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1:
[发明]
具有执行字操作的控制存储器的时间接线器及其控制方法
申请号:
98108921.6
公开号:CN1200607 主分类号:H04J3/16
申请人:
三星电子株式会社
申请日:1998.05.22 公开日:1998.12.02
发明人:
孙正根
;
李承烈
摘要: 一种通信系统中使用的时间接线器及其控制方法,采用16位数据总线来控制存储器,用9个低位代表关于输入端口和时隙的信息,用6个高位代表输出转换所需的信息,使用16位控制可以去掉现有的时间接线器中不必要的那些元件,从而简化了时间接线器的结构,并且可以缩短切换时间,另外,本发明的时间接线器还能够在时间接线器内部执行增益控制,而不需要外部增益控制过程。
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2:
[发明]
在流化床反应器中生产碳纳米管的方法
申请号:
201810574367.2
公开号:CN109019562A 主分类号:C01B32/162(2017.01)I
申请人:
SK新技术株式会社
;
SK 综合化学株式会社
申请日:2018.06.06 公开日:2018.12.18
发明人:
孙成烈
;
金智玟
;
成珉志
;
金相旭
;
孙正烈
摘要:本发明涉及一种在流化床反应器中生产碳纳米管的方法,其包括通过将催化剂和碳源供给到具有0.5barg至1.2barg(表压)的内部压力的流化床反应器的内部来制备碳纳米管,从而提高碳纳米管的产率和纯度。
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3:
[发明]
在流化床反应器中制造碳纳米管的方法
申请号:
201810717147.0
公开号:CN109205592A 主分类号:C01B32/16(2017.01)I
申请人:
SK新技术株式会社
;
SK综合化学株式会社
申请日:2018.07.03 公开日:2019.01.15
发明人:
孙成烈
;
金智玟
;
成珉志
;
金相旭
;
孙正烈
摘要:本发明公开了通过向流化床反应器供应催化剂和碳源来制造碳纳米管的方法,其中流化床反应器具有扩大区,其中供应到流化床反应器的原料的流动速度(线速度)等于或高于流化床反应器中内部物料的终端速度。
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4:
[发明]
一种CLAM钢的强化处理方法
申请号:
201811478159.9
公开号:CN109457095A 主分类号:C21D8/00(2006.01)I
申请人:
贵州大学
申请日:2018.12.05 公开日:2019.03.12
发明人:
赵飞
;
李昌民
;
孙正
;
杨烈
摘要:本发明公开了一种CLAM钢的强化处理方法,包括以下步骤:(1)将CLAM钢以10°C /min加热至980~1020℃,保温20min~30min,奥氏体化;(2)以10℃/min的冷却速度将该奥氏体化的CLAM钢冷却到形变温度850~950°C;(3)进行形变量为50%~70%,轧制速度为1.5~2mm/s的热轧,最后水冷到室温。采用本发明处理后的CLAM钢,不但可以满足技术要求,而且可以使抗拉强度、屈服强度与传统热处理相比有明显提高。
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5:
[发明]
轴承钢工件综合强化工艺
申请号:
85109155
公开号:CN85109155 主分类号:C21D9/00
申请人:
大连海运学院
申请日:1985.12.19 公开日:1987.06.24
发明人:
杨烈宇
;
冯广勤
;
王富山
;
孙长礼
;
杨道正
摘要: 本发明属于轴承钢的热处理.用预处理匀细化钢件整体,用离子氮碳共渗的中间处理为强化表面准备成份条件,用最终处理获得表面层为高氮、碳浓度的回火马氏体及高度匀细化的整体组织达到综合强韧化.与现有方法相比,取消了球化退火和冷处理工序,钢件能在高达240~300℃下保持高硬度(>H
RC
61)和耐磨性而无脆性剥落并显著提高了抗疲劳性能.本发明处理的轴承钢制船用喷油嘴的使用寿命已超过了国际名牌SulzerRLB型组合式喷油嘴规定的指标.
