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发明专利:281实用新型: 217外观设计: 9
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申请号:201410844625.6 公开号:CN105789014A 主分类号:H01J37/32
申请人:中微半导体设备(上海)有限公司 申请日:2014.12.26 公开日:2016.07.20
发明人:姜银鑫;张辉
摘要:本发明公开了一种实现均匀排气的等离子体处理装置,包括至少两个等离子体处理腔室,每个所述等离子体处理腔室底部中心位置设置支撑基片的基座,每个所述等离子体处理腔室分别设有排气区域,所述排气通道互相连通;至少一个排气泵,与所述排气区域相连接;至少两个等离子体约束装置,分别环绕设置在所述基座的外围,所述等离子体约束装置包括一大致呈环状的导流主体和设置在所述导流主体上的若干气体通道,通过设置所述等离子体约束装置靠近所述排气泵一侧的所述气体通道长度大于等离子体约束装置其余部分的气体通道长度,以实现将用过的反应气体及副产物气体均匀的排出反应腔,保证等离子体处理区域内气流分布的均匀性,最终实现半导体基片刻蚀的均匀性。
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申请号:201410844636.4 公开号:CN105789015A 主分类号:H01J37/32(2006.01)I
申请人:中微半导体设备(上海)有限公司 申请日:2014.12.26 公开日:2016.07.20
发明人:姜银鑫;张辉
摘要:本发明公开了一种实现均匀排气的等离子体处理设备,包括多个相邻排列的等离子体处理腔室及一共享的排气泵,所述每个等离子体处理腔室内设置一用于支撑基片的基座,所述每个等离子体处理腔室内环绕所述基座的外围设置一等离子体约束装置,每个所述等离子体约束装置包括第一区域和第二区域,所述第一区域为对应所述排气泵上方的区域,所述第二区域为除所述第一区域之外的区域,所述第二区域的导流主体厚度大于所述第一区域的导流主体厚度,使得气体在经过所述第一区域内的气体通道时所用的时间大于气体经过所述第二区域内的气体通道时所用的时间。实现将用过的反应气体及副产品气体均匀的排出反应腔,保证等离子体处理区域内气流分布的均匀性。
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申请号:201410857133.0 公开号:CN105810546A 主分类号:H01J37/32(2006.01)I
申请人:中微半导体设备(上海)有限公司 申请日:2014.12.30 公开日:2016.07.27
发明人:张辉;姜银鑫
摘要:一种介电参数连续可调的等离子处理器,包括:反应腔,位于反应腔顶部的反应气体进气装置,位于反应腔内下方用于固定基片的基座,一个射频电源连接到所述基座内的电极,一个基片固定装置设置于所述基座上,基片固定在所述基片固定装置上方,一个边缘环围绕所述基片固定装置且位于所述电极上方,其特征在于:所述边缘环包括一个中空的环形管道,环形管道外壁内部包括多个上下或者内外排布的可伸缩软管;所述多个可伸缩软管通过电介质液输入和输出管道连接到电介质液供应系统,其中电介质液供应系统控制流入不同软管的液压变化时所述不同软管在所述环形管道内所占空间比例发生变化。
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申请号:202011133457.1 公开号:CN112348034A 主分类号:G06K9/46
申请人:中电鸿信信息科技有限公司 申请日:2020.10.21 公开日:2021.02.09
发明人:李银中;姜辉
摘要:本发明公开了一种基于无人机图像识别的起重机缺陷检测系统,包括无人机本体、无人机主控制器、机载探测装置、通讯链路系统和地面控制台;实时分析系统采用图像局部区域约束和反卷积图像算法提高采集图像的分辨率,再采用缺陷识别模型得到起重机表面缺陷评估结果;无人机主控制器根据地面控制台返回的视觉评估结果调整无人机本体的飞行方向和机载探测装置的拍摄角度。本发明能够实时处理采集到的表面结构图像,快速得到较为准确的起重机表面缺陷评估结果,再根据视觉评估结果调整无人机的飞行方向和机载探测装置的拍摄角度,优化无人机的飞行轨迹和拍摄参数,实现图像处理数据的有效反哺,改善拍摄图像质量,提高检测效率。
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申请号:202111661018.2 公开号:CN116411263A 主分类号:C23C16/458
申请人:中微半导体设备(上海)股份有限公司 申请日:2021.12.31 公开日:2023.07.11
发明人:张辉;姜银鑫
摘要:本发明公开了一种边缘环组件,一种薄膜生长反应腔和系统以及一种薄膜生长方法,所述边缘环组件位于一薄膜生长反应腔内,所述反应腔内设置一支撑基片的托盘,所述边缘环组件环绕设置于所述托盘外围,所述边缘环组件包括一边缘调整环和一边缘支撑环;所述边缘调整环包括若干支撑桩;所述边缘支撑环在圆周方向上具有若干个支撑区间,同一支撑区间内设有不同高度的支撑面;当所述支撑桩的底面与不同高度的支撑面接触时可以实现对所述边缘调整环高度的调整。本发明可以延长边缘环组件的维护时间,提高薄膜生长反应腔的使用效率。
