摘要：本发明提供一种智能仪表调试器，包括微控制器模块接收来自键盘模块和测量模块的信号，并将测量模块的信号转化为数字信号发送给液晶显示，或向D/A模块发送数字信号转化为模拟电流输出；开关电源模块，用于为调试器的其他模块提供供电电源；D/A转换模块，用于接收来自高电压输出开关电源模块提供的高压电源以及来自微控制器的串行数字指令值，输出的电流或电压信号，供仪表调校使用；液晶显示模块，用于显示微控制器模块发送的显示内容；键盘模块设置智能仪表所需的电流数，或者智能仪表的百分比开度数；以及测量模块，用于智能仪表调校过程中测量中控室发送给所需调校的智能仪表的控制信号，该调试器具有便于完成对仪表的调校特点。

摘要：本发明涉及轴承技术领域，尤其是涉及一种弹性滑动轴承及其控制阀，包括轴承本体，所述轴承本体上设有用于克服其温度上升而导致热膨胀的缺口，所述缺口由轴承本体的外表面延伸至内表面，所述轴承本体上设置有随温度降低而使轴承本体回弹并与安装轴之间保持接触的回弹部，本发明弹性滑动轴承及其控制阀在使用时，通过在轴承本体上开设缺口，缺口的间隙在温度升降引起的热膨胀时会缩小，可以防止阀杆或者转轴抱死现象，而回弹部在温度降低时会使轴承本体保持与转轴或者阀杆接触，并使轴承本体与阀杆或者转轴保持一定的配合，有效保证设备运行稳定可靠。

摘要：本发明提出一种基于上下文记忆的长文本阅读理解方法。本发明的主要技术方案包括：(1)使用滑动窗口的方式，将滑动窗口的窗口大小和移动步长均设置为句子的数量，以句子为单位将文档进行分割。按照文档分段与问题的相关度，对文档分段进行筛选，缩减候选分段的数量，降低模型的计算复杂度。(2)将筛选后的分段向量表示输入到双向GRU模型中进行交互融合，再将双向GRU模型输出的结果整合起来作为全局内存。使用注意力机制合并来自当前分段以及全局内存的信息，丰富当前分段的语义表示。(3)使用BERT模型抽取分段中的答案区间，并选出概率最高的区间最为最终答案。

摘要：本发明涉及金属加工技术领域，且公开了一种汽车用7系高强度高抗弯性能防撞横梁，横梁金属材料由以下配比元素组成：Si≤0.12％，Fe：≤0.20％，Cu：0.14％‑0.20％，Mn：≤0.05％，Mg：0.85％‑0.95％，Cr：≤0.05％，Zn：5.5％‑6.0％，Zr：0.14％‑0.17％，Ti：≤0.1％，余量为Al。该汽车用7系高强度高抗弯性能防撞横梁及其制造方法，通过材料成分及挤压工艺参数的严格控制，将型材预时效处理，型材力学性能处于低强度稳定状态，减少了T4停放时间过长产品加工时间不固定产品性能波动带来的不利影响；T6时效后最终产品性能7003‑T6可达到Rp0.2≥350Mpa，Rm≥390Mpa，A50≥12％，且通过挤压后最终T6时效后该款型材不仅具有较高的强度而且还具备较高的抗弯性能，横梁型材三点弯曲后下压量可达到150mm以上不开裂，且各项指标均远高于国标性能要求。

摘要：本发明是一种多层次折叠密封填料环及其制作模具、方法，将柔性的石墨纸带逐层绕卷、预弯在预弯模上，形成波浪形截面的中间环体，或将柔性石墨纸带先绕制成直筒状，再利用内壁弯曲的外模将直筒状环体径向压制为截面呈波浪形的中间环体，然后将中间环体置于压缩模中，轴向压缩形成环体，环体具有水平层结构的折叠段以及竖直结构且连接折叠段的竖直段，因此装入填料函、用填料压盖压紧后有极好的密封效果。

摘要：本发明公开了一种LED芯片，包括衬底、外延层和电极，所述电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极的结构相同，包括本体，以及设置在本体上的悬空部，所述悬空部的面积大于本体的面积，且悬空部大于本体面积的部分结构不与LED晶圆相接触。本发明在不影响芯片电压的情况下，降低电极面积占有效发光面积的比例，提高芯片亮度。相应地，本发明还提供了一种LED芯片的制作方法。

摘要：本发明公开了一种LED芯片，包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述P型电极包括P焊盘和P电流扩展条，所述P焊盘包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，所述P电流扩展条包括Al层、Ti层、Pt层和Au层。本发明通过改变P电流扩展条的结构，使得P电流扩展条可以对有源层发出的光进行反射，提高芯片的出光效率。相应地，本发明还提供了一种LED芯片的制作方法。

摘要：本发明公开了一种抗静电的外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次设于衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，其特征在于，所述N型GaN层和有源层之间设有复合层，所述复合层包括若干层硅浓度变化GaN层，所述硅浓度变化GaN层包括第一GaN层、设于第一GaN层上的第二GaN层、设于第二GaN层上的第三GaN层、以及设于第三GaN层上的第四GaN层，所述第一GaN层中硅的掺杂浓度为零，所述第二GaN层和第四GaN层中硅的掺杂浓度小于第三GaN层中硅的掺杂浓度。本发明在所述N型GaN层和有源层之间设有复合层，电流经过复合层之后，可以均匀分布到整个外延结构，从而使电流不会集中在某个区域或点上，进而改善外延结构的抗静电能力，防止有源层被静电击穿。

摘要：本发明公开了一种用于背光显示的倒装LED芯片及其制作方法，所述芯片包括转移衬底、第一钝化层、第一反射层、外延层、第二反射层、第二钝化层、第一电极和第二电极，所述第一钝化层设置在转移衬底和第一反射层之间，以将转移衬底固定在第一反射层上，所述外延层设置在第一反射层上，所述第二反射层设置在外延层上，所述第二钝化层设置在第二反射层上，第一电极与第一反射层导电连接，第二电极与第二反射层导电连接，其中，所述外延层发出的光经过第一反射层和第二反射层反射后，从芯片的侧面出射。本发明的第一反射层和第二反射层设置在外延层的两侧，将外延层发出的光进行来回反射，增加侧面出光，得到更高的出光效率。

摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括转移衬底、第一钝化层、透明导电层、外延层、反射层、阻挡层、第二钝化层、第一电极和第二电极，所述第一钝化层设置在转移衬底和透明导电层之间，以将转移衬底固定在透明导电层上，所述外延层设置在透明导电层上，所述反射层设置在外延层上，将外延层发出的光反射到转移衬底一侧，所述阻挡层设置在反射层上，所述第二钝化层设置在阻挡层上，第一电极和第二电极贯穿第二钝化层，第一电极与反射层导电连接，第二电极与透明导电层导电连接，其中，所述外延层发出的光从转移衬底一侧出射。与传统的倒装LED芯片相比，本发明的倒装LED芯片减少了AlN层、缓冲层等大量体材料的吸光影响，出光效率高。