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6:
[发明]
包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物
申请号:
200510102771.2
公开号:CN1931858 主分类号:C07D407/08(2006.01)I
申请人:
株式会社东进世美肯
申请日:2005.09.15 公开日:2007.03.21
发明人:
李载禹
;
李正烈
;
金德倍
;
金宰贤
;
孙银卿
摘要:本发明公开了具有螺环缩酮基团的光刻胶聚合物,以及包括所述聚合物的光刻胶组合物。由于所述螺环缩酮基团脱保护反应的活化能较低,因此所述光刻胶聚合物和光刻胶组合物可以提高分辨率和制程范围;并且由于其PEB(曝光后烘焙)温度敏感性较低,可产生精细的光刻胶图案。
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7:
[发明]
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
申请号:
201010254819.2
公开号:CN102116981A 主分类号:G02F1/1362(2006.01)I
申请人:
乐金显示有限公司
申请日:2010.08.13 公开日:2011.07.06
发明人:
郭喜荣
;
赵兴烈
;
李政润
;
孙正浩
摘要:公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列基板包括:基板;栅线和数据线,设置为彼此交叉以在基板上限定像素区;开关元件,设置在栅线和数据线的交叉处;第二像素电极和第一公共电极,交替地设置在基板上形成的像素区中;第二公共电极,形成为与在栅绝缘膜和保护膜之间的数据线重叠;第一存储电极,形成在所述基板上;第二存储电极,形成为与第一存储电极重叠,并与开关元件的漏电极一体地形成;以及有机绝缘膜,形成在开关元件、第二存储电极、栅焊盘和数据焊盘的上方。第二公共电极形成为覆盖基板上的数据线、保护膜、有机绝缘膜和栅绝缘膜,并具有到达基板的表面的倾斜面。
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8:
[发明]
利用合金催化反应器处理离子物质及难降解物质的水处理系统
申请号:
201410291296.7
公开号:CN104250045A 主分类号:
申请人:
株式会社韩美ENTEC
;
株式会社阿圣泰克
申请日:2014.06.25 公开日:2014.12.31
发明人:
任同奕
;
孙正一
;
慎大范
;
李相烈
摘要:本发明涉及利用合金催化反应器处理离子物质及难降解物质的水处理系统,尤其涉及一种对钢铁厂的工艺中所产生的废水(由焦炭、鼓风炉、炼钢、热轧、冷轧、电镀工厂等所产生的废水)、工业园区所产生的酸、碱性废水、高浓度含油废水(轧制油、切削油、湿油、其它含油废水)、畜产废水、大量含有油,尤其是动物油的食物废水、R/O浓缩水、净水处理浓缩水等难降解废水、其它废水等难以通过生物处理及物理化学处理过程进行处理的废水进行处理,为消除净水及用水处理的管道腐蚀现象和水垢现象,利用填充有具有电化学电位差的两个以上的金属介质的氧化还原金属反应器进行反应生成盐以去除包含于废水中的难降解物质及离子物质,而且,通过产生电子防止生锈和水垢的利用合金催化反应器(Alloy Catalyst Reactor)处理离子物质及难降解物质的系统。
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9:
[发明]
一种纳米壳聚糖复合锂电池隔膜及制造方法
申请号:
201410111400.X
公开号:CN104953068A 主分类号:
申请人:
四川禧丹佛锂电有限公司
;
广汉恒宇新材料有限公司
申请日:2014.03.25 公开日:2015.09.30
发明人:
郭小平
;
孙清彬
;
龚正烈
;
龚葆红
摘要:本发明属于锂电池制造领域,涉及一种纳米壳聚糖复合锂电池隔膜及其制造方法。本发明提供一种由(纳米壳聚糖溶胶粒子和微米壳聚糖溶胶粒子)网络与烯烃类共聚胶乳/聚环氧乙烷构成的离子聚合物膜材料。它是以(纳米壳聚糖溶胶粒子和微米壳聚糖溶胶粒子)网络作为支撑体,经流延、干燥形成纳米壳聚糖复合簿膜。该膜具优异三维网络构象,孔隙率大于80%以上,隔膜的厚度为5~60μm。该膜无应力效应、无形态记忆效应;该膜在电解液中及-40—150℃下,具化学稳定性、形态尺寸稳定性、热稳定性、绝缘性及良好的物理机械强度(抗张、抗冲击、柔韧曲绕等);与电解液有良好的吸附亲和性。纳米壳聚糖组合膜具阳电荷特征,可为正电锂离子提供自由通道。
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10:
[发明]
一种纳米壳聚糖复合物/纤维组合锂电池隔膜及制造方法
申请号:
201410111429.8
公开号:CN104953069A 主分类号:
申请人:
四川禧丹佛锂电有限公司
;
广汉恒宇新材料有限公司
申请日:2014.03.25 公开日:2015.09.30
发明人:
郭小平
;
孙清彬
;
龚正烈
;
龚葆红
摘要:本发明属于锂电池制造领域,涉及一种纳米壳聚糖复合物/纤维组合锂电池隔膜及其制造方法。本发明提供一种由一种纳米壳聚糖复合物粒子与天然无纺纤维,经载负、结合构成的离子聚合物膜材料。它是以天然无纺纤维作支撑体,经展压、干燥(40~50℃),形成纳米壳聚糖复合物/纤维组合簿膜,膜厚为5~60μm。该膜具优异三维网络构象,孔隙率大于80%以上;该膜无应力效应、无形态记忆效应。该膜在电解液中及-40~150℃下,具化学稳定性、形态尺寸稳定性、热稳定性、绝缘性及良好的物理机械强度《裂断长(Km):4.3、环压指数(kgf/152mm/Nm/g):11.92);与电解液有良好的吸附亲和性。纳米壳聚糖/纤维组合膜具阳电荷特征,可为正电锂离提供自由通道。
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