摘要：本发明实施例中，提出一种商品发货控制方法，在该方案中，在预售期间，消费者在电商平台下单后，电商平台不会直接将目前生成的订单发送至发货系统，需要先判断商品库存量m1和订单的商品购买总数m2的大小关系，在商品库存量m1小于订单的商品购买总数m2的情况下，确定拦截商品的数量，并将拦截商品的订单信息进行拦截，在进货之后，会解除对全部或部分拦截商品的拦截；并将解除拦截的商品的订单信息发送给发货系统，给出了针对商品预售场景下的发货控制方法，解决了现有技术中存在的缺陷。

摘要：一种基于神经网络代理模型的二维翼型流场网格生成方法，采用自由变形(FFD)方法生成N组翼型外形点坐标；采用批处理方式，生成N个翼型对应的流场网格；并将网格点坐标写入矩阵P；采用主成分分析法对网格点坐标数据矩阵P降维至m维，降维后的矩阵为Pr；以矩阵Y和矩阵Pr作为神经网络的输入与输出，训练神经网络得到映射的代理模型；将N1个目标翼型的FFD参数矩阵Y1输入代理模型，得到对应的网格点坐标数据降维矩阵Pr1,将矩阵Pr1重新升维，获得N1个目标翼型的流场网格点坐标数据矩阵P1，重新写入网格文件，即可得到N1个目标翼型的流场网格文件，本发明的网格生成方法可以快速批量生成翼型流场网格文件用于翼型优化，该方法生成效率高，计算成本小，网格质量高。同时能够保证不同翼型的流场网格的拓扑关系一致。

摘要：本公开关于多媒体资源的展示方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括：响应于目标应用启动，获取用户的实时偏好值和等待耐心值；响应于目标应用中的目标页面选项被选择，确定目标应用启动后从服务器预请求的多媒体资源的存储时长；基于实时偏好值、等待耐心值、和存储时长，确定多媒体资源展示策略；基于多媒体资源展示策略，展示多媒体资源。这样，可以基于用户对高实时性多媒体资源的偏好程度、用户对多媒体资源加载耗时的忍耐程度、和应用启动后预请求的多媒体资源的存储时长，决定以何种策略展示多媒体资源，可以较好的平衡多媒体资源的实时性与多媒体资源的反馈效率，避免提前加载多媒体资源的方式带来的实时性较差的缺陷。

摘要：本发明公开了一种氢氧化镁悬浮浆料的连续生产工艺，属于氢氧化镁悬浮浆料生产技术领域，所述一种氢氧化镁悬浮浆料的连续生产工艺包括以下步骤：获取一定量的400目氢氧化镁粉末、一定量的400目氧化镁粉末、化学品以及去离子水，制备氢氧化镁悬浮浆料，利用研磨机对得到的氢氧化镁悬浮浆料进行研磨处理，对研磨后的氢氧化镁悬浮浆料进行滤选处理，调制并存储氢氧化镁悬浮浆料，具有连续制备氢氧化镁浆料、可控精细研磨、超声波振动与离心机滤选、PH值调整以及高品质氢氧化镁悬浮浆料生产的优点。

摘要：本发明涉及一种射频器件、互补型异质结双极型晶体管及其制备方法。一种射频器件，包括从下到上依次设置的集电区、基区和发射区，还包括至少两个用于引出集电区的集电极(C)以及交替分布在两个集电极(C)之间的用于引出基区的基极(B)和用于引出发射区的发射极(E)，靠近集电极(C)的为基极(B)，所述基极(B)至少为2个，所述发射极(E)至少为1个；所述基极(B)下方具有用于减少基区与集电区的接触面积的浅槽，从而降低寄生集电结电容。

摘要：本发明涉及一种推挽结构的CMOS器件，包括：P型衬底和设置在P型衬底上的设置在衬底上的第一源极和第一漏极；N型衬底和设置在N型衬底上的设置在衬底上的第二源极和第二漏极；以及，栅极，包含设置在P型衬底的第一栅极和N型衬底上的第二栅极；所述第一栅极控制第一源极与第一漏极的通断，所述第二栅极控制第二源极与第二漏极的通断；本申请的栅极下方的沟道区域中，由于惰性区域的设置，具有电荷移动的导通区域面积减少，发热量降低，有效解决CMOS器件的自热效应带来的性能衰退的问题。

摘要：本发明涉及一种热量优化的电子器件及集成器件。一种热量优化的电子器件，包括衬底以及设置于衬底上的多个源极、栅极和漏极，所有源极连接至同一引出电极，所有栅极连接至同一引出电极，所有漏极连接至同一引出电极；一个源极、栅极和漏极组成一个单条栅单元；所述衬底具有位于所述栅极下方的沟道区域，至少一个单条栅单元下方的沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度。栅极下方的沟道区域中，由于惰性区域的设置，具有电荷移动的导通区域面积减少，发热量降低，有效解决器件的自热效应带来的性能衰退的问题。

摘要：本发明涉及一种减少单条栅单元发热量的方法及单条栅单元。一种单条栅单元，所述单栅条包括衬底和设置在衬底上的栅极、源极和漏极，所述衬底具有位于所述栅极下方的沟道区域，所述沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度。栅极下方的沟道区域中，由于惰性区域的设置，具有电荷移动的导通区域面积减少，发热量降低，有效解决器件的自热效应带来的性能衰退的问题。

摘要：本发明涉及一种子胞芯片及其设计方法。包括多个单条栅单元组成的栅极组，所述单条栅单元通过栅极实现源极与漏极的通断控制，其特征在于，栅极所控制的电流通路具有使源极与漏极之间的电子不流通的惰性区域，从而减少栅极的有效宽度，所述有效宽度为栅极所控制的电流通路使源极与漏极导通的宽度，且至少一个单条栅单元具有所述惰性区域。本申请的栅极所控制的电流通路具有使源极与漏极之间的电子不流通的惰性区域，通过惰性区域的设置，减少子胞芯片和电子器件中的单条栅单元的发热量，以提供更高的性能。

摘要：本发明涉及一种基于BCD集成的金属氧化物场效应功率晶体管及工艺。该晶体管包括衬底，衬底内设有深槽隔离将所述衬底隔离成高压区和低压区，低压区两侧均具有深槽隔离；所述衬底包括沿竖直方向从下到上依次堆叠的第一金属引出层、N+衬底层、N‑外延层；所述高压区内至少具有SGT‑NMOS主体，所述低压区内至少具有PNP型双极晶体管主体和低压CMOS器件主体；第一金属引出层还延伸设置于整个晶体管的背面；所述SGT‑NMOS主体、PNP型双极晶体管主体和低压CMOS器件主体均构建于N‑外延层内或N‑外延层上，并分别与衬底组成SGT‑NMOS、PNP型双极晶体管和低压CMOS器件。通过高压区与低压区的结构设计，对SGT‑NMOS、PNP型双极晶体管和低压CMOS器件进行集成，实现电源管理模块和驱动功率器件的集成。