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发明专利:
652
实用新型:
15
外观设计:
33
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1:
[发明]
复合烹调器
申请号:
02154881.1
公开号:CN1466402 主分类号:H05B6/64
申请人:
三菱电机株式会社
;
三菱电机家用机器株式会社
申请日:2002.12.03 公开日:2004.01.07
发明人:
山田胜义
;
小池利男
摘要:一种复合烹调器,具有高频加热装置和感应加热装置。在高频加热装置的框体的侧部一侧,利用安装装置将感应加热装置安装为可以转动,在使用感应加热装置时,利用安装装置将感应加热装置的顶板朝上与高频加热装置的框体的侧部的表面并置固定。在不使用感应加热装置时,利用安装装置将感应加热装置配置固定为具有顶板的表面对着高频加热装置的框体的侧部的表面。
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2:
[发明]
自动交易装置
申请号:
200810126970.0
公开号:CN101393670 主分类号:G07F19/00(2006.01)I
申请人:
冲电气工业株式会社
申请日:2008.06.20 公开日:2009.03.25
发明人:
山田哲也
;
小池秀人
摘要:本发明提供一种自动交易装置,通过按与可以进行动作的功能对应的各交易类别来决定与故障部位有关的交易的搁置、不搁置,可提高利用效率、资金效率。在存储部(6)中存储有:故障代码确定用表,其中根据故障部位和故障内容分配了故障代码;以及交易可否判定用表,其中按上述各交易类别使可否进行交易与故障代码相对应。控制部(7)在发生故障时,根据故障代码确定用表确定与该故障部位及故障内容对应的故障代码,并将所确定的故障代码与交易可否判定用表的故障代码进行对照,根据设定内容来判定与一致的故障代码对应的各交易类别的交易可否进行,并搁置设定为不可进行交易的交易类别的交易。
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3:
[发明]
位移测量方法和位移测量装置
申请号:
201180017720.3
公开号:CN102834690A 主分类号:G01B11/00(2006.01)I
申请人:
太阳诱电株式会社
申请日:2011.03.28 公开日:2012.12.19
发明人:
小山胜弘
;
池田正人
摘要:本发明提供一种位移测量方法和位移测量装置,不受光学元件倾斜精度的影响,构成简单且能小型化,受到衍射光栅的平面方向的位置偏移的影响较小,进行光学分辨率调整的位移测量。利用准直透镜(14)将来自激光光源(12)的激光(13)变成平行光15,使平行光通过第一衍射光栅(16)行进到半透射半反射镜(22),使一部分反射,作为通过第一衍射光栅(16)的第一返回光(L?rev1)。使平行光(15)的剩余的光行进到全反射镜(24)并被反射,作为通过半透射半反射镜(22)和第一衍射光栅(16)的第二返回光(L?rev2)。用第一光传感器(28)对利用第一衍射光栅(16)衍射的第一、第二返回光(L?rev1、L?rev2)的规定级数的衍射光进行光量检测,根据与全反射镜(24)的相对于半透射半反射镜(22)的轴向的相对移动量相对应的干涉光带或其信号得出位移量。
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4:
[发明]
燃气灶
申请号:
201611225015.3
公开号:CN107013950A 主分类号:F24C3/00(2006.01)I
申请人:
林内株式会社
申请日:2016.12.27 公开日:2017.08.04
发明人:
池田小百合
;
山川智子
摘要:本发明提供一种燃气灶,其具有:自动火力调节控制单元(120),其进行使炉灶燃烧器(32)的火力增减的自动火力调节控制,使得用温度检测单元(32a)检测到的检测温度达到目标加热温度;以及通知控制单元(121),其通知火力切换声音信息和烹饪时刻声音信息,当在自动烹饪模式下的烹饪中规定的烹饪时刻到来时,将炉灶燃烧器(32)的火力固定在低火力,直到处理完成时刻到来为止。
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5:
[发明]
感光性膜
申请号:
201780019777.4
公开号:CN108780275A 主分类号:G03F7/023(2006.01)I
申请人:
东丽株式会社
申请日:2017.03.22 公开日:2018.11.09
发明人:
池田芳史
;
小山祐太朗
摘要:提供可得到高耐热性的固化膜、具有良好的图案加工性(高敏感度性)、且具有与基板的良好的密合性即层压性的感光性膜。感光性膜,其含有:(A1)具有通式(1)表示的结构单元的碱溶性树脂;(A2)包含选自聚酰亚胺、聚苯并噁唑、聚酰胺酰亚胺、它们的前体、及它们的共聚物中的一种以上的碱溶性树脂;(B)光产酸剂;以及(C)热交联剂。通式(1)中,R
1
表示氢原子或碳原子数1~5的烷基,a表示0~4的范围内的整数,b表示1~3的范围内的整数,R
2
为氢原子、甲基、乙基、丙基中的任一者。