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申请号:202211385758.2 公开号:CN118039524A 主分类号:H01L21/67
申请人:中微半导体设备(上海)股份有限公司 申请日:2022.11.07 公开日:2024.05.14
发明人:姜银鑫;张辉
摘要:本发明公开了一种等离子体处理腔、半导体处理系统、机械手及方法。其中,所述等离子体处理腔包括:基座;聚焦环,包括设置在环体的水平两侧的承托部,所述承托部的底部具有容纳间隙;覆盖环,包括靠近传片口的第一弧环;其中,所述覆盖环的第一弧环两端分别与所述聚焦环的各承托部相邻,所述第一弧环可升高使各所述承托部的容纳间隙暴露,所述传片器可插入各所述容纳间隙、顶升各所述承托部将所述聚焦环悬空托起,并通过所述传片口运载进出处理腔。本发明能够实现不开腔更换聚焦环,并且避免产生将举升机构设置在基座内所带来的点火导致器件损坏、产生颗粒物、影响基座内的器件布局等技术问题。
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申请号:202211406366.X 公开号:CN118053785A 主分类号:H01L21/67
申请人:中微半导体设备(上海)股份有限公司 申请日:2022.11.10 公开日:2024.05.17
发明人:张辉;姜银鑫
摘要:本发明公开了一种等离子体处理腔、半导体处理系统及机械手。其中,所述等离子体处理腔包括:基座;聚焦环,包括聚焦环主体和设置在所述聚焦环主体上且靠近传片口一端的夹持部,所述夹持部的底部具有固定槽;覆盖环,环绕所述聚焦环设置,包括靠近传片口的第一弧环;其中,所述夹持部的固定槽在水平方向被第一弧环所遮盖,第一弧环可升高使所述夹持部及固定槽暴露,传片器可进入夹持部的上方及固定槽、夹持所述夹持部的上下表面将所述聚焦环悬空提起,并通过传片口运载进出处理腔。本发明能够实现不开腔更换聚焦环,并且避免产生将举升机构设置在基座内所带来的点火导致器件损坏、产生颗粒物、影响基座内的器件布局等技术问题。
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申请号:202411170738.2 公开号:CN121602081A 主分类号:H01R4/64
申请人:中微半导体设备(上海)股份有限公司 申请日:2024.08.23 公开日:2026.03.03
发明人:张辉;姜银鑫
摘要:本发明公开了一种接地组件及等离子体处理装置,所述接地组件包括导电杆,设置在等离子体处理装置的反应腔内,导电杆具有第一端和第二端,第一端与基座的外围连接,第二端可以自反应腔的底壁伸出,在反应腔外设置可伸缩密封件,连接导电杆的第二端和反应腔的底壁,并设置弹性导电片连接在导电杆的第二端与反应腔的底壁之间,该接地组件提供了射频的返回路径;导电杆为刚性导电杆,其导电性能不会因频繁升降而变弱,而可伸缩密封件和弹性导电片设置在腔外,无需开腔即可完成更换,操作简便,避免单个接地组件损坏导致工艺效果发生偏移。
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申请号:202510073813.1 公开号:CN119932527A 主分类号:C23C16/44
申请人:中微半导体设备(上海)股份有限公司 申请日:2025.01.16 公开日:2025.05.06
发明人:张辉;姜银鑫;姜勇
摘要:一种化学气相沉积装置,包括:反应腔,包括腔体侧壁和底壁;基座,位于所述反应腔内,所述基座包括基座侧壁,所述基座侧壁和腔体侧壁之间包括一排气区域;其特征在于,所述装置还包括:一限流环位于所述排气区域围绕所述基座侧壁,所述限流环底壁与腔体底壁之间存在一存储空间;所述限流环的侧壁或者底壁包括至少一开口用于使气流经过所述开口进入排气腔内;还包括至少一个排气管道固定在所述排气腔和反应腔底壁或侧壁之间,以支撑所述排气腔位于所述存储腔上方。
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申请号:202511406612.5 公开号:CN120869195A 主分类号:G01C25/00
发明人:姜睿;王凯;冯银辉
摘要:本发明提供一种惯性导航仪轨道位姿检测精度实时测量装置及测量方法,涉及导航仪校准技术领域,包括沿轨道自动运行的自动引导车;安装于引导车上的连续定位测姿基准设备和被测惯性导航仪,连续定位测姿基准设备提供连续基准位姿信息,被测惯性导航仪用于输出连续轨道测量数据;同步录取装置,用于同步采集连续基准位姿信息和连续轨道空间位姿测量数据;误差计算模块,用于根据同步采集的连续基准位姿信息和连续轨道空间位姿测量数据,计算被测惯性导航仪的测量误差,通过集成引导车自动控制、数据采集和误差计算功能,通过同步录取装置确保基准数据与被测数据的时间同步,减少高动态环境下的时间误差,避免人工录入误差,提高检测效率和准确性。
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