当前查询到71条专利与查询词 "姚景柏"相关,搜索用时0.7031071秒!排序方式:
发明专利:50实用新型: 21外观设计: 0
50 条,当前第 1-10 条 下一页 最后一页 返回搜索页
申请号:201910873132.8 公开号:CN110498153A 主分类号:B65F1/08
申请人:杨亚兴;柏小乔;姚景媛 申请日:2019.09.17 公开日:2019.11.26
摘要:一种可移动的垃圾粉碎处理车,能够对大体积的垃圾进行分割、粉碎、碾压使其体积显著缩小,方便收集。较好的解决了行驶中的火车、飞行的飞机在旅途中垃圾占用空间较大的技术问题。本实施例由电器部分、垃圾粉碎部分、可移动的垃圾收集车主体三部分组成,其中电气部分包括:电气控制开关2、蓄电池组5、带皮带轮的电动机3以及连接导线;垃圾粉碎部分包括:传动带4、滚刀总成6、滚刀总成轴承座13、连接螺栓14、扇形梳子板12、平衡弹簧9、弹簧座10、锁紧螺母11、轴承座7、螺丝8;可移动的垃圾收集车主体部分包括:垃圾车车架1、平开门15、垃圾收集箱16、车轮17。
详细信息 下载全文

申请号:202011584779.8 公开号:CN112615750A 主分类号:H04L12/24
申请人:广州西麦科技股份有限公司 申请日:2020.12.28 公开日:2021.04.06
摘要:本发明公开一种基于SDN的骨干网流量粒度调整系统和方法,系统包括SDN控制器、业务流量调度应用以及白牌物理设备,SDN控制器和白牌物理设备相连接,能够通过网络连接互相访问,业务流量调度应用与SDN控制器相连接,业务流量调度应用通过SDN控制器实现与白牌物理设备相互访问,SDN控制器、业务流量调度应用、白牌物理设备构成一个网络,SDN控制器针对不同的数据包下发相应的OpenFlow流表规则到白牌物理设备上,白牌物理设备根据OpenFlow流表规则将数据发送到不同的设备和链路进行转发。
详细信息 下载全文

申请号:201810853656.6 公开号:CN109038221A 主分类号:H01T4/10(2006.01)I
申请人:华格电子(昆山)有限公司;西安交通大学 申请日:2018.07.30 公开日:2018.12.18
摘要:气体环境下具有插拔功能的主动型过电压保护间隙,包括气压为100~103或104~5×105Pa的腔体,腔体内设置有上电极、环状中间电极之间构成的放电间隙,在腔体内安装有圆盘状触发电极,触发电极与中间电极之间安装有环状绝缘介质材料,触发电极、表面绝缘介质材料和中间电极之间构成主动型过电压保护间隙的表面放电触发器即形成表面闪络放电界面,表面闪络放电界面与中间电极的下表面垂直或成锐角,同时在上电极、中间电极周围的上绝缘壳体内安装有屏蔽罩。上电极、中间电极、触发电极均伸出对外电气连接的插头。本发明可以降低过电压保护间隙的脉冲击穿电压,且具有极快的响应特性、较强的工频续流抑制能力和较长的使用寿命。
详细信息 下载全文

申请号:201810853657.0 公开号:CN109038222A 主分类号:H01T4/12(2006.01)I
申请人:华格电子(昆山)有限公司;西安交通大学 申请日:2018.07.30 公开日:2018.12.18
摘要:真空环境下具有插拔功能的主动型过电压保护间隙,包括真空度为10‑1~10‑5Pa,腔体内设置有上电极、环状中间电极之间构成的放电间隙,在腔体内安装有圆盘状触发电极,触发电极与中间电极之间安装有环状绝缘介质材料,触发电极、表面绝缘介质材料和中间电极之间构成主动型过电压保护间隙的表面放电触发器即形成表面闪络放电界面,表面闪络放电界面与中间电极的下表面垂直或成锐角,同时在上电极、中间电极周围的上绝缘壳体内安装有屏蔽罩。上电极、中间电极、触发电极均伸出对外电气连接的插头,使得本发明的主动型过电压保护间隙具有插拔功能。本发明可以降低过电压保护间隙的脉冲击穿电压,且具有极快的响应特性、较强的工频续流抑制能力和较长的使用寿命。
详细信息 下载全文

申请号:201910969569.1 公开号:CN110535888A 主分类号:H04L29/06
申请人:广州西麦科技股份有限公司 申请日:2019.10.12 公开日:2019.12.03
摘要:本发明实施例涉及SDN技术领域,提供的一种端口扫描攻击检测方法及相关装置,所述方法包括:接收SDN交换机发送的多个采样报文;计算特征字段的熵值及熵值阈值;依据熵值及熵值阈值,判断是否存在网络异常;当存在网络异常时,确定多个采样报文中至少一对端到端通信的通信报文及通信报文数量;当端到端通信的通信报文数量小于预设统计阈值时,确定存在端口扫描攻击;当存在端口扫描攻击时,依据至少一对端到端通信的通信报文,从多个主机中确定发起端口扫描攻击的攻击主机。由于当存在网络异常时再对采样报文进行详细分析,从中确定发起端口扫描攻击的攻击主机,由此可以避免不必要的详细分析带来的时间消耗,提高了检测效率。
详细信息 下载全文

