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发明专利:295实用新型: 101外观设计: 3
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申请号:200880002654.0 公开号:CN101675587 主分类号:H03K5/22(2006.01)I
申请人:电力集成公司 申请日:2008.01.17 公开日:2010.03.17
发明人:罗杰·寇贝克
摘要:一种比较器包括具有重叠的共模输入电压范围的互补(例如NMOS和PMOS)比较器单元(40,41),该重叠的共模输入电压范围一起大致从轨到轨延伸。一种包括边沿检测器(42,43)、门(44,45)和锁存器(48)的数字逻辑布置响应于比较器单元的输出处的转变,以响应于最早的上升沿而使锁存器置位,并且响应于最早的下降沿而使锁存器复位。锁存器的输出构成比较器的输出。因此,比较器是边沿敏感的,并且具有针对较宽的共模输入电压范围而优化的速度。额外的逻辑门(46,47)可提供对锁存器的电平敏感控制。
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申请号:00104746.9 公开号:CN1274123 主分类号:G06F15/163
申请人:国际商业机器公司 申请日:2000.03.24 公开日:2000.11.22
摘要: 提供了一种在分区计算机系统中在基本主机桥(PHB)内分区和分配各个外围元件互联槽的系统。包括了一个革新的PHB系统,它允许PCI槽在给定时间被动态地分配给一个或多个分区,允许更高效地分配系统资源。
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申请号:200410011863.5 公开号:CN1753179 主分类号:H01L25/00(2006.01)I
申请人:日月光半导体制造股份有限公司 申请日:2004.09.22 公开日:2006.03.29
摘要:本发明涉及一种半导体封装构造,包含一半导体装置通过锡膏稳固贴附于一芯片承座的一上表面上,以及多个引脚配置于该芯片承座周围附近,该芯片承座及该引脚的厚度介于10至20μ之间,该半导体装置电性连接于该引脚中之一,一封胶体形成于该半导体装置及该引脚上,其中该芯片承座及该引脚的下表面由该封胶体裸露出,较佳地,该半导体装置通过至少一条大尺寸铝线电性连接于该引脚中之一。本发明另提供一种上述半导体封装构造的制造方法。
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申请号:200810101868.5 公开号:CN101247350 主分类号:H04L12/56(2006.01)I
申请人:华耀环宇科技(北京)有限公司 申请日:2008.03.13 公开日:2008.08.20
摘要:本发明涉及一种基于SSL数字证书的网络负载均衡方法,其包括以下步骤:1)定义若干后台服务器组;2)收到客户请求,根据客户请求中SSL数字证书的内容求出一个key值;3)根据求出的key值找到对应的后台服务器组;4)将客户请求分配到找到的后台服务器组中。该方法在做负载均衡的同时兼顾了计算机网络安全,不仅保证了网络事务处理的安全性,而且使得所服务的客户都能得到快速响应。本发明最大化地利用了后台服务器的能力。每个服务器组为来自不同客户的请求提供服务,各个服务器组处理不同客户的请求,使得所服务的客户都能得到快速响应。
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申请号:200810103457.X 公开号:CN101252540 主分类号:H04L12/56(2006.01)I
申请人:华耀环宇科技(北京)有限公司 申请日:2008.04.07 公开日:2008.08.27
摘要:本发明涉及一种基于外部策略服务器交互的网络流量分配方法,其包括以下步骤:1)在负载均衡设备上设置一个Web API接口;2)终端客户发送请求到负载均衡设备;3)负载均衡设备通过Web API接口将终端客户的请求封装在数据包中,然后转发至外部策略服务器;4)外部策略服务器对数据包进行解析,并基于自己的需要将终端客户的原始请求改写,然后返回至负载均衡设备;5)负载均衡设备结合外部策略服务器的信息选择出合适的后台服务器,并且将该终端客户的请求传到该后台服务器上;6)后台服务器做出响应;7)负载均衡设备将后台服务器对该请求的响应转发给终端客户。本发明方法能够把一级客户自己的特殊决策方案融合到负载均衡的算法中,使得网络流量的分配能够充分适应一级客户的特殊应用程序。
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申请号:200880100875.1 公开号:CN101765698A 主分类号:E21B47/06(2006.01)I
申请人:雪佛龙美国公司 申请日:2008.07.30 公开日:2010.06.30
摘要:示例性的系统和方法涉及感测装置,并涉及压力感测系统和方法。一种示例性的方法包括将电磁能量提供给换能器,该换能器被配置为以通过该换能器的电感所确定的回响频率来反射电磁能量,其中所述电感响应于所述电感性元件的压缩而变化。将由所述换能器所反射的电磁能量的回响频率与压力值相关联。
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7:[发明] 假体心脏瓣膜
申请号:201880070541.8 公开号:CN111295156A 主分类号:A61F2/24
申请人:W.L.戈尔及同仁股份有限公司 申请日:2018.09.12 公开日:2020.06.16
摘要:所描述的实施例涉及一种朝向中心开口的瓣叶的假体瓣膜设备,该假体瓣膜设备具有瓣叶框架和包括一个或多个瓣叶的瓣叶构造。在一些示例中,瓣叶构造通过保持元件联接于瓣叶框架。在一些示例中,保持元件为与瓣叶框架同轴设置的外框架的形式。
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申请号:201980101783.3 公开号:CN114641260A 主分类号:A61F2/07
申请人:安吉美德医疗技术有限公司 申请日:2019.10.30 公开日:2022.06.17
摘要:本发明涉及一种TIPS支架移植物,包括:中空的支架移植物主体,该支架移植物主体具有在第一纵向端与第二纵向端之间延伸的管腔,以使流体从第一纵向端穿过支架移植物主体流向第二纵向端,管腔包括至少两个彼此分开的子管腔,每个子管腔从第一纵向端延伸到第二纵向端,每个子管腔能够被阻塞以减少通过的TIPS支架移植物的血流。
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9:[发明] 假体心脏瓣膜
申请号:202210478736.4 公开号:CN114831777A 主分类号:A61F2/24
申请人:W.L.戈尔及同仁股份有限公司 申请日:2018.09.12 公开日:2022.08.02
摘要:所描述的实施例涉及一种朝向中心开口的瓣叶的假体瓣膜设备,该假体瓣膜设备具有瓣叶框架和包括一个或多个瓣叶的瓣叶构造。在一些示例中,瓣叶构造通过保持元件联接于瓣叶框架。在一些示例中,保持元件为与瓣叶框架同轴设置的外框架的形式。
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申请号:201611209424.4 公开号:CN106672945A 主分类号:C01B32/184(2017.01)I
申请人:武汉理工大学 申请日:2016.12.23 公开日:2017.05.17
摘要:本发明提供了一种通过对二维金属碳化物进行部分氯化制备金属自掺杂石墨烯的方法。一种通过对二维金属碳化物晶体进行部分氯化制备金属自掺杂石墨烯的方法,其特征在于:在一定温度下向二维金属碳化物晶体中引入氯气,经氯气刻蚀反应得到金属原子自掺杂石墨烯材料,反应过程中通入的氯气量低于碳化物中金属原子完全转化为金属氯化物所需的氯气量。该方法可实现金属原子均匀可控掺杂的金属自掺杂石墨烯,掺杂量和掺杂金属种类均可控,金属掺杂量可控制在0.1at%‑12at%。而且,石墨烯面内缺陷数量较少,甚至无面内缺陷,ID/IG小于0.5。本发明人首次通过二维金属碳化物晶体进行部分氯化成功地合成具有金属自掺杂的单层石墨烯材料及少层石墨烯材料。
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