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9
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1:
[发明]
光伏板清洁度检测方法、装置及电子设备
申请号:
202410406828.0
公开号:CN118314090A 主分类号:G06T7/00
申请人:
天合光能股份有限公司
申请日:2024.04.07 公开日:2024.07.09
发明人:
巩大康
;
徐国鹏
;
奚润开
;
任宇霄
;
孙凯
;
全鹏
摘要:本发明提供了一种清洁度检测方法、装置及电子设备,包括获取目标光伏板的检测图像,采用训练好的视觉检测模型,基于检测图像识别出基准标记在目标光伏板的表面形成的多个检测区域,并识别出目标光伏板表面的异物,获得目标识别结果,随后采用预设的评价策略对目标识别结果进行打分评价,获得目标光伏板表面的清洁度。如此,无需人工检测也可快速获得目标光伏板表面的清洁度,提升了提升清洁度检测的效率并减少清洁度检测所需要耗费的成本,并且通过视觉检测模型能够识别出目标光伏板表面异物的种类及其所属的区域,以便于相关人员可以根据识别出的异物的种类及其位置同步监测光伏板的工作情况,便于后续排查。
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2:
[发明]
光伏板的缺陷检测方法和装置
申请号:
202410643542.4
公开号:CN118537311A 主分类号:G06T7/00
申请人:
天合光能股份有限公司
申请日:2024.05.23 公开日:2024.08.23
发明人:
巩大康
;
孙凯
;
全鹏
;
徐国鹏
;
任宇霄
;
奚润开
摘要:本申请实施例了提供一种光伏板的缺陷检测方法和装置,所述方法包括:获取光伏电站相关的图像数据;根据所述图像数据进行数据扩充处理得到训练数据集;构建初始目标检测模型,所述初始目标检测模型包含小目标检测层和注意力模块;根据所述训练数据集对所述初始目标检测模型进行训练得到光伏板缺陷检测模型,以通过光伏板缺陷检测模型对光伏板进行缺陷检测。本申请实施例的技术方案通过在光伏板缺陷检测模型中增加小目标检测层,使得光伏板缺陷检测模型更加关注小目标的检测,提高对小目标识别的准确率,提高检测精度能够检测出光伏板表面脏污覆盖、断裂等缺陷,且增加注意力模块可以进一步提升光伏板缺陷检测模型的检测精度,避免出现漏检的情况。
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3:
[发明]
作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球的制备方法
申请号:
201010153537.3
公开号:CN101826587A 主分类号:H01L33/44(2010.01)I
申请人:
山东大学
申请日:2010.04.23 公开日:2010.09.08
发明人:
郝霄鹏
;
刘晓燕
;
巩海波
;
吴拥中
;
徐现刚
摘要:本发明提供了一种作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球制备方法,包括:(1)按常规MOCVD生长LED外延片的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层,形成外延片;(2)在外延片上按常规工艺制备P电极、N电极和半切;(3)在处理的外延片上P电极一面铺设一层由聚苯乙烯球紧密排布组成的单层膜,聚苯乙烯球的直径为100nm-1um;(4)将铺满PS球的外延片在110℃-120℃下烘烤5秒-60秒,5秒-10秒内冷却到室温,得到周期性排列的聚苯乙烯半球。本发明使用聚苯乙烯球排列的单层膜经烘烤得到PS半球的周期性阵列,并作为微透镜来提高LED的出光效率,具有成本低、简单易行、可控性高、均匀性好、能够实现周期性排列的特点。
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4:
[发明]
一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法
申请号:
200910018771.2
公开号:CN101656284 主分类号:H01L33/00(2006.01)I
申请人:
山东大学
申请日:2009.09.17 公开日:2010.02.24
发明人:
郝霄鹏
;
巩海波
;
夏 伟
;
吴拥中
;
徐现刚
摘要:本发明提供了一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法,包括以下步骤:(1)按常规利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层,衬底为GaAs材料;(2)在外延生长的P型接触层上用电子束溅射一层厚260nm的ITO薄膜;(3)将覆盖有ITO的外延片浸入浓盐酸中1分钟,腐蚀掉部分ITO,残留的为颗粒状的ITO;(4)用残留的ITO颗粒作掩膜,干法刻蚀P型接触层,形成粗化表面;(5)用浓盐酸腐蚀掉残留的ITO。本发明使用颗粒状ITO作为干法刻蚀的掩膜材料,经刻蚀后可得到刻蚀尺寸和深度可控的粗化表面发光二极管,经表面粗化的红光LED的光提取可提高30%以上。
