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1:
[发明]
湿度智能检测和显示仪
申请号:
200910052812.X
公开号:CN101571412 主分类号:G01D21/00(2006.01)I
申请人:
上海电机学院
申请日:2009.06.09 公开日:2009.11.04
发明人:
苏丹萍
;
冯 澜
;
姜 薇
;
吕文彬
摘要:本发明的湿度智能检测和显示仪包括箱体、设置在箱体后面板上的电源插座和保险丝座、设置在箱体内前面板上的数码显示电路板以及设置在箱体内的湿度传感器、交直流电源转换电路板和主电路板;所述电源插座与保险丝座连接;所述保险丝座与交直流电源转换电路板的输入端连接,所述交直流电源转换电路板的输出端分别与湿度传感器、主电路板连接;所述湿度传感器与主电路板的输入端连接,所述主电路板的输出端与数码显示电路板连接。本发明的湿度智能检测和显示仪检测精度高,抗干扰能力强,结构简单,成本低,适用于办公室、医院、家庭等室内场所。
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2:
[发明]
利用激光偏振选择性烧蚀结合酸蚀制备微通道的方法
申请号:
201410830142.0
公开号:CN104625438A 主分类号:
申请人:
中自高科(苏州)光电有限公司
申请日:2014.12.29 公开日:2015.05.20
发明人:
姜澜
;
冯品
;
李欣
;
戎文龙
摘要:本发明涉及一种利用飞秒激光偏振选择性烧蚀结合化学酸蚀高效率制备微通道的方法,属于飞秒激光应用技术领域,本发明中针对晶态材料特性,通过调节激光偏振参数与材料晶轴夹角,进而调控激光与材料相互作用过程中的局部瞬时电子动态,诱导激光加工区域材料改性,之后辅助化学酸蚀,从而提高微通道的加工效率和加工精度,本方法简单高效,在微流体加工领域有重要研究意义。
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3:
[发明]
案情分析方法、装置、终端及可读存储介质
申请号:
202410860292.X
公开号:CN118821943A 主分类号:G06N5/04
申请人:
法圈圈网络科技(深圳)有限公司
申请日:2024.06.28 公开日:2024.10.22
发明人:
姚亚澜
;
姜文浩
;
赵宇航
;
姜铁
摘要:本发明提供案情分析方法、装置、终端及可读存储介质,其中方法包括:获取待分析案件的案情描述;分析及提取所述案情描述的案件关键信息;从法律知识图谱中搜索与所述案件关键信息相关的知识;其中,所述知识包括法律条款、法院、案件,以及所述法律条款之间的引用关系、所述案件的实体和关系信息、所述案件与所述法律条款之间的适用关系、所述法院与所述案件之间的审理关系;调用适配于所述案情描述和所述知识的推理模型,对所述待分析案件进行推理分析,生成待分析案件的案情分析、案件结果预测以及法律意见中至少两种。本发明通过提高获取数据的完备性和准确度,以及适配案情描述和对应知识的推理模型,能够提高案件分析的效率和准确性。
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4:
[发明]
法律咨询方法、装置、终端及可读存储介质
申请号:
202410860288.3
公开号:CN119046413A 主分类号:G06F16/332
申请人:
法圈圈网络科技(深圳)有限公司
申请日:2024.06.28 公开日:2024.11.29
发明人:
姚亚澜
;
姜文浩
;
赵宇航
;
姜铁
摘要:本发明提供法律咨询方法、装置、终端及可读存储介质,其中方法包括:响应于用户终端发送的携带至少一个描述的法律咨询请求,确定每个描述涉及的法律问题、意图和关键信息;从预设的法律数据集中搜索与描述涉及的法律问题、意图和关键信息相关联的知识点,并根据所述知识点生成对每个描述的回复结果;其中,若当前描述所涉及的法律问题并非首次输入的法律问题,则根据历史描述的相关信息对知识点进行补充;法律数据集包括至少两个数据:原始法律数据、法律问答数据、法律知识图谱数据、开源通用数据,以及用户标注数据。本发明通过确定用户的法律问题、意图和关键信息,快速、准确且连贯地向用户提供相应的法律资源及相应的服务。
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5:
[发明]
一种深度处理焦化废水生化尾水的方法
申请号:
201210039460.6
公开号:CN102583847A 主分类号:C02F9/08(2006.01)I
申请人:
南京大学
申请日:2012.02.21 公开日:2012.07.18
发明人:
潘丙才
;
杨文澜
;
吕路
;
张炜铭
;
姜英男
摘要:本发明公开了一种深度处理焦化废水生化尾水的方法,属于废水深度处理与回用领域。它是选用聚合硫酸铁(PFS)和聚丙烯酰胺(PAM)作为絮凝剂对焦化废水生化尾水进行预处理,废水经沉淀分离、过滤后,出水通过装有环境功能纳米复合材料的填充柱,从而实现焦化废水的深度处理;当吸附达到穿透点时停止吸附,用氢氧化钠水溶液作为脱附剂,进行脱附再生;得到的高浓度脱附液经浓缩后,外送焚烧或者用于生产水煤浆,低浓度脱附液用于配制氢氧化钠水溶液套用于下一批脱附操作。本发明操作工艺简单,成本低廉,在产生环境效益的同时又产生经济效益。本发明可为焦化尾水的深度处理与综合利用提供重要的保障。
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6:
[发明]
确定闵可夫斯基维数的方法及设备
申请号:
201811644995.X
公开号:CN109801332A 主分类号:G06T7/62