申请号:202011579475.2 公开号:CN112615763A 主分类号:H04L12/26
申请人:广州西麦科技股份有限公司 申请日:2020.12.28 公开日:2021.04.06
摘要:本发明公开一种基于SPFA算法的网络时延编排系统和方法,系统包括SDN网络编排器、物理设备、安全防护设备、数据采集服务器和数据分析服务器,所述的SDN网络编排器和物理设备、数据分析服务器之间相互连接,能够通过网络相互访问;所述的物理设备和数据采集服务器、数据分析服务器之间相互连接,能够通过网络相互访问,利用SDN架构技术,对网络设备的行为和能力进行抽象,利用数据采集器对抽象后的网络设备进行数据采集,再将采集到的数据传输给数据分析器,数据分析器对这些数据进行分析处理后,将网络的流量、带宽和发包情况通过编排器形象的展现在用户面前,然后编排器通过自动化设定或用户设定对设备进行编排。
详细信息 下载全文

申请号:202311041644.0 公开号:CN117117778A 主分类号:H02H3/02
申请人:华格电子(昆山)有限公司;西安交通大学 申请日:2023.08.18 公开日:2023.11.24
摘要:本发明公开一种具有自动复位电磁驱动机械机构的开关型过电压保护组件,包括开关型过电压保护元件、自动复位电磁驱动机械机构和辅助电路;当发生过电压时,流经开关型过电压防护器件中的脉冲电流,在电磁驱动机械机构的上金属盘感应出与下电磁驱动盘的螺旋导体线圈中方向相反的电流,在下电磁驱动机构的上金属盘中感应出与下电磁驱动盘之间产生电磁斥力,从而使电磁驱动机械机构的常闭触头分断,有效抑制后续工频或直流电弧对开关型过电压保护元件的持续作用,提升开关型过电压保护元件的抗续流能力和过电压防护能力,延长开关型过电压保护元件的使用寿命。
详细信息 下载全文

申请号:202510421299.6 公开号:CN119936542A 主分类号:G01R31/00
申请人:山西泰诺博锐隧道设备有限公司 申请日:2025.04.07 公开日:2025.05.06
摘要:本申请公开了一种盾构机电气部件检测方法及装置,本申请属于检测技术领域。该方法包括:获取盾构机电气部件的温度数据、振动数据以及电流数据;计算在各预设数据采集时间点盾构机电气部件的温度数据、振动数据以及电流数据的动态均值、动态协方差矩阵以及动态状态偏差度;若存在超过预设的动态状态偏差度阈值的动态状态偏差度,生成预警信息。本方案定期获取温度、振动和电流数据,能够及时捕捉到电气部件的状态变化,从而快速响应潜在故障。利用动态均值和协方差矩阵对数据进行分析,使得故障检测更为准确,减少误报和漏报的概率。一旦检测到异常,能迅速确定目标故障数据,帮助维护人员快速定位问题,减少故障排查时间。
详细信息 下载全文

申请号:201811276567.6 公开号:CN109300791A 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:常州工学院 申请日:2018.10.30 公开日:2019.02.01
摘要:本发明公开了一种新型薄膜晶体管的制备方法,首先在单晶硅衬底上利用磁控溅射技术制备一层绝缘状态的锡酸钡薄膜作为栅极氧化物,然后再在绝缘锡酸钡薄膜上制备一层半导体特性的锡酸钡薄膜,最后再使用磁控溅射技术制备ITO透明导电电极以作为晶体管的源极和漏极,硅衬底作为栅极。通过控制锡酸钡的导电特性,分别利用绝缘性的锡酸钡作为栅极氧化层,利用半导体性的锡酸钡作为半导体激活层,成功避免了锡酸钡和硅晶格参数不匹配的问题,从而使用易于产业化的磁控溅射技术制备出锡酸钡薄膜晶体管。
详细信息 下载全文

申请号:201811277366.8 公开号:CN109411533A 主分类号:H01L29/51(2006.01)I
申请人:常州工学院 申请日:2018.10.30 公开日:2019.03.01
摘要:本发明公开了一种高介电常数栅极氧化物非晶IGZO薄膜晶体管的制备方法,首先在单晶硅衬底上利用磁控溅射技术制备一层高介电特性的状态的钛酸锶薄膜作为栅极氧化物,然后再在绝缘锡酸钡薄膜上制备一层半导体特性的非晶态IGZO薄膜,最后再使用磁控溅射技术制备ITO透明导电电极以作为晶体管的源极和漏极,硅衬底作为栅极。通过采用高介电常数的钛酸锶薄膜作为栅极氧化物绝缘层,有效降低采用传统氧化硅带来的晶体管漏电流过热问题,从而提高晶体管的稳定性和寿命。
详细信息 下载全文

50 条,当前第 1-10 条 下一页 最后一页 返回搜索页