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1:
[发明]
用于钙钛矿半导体材料的磁流变液及磁流变抛光方法
申请号:
202310347919.7
公开号:CN116120839A 主分类号:C09G1/02
申请人:
中国科学技术大学
申请日:2023.04.04 公开日:2023.05.16
发明人:
胡芹
;
程隆
;
陈元淦
;
刘家阳
;
孙沐霖
摘要:本发明提供了一种用于钙钛矿半导体材料的磁流变液及磁流变抛光方法。其中,该磁流变液的组分按照质量百分比计,包括:载液25%~35%;磁性颗粒55%~70%;添加剂6%~12%;其中,载液包括异丙醇、三氟乙醇、氯苯或甲苯;磁性颗粒包括羰基铁粉;添加剂包括抗磨剂和表面活性剂。
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2:
[发明]
一种基于钙钛矿半导体的中子探测器及其制备方法
申请号:
202210097105.8
公开号:CN116544290A 主分类号:H01L31/032
申请人:
中国科学技术大学
申请日:2022.01.25 公开日:2023.08.04
发明人:
胡芹
;
郝翌然
;
谭鹏举
;
孙沐霖
摘要:本公开提供了一种基于钙钛矿半导体的中子探测器,包括:自下而上的第一电极、钙钛矿层及第二电极;其中,钙钛矿层由ABX3或A2CDX6构成,其用于中子探测;其中,A包括Li离子;和/或X包括BF4或BCl4离子。本公开还提供了一种基于钙钛矿半导体的中子探测器的制备方法。
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3:
[发明]
钙钛矿基辐射伏特同位素电池及其制备方法
申请号:
202210271690.9
公开号:CN116798677A 主分类号:G21H1/00
申请人:
中国科学技术大学
申请日:2022.03.18 公开日:2023.09.22
发明人:
胡芹
;
孙沐霖
;
郝翌然
;
李渝
;
谭鹏举
摘要:本公开提供了一种钙钛矿基辐射伏特同位素电池及其制备方法。钙钛矿基辐射伏特同位素电池由下至上包括:第一电极、第一载流子传输层、固有放射性同位素吸收层、第二载流子传输层和第二电极;其中,所述第二电极至少部分地设置于所述第一电极和/或所述第二载流子传输层的上部;其中,放射性同位素直接构建于所述固有放射性同位素吸收层的晶格结构中。本公开提供的钙钛矿基辐射伏特同位素电池,放射性同位素直接构建于钙钛矿晶格结构中,大大增加了同位素源与钙钛矿吸收材料接触的比表面积,让每个放射性元素原子衰变的能量直接作用于吸收材料,从而显著降低放射性同位素的自吸收效应,提高同位素电池的能量转换效率。
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4:
[发明]
一种基于微孔结构的钙钛矿光伏器件制备方法
申请号:
202210361793.4
公开号:CN116963513A 主分类号:H10K30/50
申请人:
中国科学技术大学
申请日:2022.04.07 公开日:2023.10.27
发明人:
胡芹
;
杨育倩
;
赵珍珠
;
李渝
;
苑成健
;
孙沐霖
摘要:本公开提供了一种基于微孔结构的钙钛矿光伏器件制备方法,依次制备了衬底、第一电极、第一载流子传输层、钙钛矿层、第二载流子传输层、第二电极。在ITO玻璃上制备第一载流子传输层;将包括金属卤化物和发泡剂的混合溶液旋涂在第一载流子传输层上,进行第一退火处理,制备金属卤化物薄膜;将胺盐溶液旋涂在金属卤化物薄膜上,进行第二退火处理,制备钙钛矿层;在钙钛矿层上制备第二载流子传输层;以及在第二载流子传输层上制备第二电极。通过将发泡剂作为添加剂引入金属卤化物溶液,制备了具有微孔结构的金属卤化物薄膜,促进胺盐在金属卤化物中的扩散,增加了两者的接触面积,使两者反应更充分,得到了晶粒尺寸大、排列致密的高质量钙钛矿薄膜。
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5:
[发明]
锡基钙钛矿前驱体组合物、锡基钙钛矿薄膜及太阳能电池
申请号:
202410108168.8
公开号:CN117642048A 主分类号:H10K85/50
申请人:
中国科学技术大学
申请日:2024.01.26 公开日:2024.03.01
发明人:
胡芹
;
苑成健
;
孙沐霖
;
赵珍珠
;
孟惠民
摘要:本发明提供了一种锡基钙钛矿前驱体组合物、锡基钙钛矿薄膜及太阳能电池,属于半导体材料技术领域。该锡基钙钛矿前驱体组合物包括:酰肼基化合物、卤化亚锡、碘化锗和有机源或无机源卤化物。本发明通过在结晶过程中,在锡基钙钛矿前驱体组合物中引入酰肼基化合物,酰肼基中的‑CO‑、‑C=O、‑NH2的基团与钙钛矿之间发生分子相互作用,促进结晶定向生长,并且延缓结晶速度,有利于后续提高钙钛矿光伏器件的效率及稳定性,促进钙钛矿太阳能电池的实用化进展。
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6:
[发明]
锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、锡基钙钛矿太阳能电池
申请号:
202510235251.6
公开号:CN120076685A 主分类号:H10K71/15
申请人:
中国科学技术大学
申请日:2025.02.28 公开日:2025.05.30