申请人:
湖北大学
申请日:2018.12.29 公开日:2019.05.24
发明人:
王新生
;
姜友华
;
唐文澜
;
薄乾祯
摘要:本发明实施例提供了一种确定闵可夫斯基维数的方法及设备。所述方法包括:根据衰减系数确定盒子边长的个数和非空盒子的个数,以所述盒子边长和非空盒子的个数为基础,获取目标图形的尺度,将所述目标图形的尺度作为纵轴,所述盒子边长的个数作为横轴,构成散点图,结合分形维度的尺寸组阈值,得到分形维度的尺寸组;根据所述分形维度的尺寸组,获取闵可夫斯基维数。本发明实施例提供的确定闵可夫斯基维数的方法及设备,通过确定目标图形的尺度,并根据尺度构成散点图,结合分形维度的尺寸组阈值,得到分形维度的尺寸组,根据分形维度的尺寸组得到闵可夫斯基维数,可以获得精确的闵可夫斯基维数,避免不必要的闵可夫斯基维数的误差。
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7:
[发明]
加工控制方法、控制装置、加工控制系统及存储介质
申请号:
202010673185.8
公开号:CN111781897A 主分类号:G05B19/416
申请人:
上海柏楚电子科技股份有限公司
申请日:2020.07.14 公开日:2020.10.16
发明人:
万章
;
龚澜希
;
章伟杭
;
姜浩文
摘要:一种加工控制方法、控制装置、加工控制系统及存储介质。该加工控制方法,应用于控制装置,包括:获取控制加工设备操作的加工参数以及用于加工设备的光源的光源控制选择函数;获取加工设备的当前加工数据;基于加工设备的当前加工数据和加工参数,判断是否调整用于光源的光源出光控制信号;在调整用于光源的光源出光控制信号的情况下,则基于当前加工数据以及光源控制选择函数,调整光源出光控制信号,且基于光源出光控制信号控制光源出光以对工件进行加工。该加工控制方法可以通过实时调节光源的输出能量来实现加工过程中光源出光能量的均匀输出。
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8:
[发明]
一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法
申请号:
202010987011.9
公开号:CN112176408A 主分类号:C30B29/18
申请人:
烁光特晶科技有限公司
申请日:2020.09.18 公开日:2021.01.05
发明人:
张绍锋
;
张璇
;
孙志文
;
姜秀丽
;
刘巨澜
摘要:本发明公开了一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法,包括:包括如下步骤:选取人造石英块状籽晶;在籽晶+x晶向开槽,将籽晶制成U型籽晶块;将优质石英原料破碎成块状,经过水洗、碱洗、水洗稀释、烘干,放入高压釜下部溶解区;将籽晶块腐蚀后,用挡板遮挡U型块状籽晶两侧和底面,U型槽开口向下悬挂在晶体生长架上,将晶体生长架放入高压釜内上部生长区;待U型槽内部填满,形成人造石英晶体完整外形后停止生长,去除籽晶原有U型部分,提取U型槽内新填充部分石英晶体,得到低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶。本发明能够解决低腐蚀隧道密度人造石英晶体生长的籽晶需求,满足晶振元件微型化、高频化QMEMS制造工艺应用。
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9:
[发明]
一种震后可修复的装配式异形柱-梁连接节点
申请号:
202010986068.7
公开号:CN112302166A 主分类号:E04B1/24
申请人:
北京工业大学
申请日:2020.09.18 公开日:2021.02.02
发明人:
姜子钦
;
李祥源
;
刘澜涛
;
陈鑫
;
王汉文
摘要:本发明公开了一种震后可修复的装配式异形柱‑梁连接节点,属于结构工程技术领域,本发明的梁柱节点连接装置由异形柱、带端板的工形梁、削弱连梁段、角钢和高强螺栓群组成。钢构件的制作和焊接部分在工厂内完成,焊接质量容易控制,施工现场仅需将预制好的构件吊装并通过螺栓连接。震后仅需拆卸螺栓和角钢即可实现波纹板和削弱连梁的更换,修复难度低。本发明的连接节点同时具备力学性能和实用性能上的优点:在力学性能方面,本发明充分了利用异形柱的承载能力和抗侧刚度,具有良好的抗震性能;在实用性能方面,本发明着重实现快速装配理念和解决房屋中“突柱”问题。
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10:
[发明]
一种深紫外高透过石英晶体制造方法
申请号:
202110082024.6
公开号:CN112899778A 主分类号:C30B29/18
申请人:
烁光特晶科技有限公司
申请日:2021.01.21 公开日:2021.06.04
发明人:
张绍锋
;
张璇
;
孙志文
;
姜秀丽
;
刘巨澜
摘要:本发明公开了一种深紫外高透过石英晶体制造方法。涉及人工晶体技术领域。本发明包括以下步骤:挑选无条纹石英晶体籽晶腐蚀后,水平悬挂固定在晶体生长架上,籽晶上表面贴膜遮挡;制备高纯石英块状原料;高压釜内用节流隔板分成上下两个区域加入矿化剂密封;升温;初期结晶界面控制并重复;恒温;降温取出。本发明工艺制造的深紫外高透过石英晶体SiO2纯度达99.999%以上,内透过率T≥95%/cm@193nm,193nm光学损耗降低了2/3以上,光学均匀性≤5ppm@633nm,双折射率差均匀性≤0.2%,满足深紫外光学仪器应用需求。
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