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1:
[发明]
重金属废水的处理方法
申请号:
201410475548.1
公开号:CN104261526A 主分类号:
申请人:
哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日:2014.09.17 公开日:2015.01.07
发明人:
李继
;
宫秀臣
;
维康
摘要:本发明提供了一种重金属废水的处理方法,特别是沉淀法处理重金属废水的处理方法,包括处理重金属废水时加入硫化钠,硫离子与废水中的重金属离子反应生成颗粒物,进一步加入重金属的硫化物沉淀,搅拌、静置,用已生成的颗粒物沉淀加速微小颗粒物及其他物质的沉降。本发明进一步优选加入石英砂,在其裹挟作用下加速颗粒物及其他物质的快速沉淀。沉淀后的上清液经过进一步后续工艺处理,包括砂滤和离子交换,可达标排放;定期排走和收集部分沉淀物,并回其中的重金属。由于该处理方法工序简单、成本低,效率高,该方法可广泛用于工业废水特别是重金属废水的处理。
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2:
[发明]
光纤保护管
申请号:
200610009236.7
公开号:CN1821823 主分类号:G02B6/44(2006.01)I
申请人:
矢崎总业株式会社
申请日:2006.02.15 公开日:2006.08.23
发明人:
三石秀臣
;
神宫寺光好
;
儿玉浩
摘要:一种光纤保护管,其设计用于使得光纤元件(具有形成在裸露纤维的外部圆周上、由紫外线可固化(UV可固化)树脂等制成主涂层)从中通过,从而保护光纤元件。光纤保护管包括由聚醚醚酮(PEEK)制成的树脂管,以及设置在树脂管的外部圆周上的加强纤维层和树脂覆盖物。
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3:
[发明]
高纯度多晶硅的制造方法
申请号:
201380031327.9
公开号:CN104395236A 主分类号:
申请人:
信越化学工业株式会社
申请日:2013.06.13 公开日:2015.03.04
发明人:
船崎和则
;
佐藤一臣
;
宫尾秀一
摘要:本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先,准备三氯硅烷作为样品(S101),利用GC/MS-SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103),判定为合格品的情况下(S103:是),将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面,判定为不合格品的情况下(S103:否),则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS-SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱,则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
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4:
[发明]
多晶硅
申请号:
201610890923.8
公开号:CN106966395A 主分类号:C01B33/03(2006.01)I
申请人:
信越化学工业株式会社
申请日:2013.06.13 公开日:2017.07.21
发明人:
船崎和则
;
佐藤一臣
;
宫尾秀一
摘要:本发明涉及多晶硅。具体地,本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先,准备三氯硅烷作为样品(S101),利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103),判定为合格品的情况下(S103:是),将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面,判定为不合格品的情况下(S103:否),则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱,则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
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5:
[发明]
半导体元件和使用半导体元件的半导体装置
申请号:
200710154325.5
公开号:CN101217150 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
申请人:
株式会社半导体能源研究所
申请日:2003.03.05 公开日:2008.07.09
发明人:
山崎舜平
;
加藤清
;
矶部敦生
;
宫入秀和
;
须泽英臣
摘要:提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征:半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区,第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区,其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸,且第二结晶半导体区被提供,包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。
