摘要：本申请实施例提供一种半导体器件的形成方法及半导体器件；其中，方法包括：提供基底和覆盖基底的叠层结构；其中，叠层结构包括交替堆叠的介电层和牺牲层；在叠层结构中形成沿第一方向延伸，且沿第二方向排布的多个隔离层；其中，第一方向垂直于基底表面，第二方向垂直于第一方向；在每相邻的两个隔离层之间形成一个位线，并去除牺牲层；在去除牺牲层后形成的介电结构的空位上，沿第三方向形成电容器通孔；其中，第三方向与第一方向和第二方向两两垂直；基于位线，在电容器通孔中依次形成晶体管和电容器，电容器平行于基底表面；在每相邻的两个晶体管之间，形成一个沿第二方向延伸的字线，以形成半导体器件。

摘要：本公开提出一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包含：提供衬底，在衬底上形成薄膜堆叠结构；在薄膜堆叠结构中形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽中形成有写入晶体管，第二沟槽沿第一方向延伸，且在第二方向上位于相邻两个写入晶体管之间；利用第二沟槽刻蚀去除部分薄膜堆叠结构，分别形成第一孔道和第二孔道，在第一孔道中形成写入字线，并在第二孔道中形成写入位线；在薄膜堆叠结构公开上表面形成第一开口，在第一开口中形成存储节点；在薄膜堆叠结构上方形成读取晶体管、读取位线和引线，得到半导体结构。据此本公开能够通过无电容的半导体结构增大存储密度。

摘要：本公开提供一种半导体存储器及其制作方法，其中，半导体存储器包括：衬底；堆叠结构，设置在衬底上，堆叠结构包括依次堆叠的支撑层和栅极层；通孔，通孔贯穿堆叠结构暴露衬底的表面；存储结构，存储结构覆盖通孔的表面，位于通孔的存储结构与栅极层接触。本公开的半导体存储器，在堆叠结构的通孔中形成纵向叠层设置的存储单元结构，从而增加了半导体存储器存储密度，提高了集成度。

摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制作方法、存储器。半导体结构包括：衬底；至少一个有源层单元，有源层单元包括层叠设置的多层有源层以及设置在相邻有源层之间的隔离层，有源层包括第一图形、第二图形以及沟道图形，第一图形与第二图形中的其中一者为源极图形，另一者为漏极图形，沟道图形连接第一图形与第二图形，各层有源层的第一图形在远离沟道图形一侧呈阶梯状分布，且相邻第一图形之间具有隔离层，相邻第二图形之间具有隔离层；多个栅极结构，分别环绕于各沟道图形外周；多个第一接触结构，分别位于各第一图形上方；多个电容结构，分别位于各第一接触结构上方。本申请实施例可以有效提高存储密度。

摘要：本公开提出一种半导体结构及其制作方法，制作方法包括：在衬底上沉积薄膜堆叠结构；在薄膜堆叠结构中形成第一孔洞，第一孔洞沿薄膜堆叠结构的堆叠方向贯穿薄膜堆叠结构，且第一孔洞底部暴露出衬底；在第一孔洞中生长外延硅柱；沿第一方向刻蚀薄膜堆叠结构和外延硅柱而形成第一沟槽，第一沟槽穿越外延硅柱的中心并将外延硅柱分为第一半柱和第二半柱；形成第一隔离层，第一隔离层填充第一沟槽；在第一半柱远离第一沟槽的侧壁形成第一类型掺杂的第一沟道区，在第二半柱远离第一沟槽的侧壁形成第二类型掺杂的第二沟道区，第一类型掺杂与第二类型掺杂的其中之一为N型，其中另一为P型；在第一沟道区和第二沟道区的表面均形成栅极介质层和栅极导电层。

摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储装置及其制造方法、驱动方法。所述存储装置包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构包括第一栅极层、第二栅极层以及层间隔离层，所述层间隔离层位于所述第一栅极层与所述第二栅极层之间、以及所述第一栅极层与所述衬底之间；存储结构，包括贯穿所述堆叠结构的通孔、以及填充于所述通孔内的沟道结构。本申请使得所述存储装置可以作为不同存储模式的非易失性存储器使用，从而实现了所述存储装置的多功能性。

摘要：本申请提供一种三维半导体结构和三维半导体结构的制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决存储器的存储密度较低的问题。该三维半导体结构包括衬底；堆叠结构，所述堆叠结构位于所述衬底上，所述堆叠结构包括沿第一方向堆叠的多个浮体单元阵列，并在所述第一方向上，多个所述浮体单元阵列之间相互连接且电性隔离；位线，所述位线贯穿所述堆叠结构，并与所述浮体单元阵列电性连接；输出线，所述输出线贯穿所述堆叠结构，并与所述浮体单元阵列电性连接；字线，所述字线与所述浮体单元阵列电性连接。本申请能够使浮体单元阵列实现更小的特征尺寸，优化了体单元阵列的排布，从而提高三维半导体结构的存储密度。

摘要：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决存储密度较低的技术问题，该制作方法包括：在基底上形成叠层结构，其包括堆叠的第一绝缘层、牺牲层和第二绝缘层；在叠层结构中形成多个间隔设置的有源柱；在叠层结构中形成多条间隔设置的第一沟槽，第一沟槽沿第二方向延伸，相邻的第一沟槽之间具有至少一个有源柱；利用第一沟槽去除牺牲层，形成填充空间以暴露有源柱；在每个有源柱暴露的部分上层叠形成外延层、栅介质层和导电层；沿第二方向位于同一行的导电层相连接形成一体，相邻的导电层之间形成第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽内。有源柱与外延层形成浮体单元，省去动态随机存储器中的电容器，从而提高存储密度。

摘要：本发明提供一种基于分组与权重自优化的链式联邦学习方法。该方法包括：服务器端对所有客户端进行分组；初始化相关参数并保存测试集；从第一组客户端开始，执行后续步骤；服务器端将当前的全局模型下发给当前组客户端；当前组内的各客户端对接收到的全局模型分别各自进行本地训练，并将训练得到的本地模型发送至服务器；服务器端使用测试集对接收到的所有本地模型进行测试，更新得到每个本地模型的权重，从而对所有的本地模型进行聚合得到新的全局模型并返回给当前组客户端；当前组客户端将新的全局模型传递给下一组客户端；重复上述步骤，直至当前客户端为最后一组客户端，服务器端此时得到的全局模型即为全局最优模型。

摘要：本发明公开了一种验证方法、装置和系统，属于网络技术领域。所述方法包括：接收验证请求，验证请求中携带有用户标识和第一终端标识，第一终端标识为发送验证请求的终端的终端标识；查询是否存在与用户标识绑定的第二终端标识；检测第一终端标识和第二终端标识是否相同；若第一终端标识和第二终端标识相同，则确定用户标识的身份验证通过。本发明通过验证服务器检测发送验证请求的终端的终端标识和与用户标识绑定的终端标识是否相同来对用户标识进行验证；解决了用户信息一旦被黑客非法获取之后可能带来的信息泄露或财产损失的问题；达到了进一步保护用户信息和财产的安全的效果。