发明人:
胡芹
;
孟惠民
;
孙沐霖
;
徐豪
;
项芳
摘要:本发明提供了一种锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、锡基钙钛矿太阳能电池,属于太阳能电池技术领域。该锡基钙钛矿薄膜的制备方法包括:将锡基钙钛矿粉末溶解于有机溶剂中,得到锡基钙钛矿前驱体溶液,其中有机溶剂由低沸点有机溶剂和高沸点有机溶剂组成;以及将锡基钙钛矿前驱体溶液刮涂在衬底上,在退火处理后得到锡基钙钛矿薄膜。本发明还提供了一种将上述制备得到的锡基钙钛矿薄膜用作吸光层的锡基钙钛矿太阳能电池。本发明能够制备得到高质量的锡基钙钛矿薄膜,将其应用于锡基钙钛矿太阳能电池能够获得更好的电学性能。
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7:
[发明]
锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、锡基钙钛矿太阳能电池
申请号:
202510735994.X
公开号:CN120603461A 主分类号:H10K71/12
申请人:
中国科学技术大学
申请日:2025.06.04 公开日:2025.09.05
发明人:
胡芹
;
孟惠民
;
孙沐霖
;
徐豪
;
项芳
摘要:本发明提供了一种锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、锡基钙钛矿太阳能电池,属于光伏材料技术领域。该制备方法包括:将锡基钙钛矿原料溶解于有机溶剂中,并加入聚乙烯醇或聚乙烯吡咯烷酮,配制得到锡基钙钛矿前驱体溶液;以及将锡基钙钛矿前驱体溶液通过印刷法涂覆成膜,在进行退火处理后得到锡基钙钛矿薄膜。本发明使用聚乙烯醇或聚乙烯吡咯烷酮能够减缓钙钛矿结晶速率,并作为模板提供异相成核位点,降低缺陷态密度,提高钙钛矿薄膜的致密性。
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8:
[发明]
用于锡基钙钛矿太阳能电池的光场调控掺杂方法
申请号:
202511196759.6
公开号:CN120730973A 主分类号:H10K71/00
申请人:
中国科学技术大学
申请日:2025.08.26 公开日:2025.09.30
发明人:
胡芹
;
项芳
;
徐豪
;
孙沐霖
;
赵珍珠
;
孟惠民
摘要:本发明提供一种用于锡基钙钛矿太阳能电池的光场调控掺杂方法,属于太阳能电池技术领域,该光场调控掺杂方法包括:将锡基钙钛矿太阳能电池置于预设氛围中进行预处理,预设氛围包括水、氧;将预处理后的锡基钙钛矿太阳能电池转移至惰性气体环境中;在惰性气体环境下,将预处理后的锡基钙钛矿太阳能电池置于太阳能模拟器下进行辐照处理;其中锡基钙钛矿太阳能电池包括钙钛矿光吸收层和位于钙钛矿光吸收层上的电子传输层,钙钛矿光吸收层为锡基钙钛矿薄膜,电子传输层包括富勒烯、[6,6]‑苯基C61丁酸甲酯和茚‑C60双加合物中的至少一种。利用本发明的方法处理锡基钙钛矿太阳能电池,能够提高电池的开路电压和光电转换效率。
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9:
[发明]
一种锡基钙钛矿薄膜的制备方法
申请号:
202610477384.9
公开号:CN122054896A 主分类号:H10K71/30
申请人:
中国科学技术大学
申请日:2026.04.13 公开日:2026.05.15
发明人:
胡芹
;
徐豪
;
项芳
;
孙沐霖
;
赵珍珠
;
孟惠民
摘要:本申请公开了一种锡基钙钛矿薄膜的制备方法,属于光伏材料技术领域。该制备方法包括以下步骤:提供锡基钙钛矿的前驱体溶液,所述前驱体溶液中添加有类卤素添加剂;将所述前驱体溶液涂覆成膜,经退火处理后,制得锡基钙钛矿薄膜;其中,所述类卤素添加剂的阳离子为EDA2+、Gua+中的至少一种,阴离子为BF4—、PF6—中的至少一种。通过特定的类卤素添加剂以特定的方式掺杂到锡基钙钛矿薄膜中,从而调控锡基钙钛矿薄膜的结晶,减少钙钛矿薄膜的缺陷,提升器件的光电转换效率和稳定性。
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10:
[发明]
一种病理数据的检测方法
申请号:
201710797333.5
公开号:CN107729914A 主分类号:G06K9/62(2006.01)I
申请人:
鲁小杰
;
孙倍成
;
王锦程
;
王晓琛
;
王翊
;
辛沐霖
申请日:2017.09.06 公开日:2018.02.23
发明人:
鲁小杰
;
孙倍成
;
王锦程
;
王晓琛
;
王翊
;
辛沐霖
摘要:本发明公开了一种病理数据的检测方法,该方法包括如下步骤:S1,收集S医院某病症病人相关项目的检测数据X
S
及病人对应的病症等级,收集T医院同类型病人相同项目的检测数据X
T
;S2,增加惩罚因子,计算得到子空间映射矩阵W和稀疏重构系数矩阵Z;S3,转换S医院和T医院的数据,分别得到相互之间差异更小的转换数据W·X
S
和W·[X
S
,X
T
]·Z;S4,训练分类器,预测得到医院T中大部分还未接受诊断的病人的病症等级。本发明利用转换后的带标签的S医院的病人数据和少量T医院的病人数据,训练得到稳定性和泛化性更好的分类器,从而得到对T医院剩下的大部分未受诊断的病人数据的预测诊断结果。
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