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6:
[发明]
钢制部件的制造方法
申请号:
201280065772.2
公开号:CN104024444A 主分类号:
申请人:
新日铁住金株式会社
;
本田技研工业株式会社
申请日:2012.10.31 公开日:2014.09.03
发明人:
堀本雅之
;
今高秀树
;
中冈慎臣
;
二宫彬仁
;
冈田善成
摘要:通过对下述钢材依次实施(1)保持于温度850~1000℃的渗碳气氛或碳氮共渗气氛、实施渗碳或碳氮共渗的处理,和(2)对于该实施了渗碳或碳氮共渗的钢材,使用温度40~80℃、并且40℃下的运动粘度为20~25mm
2
/s的淬火油进行淬火的处理,可以制造具有优异的高周弯曲疲劳强度、低周弯曲疲劳强度和耐点状腐蚀强度,并且渗碳淬火或碳氮共渗淬火时的热处理形变的偏差得到抑制的钢制部件,所述钢材按质量%计含有C:0.15~0.25%、Si:0.01~0.10%、Mn:0.50~0.80%、S:0.003~0.030%、Cr:0.80~1.20%、Mo:0.30~0.45%、Al:0.015~0.050%、N:0.010~0.025%,进而根据需要含有Nb≤0.08%,剩余部分由Fe和杂质组成,1.3≤Cr/Mn≤2.4,杂质中的P和O为P≤0.010%、O≤0.0020%。
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7:
[发明]
记录设备
申请号:
202480060296.8
公开号:CN121889272A 主分类号:B41J29/38
申请人:
佳能精技立志凯株式会社
申请日:2024.09.25 公开日:2026.04.17
发明人:
铃木邦秀
;
新井田裕久
;
绿川谅
;
中岛臣贵
;
二宫直树
摘要:一种记录设备,其中,用户可以使透射式传感器的发光部和光接收部在标签的宽度方向上移动,该记录设备包括执行装置,该执行装置配置为能够选择位置调整模式并且配置为执行位置调整模式,其中,在用户选择了位置调整模式期间,当发光部和光接收部的位置不对齐时,使通知装置执行通知,并且当发光部与光接收部位置对齐时,不使通知装置执行通知。
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8:
[发明]
一种复合材料结构强度分析方法
申请号:
201110066465.3
公开号:CN102136019A 主分类号:G06F17/50(2006.01)I
申请人:
哈尔滨飞机工业集团有限责任公司
申请日:2011.03.21 公开日:2011.07.27
发明人:
温永海
;
齐德胜
;
宫少波
;
周国臣
;
刘秀芝
;
张震
;
徐忠岩
;
任静
;
韩刘
;
云庆文
摘要:本发明属于材料分析技术,涉及一种提高复合材料结构强度分析精度的方法。本发明复合材料结构强度分析方法对作为分析对象的复合材料结构进行几何描述,根据变分原理和分割近似原理,建立总体有限元模型,进行总体有限元强度分析;将总体应力分析得到的各个节点的位移及受力结果以矢量形式的位移场和力场的形式保存显示出来;然后,对重点部位进行网格细化,建立局部有限元模型;再将总体应力分析所得的边界条件以位移场和力场的形式施加到局部有限元模型边界节点上,进行进一步局部有限元强度分析。从而具有较高的分析精度,并能有效减少复合材料构件试验件数量,缩短研制时间,降低成本,能产生较大的经济效益。
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9:
[发明]
Niclosamide在制备抗新孢子虫小分子药物中的医用用途
申请号:
202411553611.9
公开号:CN119280209A 主分类号:A61K31/167
申请人:
吉林大学
申请日:2024.11.02 公开日:2025.01.10
发明人:
王晓岑
;
刘飞雪
;
李建华
;
宫鹏涛
;
张西臣
;
李新
;
张旭
;
张楠
;
严刘榛秀
;
孙瑾
摘要:本发明公开了Niclosamide在制备抗新孢子虫小分子药物中的医用用途,提供了niclosamide新的医用用途,发现了能显著抑制新孢子虫细胞感染和小鼠模型脑、心、肺组织感染的化学药物,通过作用于宿主细胞和小鼠模型的动物实验两方面来证实它对新孢子虫的治疗效果,可用于制备新型的抗新孢子虫药物。
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10:
[发明]
一种海水淡化能量回收装置及回收方法
申请号:
202511280066.5
公开号:CN120943333A 主分类号:C02F1/14
申请人:
山东电力建设第三工程有限公司
申请日:2025.09.09 公开日:2025.11.14
发明人:
付庆
;
孔令峰
;
冯群涛
;
郑涛
;
宫伟东
;
段文帅
;
周殿臣
;
曹秀峰
;
罗敏
;
郭少良
摘要:本发明属于海水淡化技术领域,具体的说是一种海水淡化能量回收装置及回收方法,包括太阳能集热器和冷凝器;所述冷凝器内部设置有输气管和输水管;所述输气管位于输水管外部并对输水管呈包裹状;所述输气管一端与太阳能集热器的出气口连通;所述输气管底部连通有一组集水管;所述输水管两端分别设置有进水头和出水头;通过真空集热管对太阳能集热器内部的海水进行加热蒸发,形成的水蒸气通过出气口进入冷凝器的输气管内部,然后沿着输气管内部流动,原海水通过进水头进入输水管并沿着其内部流动,蒸气与海水之间沿着仿真肠道式的管道内部逆向流动且互相分离,二者不断通过输水管的侧壁进行热量交换,提高冷凝、加热以及能量的回收效率。
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