绝缘层,其设置在所述第一绝缘层上;以及电极,其在所述第二绝缘层内沿层叠方向延伸,且设置在所述金属层上以及所述第一绝缘层上,所述电极的层叠方向上的下表面具有比所述层叠体的层叠方向上的上表面的直径大的直径,所述电极的最下部与所述金属层的最上部在层叠方向上位于相同的位置。
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申请号:201910737862.5 公开号:CN111755599A 主分类号:H01L43/12
申请人:东芝存储器株式会社 申请日:2019.08.12 公开日:2020.10.09
发明人:园田康幸
摘要:实施方式提供一种更高性能的存储装置和存储装置的制造方法。实施方式涉及的存储装置的制造方法包括在基底之上隔开间隔形成第1层叠体以及第2层叠体。形成具有第1层叠体的侧面上的第1部分、第2层叠体的侧面上的第2部分、以及第1层叠体与第2层叠体之间的基底之上的第3部分的第1绝缘体。利用离子束,一边使第1绝缘体的第3部分残留,一边使第1绝缘体的第1部分的一部分和第2部分的一部分变薄。在第1绝缘体的第1部分与第1绝缘体的第2部分之间形成第2绝缘体。
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申请号:202110205075.3 公开号:CN113496730A 主分类号:G11C11/16
申请人:铠侠股份有限公司 申请日:2021.02.24 公开日:2021.10.12
发明人:园田康幸
摘要:实施方式提供可靠性高的磁存储装置。实施方式的磁存储装置包括:层叠体、层叠体的侧面上的第一氮化物、第一氮化物的侧面上的第一层、第一层的侧面上的第二层、层叠体上的第一电极及第二层的侧面上的第二氮化物。层叠体包括:第一铁磁性层、第二铁磁性层及第一铁磁性层与第二铁磁性层之间的绝缘层。第二层在第一层的上表面的上方与第一层相接。
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申请号:201811030495.7 公开号:CN110277491A 主分类号:H01L43/12
申请人:东芝存储器株式会社;SK;海力士公司 申请日:2018.09.05 公开日:2019.09.24
摘要:本公开提出制造半导体存储器设备的方法。根据一个实施例,在基板上形成绝缘层。在绝缘层中形成孔。在孔中形成金属层以填充孔。通过采用具有第一角度的离子束进行蚀刻来移除绝缘层的表面和金属层的表面,该离子束以第一蚀刻速率蚀刻绝缘层和金属层二者。在金属层上形成电阻变化元件。
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申请号:201910176428.4 公开号:CN110911547A 主分类号:H01L43/02
申请人:【中文】东芝存储器株式会社【EN】TOSHIBA MEMORY Corp. 申请日:2019.03.08 公开日:2020.03.24
摘要:【中文】本发明提供一种磁存储装置及其制造方法。实施方式涉及磁存储装置及其制造方法。一个实施方式的磁存储装置具备:下部结构;层叠结构,其是下部结构上的层叠结构且包括第一铁磁性体、第二铁磁性体以及第一铁磁性体与第二铁磁性体之间的非磁性层;层叠结构的侧壁上的第一绝缘层;第一绝缘层上的第一间隔层;第一间隔层上的第二绝缘层;第二绝缘层上的第二间隔层;以及第二间隔层上的第三绝缘层。 【EN】The invention provides a magnetic storage device and a manufacturing method thereof. Embodiments relate to a magnetic memory device and a method of manufacturing the same. A magnetic storage device according to one embodiment includes: a lower structure; a stacked structure that is a stacked structure on a lower structure and includes a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and a non-magnetic layer between the first ferromagnetic body and the second ferromagnetic body; a first insulating layer on a sidewall of the stacked structure; a first spacer layer on the first insulating layer; a second insulating layer on the first spacer layer; a second spacer layer on the second insulating layer; and a third insulating layer on the second spacer layer.
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7:[发明] 洗衣机
申请号:202080009872.8 公开号:CN113330155A 主分类号:D06F37/30
申请人:三星电子株式会社 申请日:2020.01.16 公开日:2021.08.31
摘要:提供了洗衣机和适于洗衣机的驱动器(例如,驱动单元)。驱动器包括用于使由单元基座支承的轴旋转的电机以及介于轴和电机之间的减速器。电机和减速器一体地形成为沿着与旋转轴线垂直的方向在直线上对准。
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申请号:201580064490.4 公开号:CN107210626A 主分类号:H02K1/14(2006.01)I
申请人:三星电子株式会社 申请日:2015.11.26 公开日:2017.09.26
摘要:本发明涉及一种制造爪极式电动机的方法,可以电动机和包括爪极式电动机的家用电器的振动和噪声。公开了一种家用电器,其包括爪极式电动机,包括:第一芯部,包括设置在旋转轴上的第一芯部主体、设置在第一芯部主体的中心部分并且沿着旋转轴的轴线方向延伸的第一伸长部分、以及设置在第一芯部主体的边缘部分中并且沿着旋转轴的轴线方向延伸的多个第一爪极;第二芯部,包括设置在旋转轴上的第二芯部主体、以及设置在第二芯部主体的边缘部分中并沿着旋转轴的轴线方向延伸的多个第二爪极;以及第三芯部,包括设置在旋转轴上的第三芯部主体、设置在第三芯部主体的中心部分并且沿着旋转轴的轴线方向延伸的第二伸长部分、以及设置在第三芯部主体的边缘部分并且沿着旋转轴的轴线方向延伸的多个第三爪极,其中,第二芯部还包括设置在第二芯部主体的中心部分并且围绕第一伸长部分和第二伸长部分的围绕构件。
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申请号:200710139708.5 公开号:CN101114466 主分类号:G11B5/84(2006.01)I
申请人:株式会社东芝 申请日:2007.07.27 公开日:2008.01.30
摘要:根据一个实施例,提供一种制造磁记录介质的方法,该方法包括在基底(11)上沉积磁性层(13),并处理所述磁性层(13)以形成凸起的磁图形(13),在所述磁图形(13)之间的凹陷处和在所述磁图形(13)之上沉积平坦化层(16),以及在所述平坦化层(16)的表面上形成台阶。
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申请号:01118648.8 公开号:CN1334694 主分类号:H05H1/26
申请人:松下电工株式会社 申请日:2001.06.06 公开日:2002.02.06
摘要:提供一种等离子体处理设备和一种等离子体处理方法,使用等离子体以高速均匀地处理物体。它包括:一个具有侧向延长横截面的管状容器;一对电极,当AC电压或脉冲电压之一加到电极之间时,电力线大体上在管状容器的轴向;一个气体供应源,用来给管状容器提供流光产生气;一个电源,用来给电极之间提供电压以在管状容器里产生气体的多种流光;和一个等离子体均匀装置,用来使多种流光在管状容器侧向延长横截面的侧向均匀。
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