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6:
[发明]
半导体装置以及半导体封装
申请号:
202010003905.X
公开号:CN111415916A 主分类号:H01L23/495
申请人:
株式会社东芝
;
东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日:2020.01.03 公开日:2020.07.14
发明人:
小山将央
;
池田健太郎
摘要:一种半导体装置以及半导体封装,实施方式的半导体装置防止常导通晶体管的上升速度及下降速度的降低,降低开关损耗。半导体装置具备:具有第1源极、第1漏极以及第1栅极的常关断晶体管;具有第2源极、第2漏极以及第2栅极的常导通晶体管;对上述第1栅极及上述第2栅极进行驱动的栅极驱动电路;第1电阻;第2电阻以及第1电容器;具有第1阳极和第1阴极的第1整流元件;具有第2阳极和第2阴极的第2整流元件;第1电感器;电连接在上述栅极驱动电路的基准电位节点与上述第1源极之间的第2电感器;串联连接在上述第1源极与上述第2源极之间的第2电容器及第3电感器。
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7:
[发明]
超声波偶联材料复合膜及超声波检查方法
申请号:
202510587708.X
公开号:CN120918696A 主分类号:A61B8/00
申请人:
信越化学工业株式会社
申请日:2025.05.08 公开日:2025.11.11
发明人:
畠山润
;
池田让
;
小林亮广
摘要:本发明涉及超声波偶联材料复合膜及超声波检查方法。本发明提供具有粘着性和非粘着性的相反特性的超声波偶联材料复合膜、和使用了该复合膜的超声波检查方法。一种超声波偶联材料复合膜,其是插入超声波探头表面与皮肤之间的超声波偶联材料复合膜,其特征为包含:由含有水的凝胶构成的凝胶偶联材料膜;及含有交联性的聚硅氧树脂、和不具有交联点的聚硅氧油的聚硅氧偶联材料膜。
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8:
[发明]
半导体集成电路器件及其制造工艺
申请号:
85108671
公开号:CN85108671 主分类号:H01L27/04
申请人:
株式会社日立制作所
申请日:1985.11.27 公开日:1986.06.10
发明人:
池田修二
;
小池淳义
;
目黑怜
;
奥山辛祜
摘要: 在此公开的MOSFET具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域,以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区,由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压.
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9:
[发明]
处理装置
申请号:
200910129866.1
公开号:CN101786797A 主分类号:C03C17/06(2006.01)I
申请人:
株式会社爱发科
申请日:2009.03.30 公开日:2010.07.28
发明人:
池田均
;
菊池正志
;
小川正浩
;
冈山智彦
摘要:提供运输方便且使用更紧凑的真空腔的处理装置。该处理装置具有真空腔,该真空腔具备:腔本体(21),该腔本体(21)由具有形成可将基板插入的贯通孔(24)的块状多个腔部件(25)构成,在邻接的腔部件的至少一个上,沿与另一个抵接的面的贯通孔的开口部的整个周围连续设置槽(27),各腔部件在夹着安装在槽中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定,腔本体(21)具有由多个贯通孔构成的处理空间(A);密封处理空间的一个开口的壁面部件(22);能开闭地塞住处理空间的另一开口的盖部件(23),在各处理空间中具有用辐射热加热基板的加热装置(40)和分别设置在该加热装置的上下、与加热装置相对向地支持各基板(S)的一对基板支持部件(30)。
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10:
[发明]
包含由复合材料制成的衬底的复合构件
申请号:
201280014238.9
公开号:CN103443315A 主分类号:C22C29/06(2006.01)I
申请人:
住友电气工业株式会社
;
联合材料公司
申请日:2012.02.20 公开日:2013.12.11
发明人:
岩山功
;
西川太一郎
;
池田利哉
;
小山茂树
摘要:本发明公开了一种复合构件(1a),包含由具有与镁或镁合金结合的SiC的复合材料制成的衬底(2),并具有不小于0.01×10-3且不大于10×10-3的翘曲度,所述翘曲度是指lmax/Dmax,其中lmax是沿所述复合构件的最长边测得的所述复合构件的一个表面的表面位移的最大值与最小值之差,且Dmax是所述最长边的长度。由此,本发明提供能够有效地将热散逸到安装对象的复合构件、使用所述复合构件的散热构件以及具有所述散热构件的半导体装置。
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