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5:
[发明]
利用PS球作模板制作发光二极管粗化表面的方法
申请号:
200910018772.7
公开号:CN101656285 主分类号:H01L33/00(2006.01)I
申请人:
山东大学
申请日:2009.09.17 公开日:2010.02.24
发明人:
郝霄鹏
;
夏 伟
;
巩海波
;
吴拥中
;
徐现刚
摘要:本发明提供了一种利用PS球作模板制作发光二极管粗化表面的方法,包括以下步骤:(1)按常规外延生长外延片;(2)在外延生长的P型接触层上铺设一层由PS球紧密排布组成的单层膜;(3)以硅酸四乙酯、金属的氯化物或硝酸盐为前躯体,将前躯体、乙醇和水混合后填充在单层膜的PS球与P型接触层之间的间隙中,室温静置并加热分解为相应的氧化物;(4)将外延片置于二氯甲烷中,用二氯甲烷溶解去除掉PS球,在PS球与P型接触层之间的间隙中形成的氧化物按碗状周期排列结构保留在P型接触层上;(5)用形成的氧化物作掩膜,干法刻蚀P型接触层,形成粗化表面;(6)腐蚀掉残留的氧化物。本发明可得到刻蚀周期和深度可控的粗化LED表面。
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6:
[发明]
一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法
申请号:
200910256023.8
公开号:CN101740704A 主分类号:H01L33/44(2010.01)I
申请人:
山东大学
申请日:2009.12.21 公开日:2010.06.16
发明人:
郝霄鹏
;
巩海波
;
吴拥中
;
夏伟
;
徐现刚
摘要:本发明公开了一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法,包括以下步骤:(1)在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层;(2)在P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层;(3)将ITO靶材溶于盐酸溶液并稀释至合适浓度作为ITO的前驱体;(4)在生长沉积了ITO薄膜的外延片上铺一层单层的PS球,然后在PS球单层膜和ITO层之间的空隙填充ITO的前驱体溶液;(5)将带ITO前驱体溶液的外延片120℃干燥1小时,在500℃煅烧30分钟,自然降至室温;(6)经光刻、腐蚀ITO和ICP干法刻蚀,使N-GaN层暴露;(7)制作出P电极和N电极;(8)将衬底减薄,解理后形成单个芯片。本发明制备的LED出光率能提高50%左右,具有成本低、工艺简单的特点,适合规模化生产。
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7:
[发明]
一种矿用双向急停开关及其控制方法
申请号:
202410857784.3
公开号:CN118763596A 主分类号:H02H5/04
申请人:
邹城市宇光煤矿机械有限公司
申请日:2024.06.28 公开日:2024.10.11
发明人:
杨再君
;
孙东满
;
孟彤
;
巩霄鹏
;
周长强
摘要:本发明提供了一种矿用双向急停开关及其控制方法,通过获取目标供电电缆表面的温度,进而根据目标供电电缆表面的温度控制电机(15)的运行状态,本发明实现对目标供电电缆表面温度的监控,在目标供电电缆表面的温度异常时,自动触发矿用双向急停开关的电路急停功能,无需人工触发,大大缩短了矿用双向急停开关的电路急停功能的触发时间,很大程度上提高了矿用双向急停开关的安全性、可靠性、智能化程度和稳定性,且本申请提供的矿用双向急停开关具备快速自检功能,使得使用人员能够快速地测试矿用双向急停开关是否工作,从而减少因加热片加热会造成较高温度,如果需要较长的温度自然下降时间而存在的安全隐患,大大提高井下安全生产的安全性。
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8:
[发明]
高弹性耐腐蚀聚脲及其制备方法和应用
申请号:
202511012856.5
公开号:CN120519076A 主分类号:C09D175/02
申请人:
山东世纪联合新材料科技有限公司
申请日:2025.07.23 公开日:2025.08.22
发明人:
路玲
;
石鹏
;
林焕章
;
边兵
;
张明芹
;
巩霄
摘要:本发明涉及聚脲生产技术领域,具体为高弹性耐腐蚀聚脲及其制备方法和应用。包括以下重量份数的原料:聚醚胺D‑2000:50‑70份;聚醚胺D‑400:15‑25份;PTMG‑1000:25‑30份;H12MDI:70‑80份;IPDI:20‑30份;乙二胺‑β‑环糊精包覆物:3‑5份;2‑甲基哌嗪:3‑5份;FeCoNiCrAlHEA纳米簇:0.5‑1份;石墨烯气凝胶微球:1‑2份;MXene@SiO2核壳片:1‑2份;氟化金刚石:0.5‑1份;乙酰丙酮铈:0.5‑1份;[EMIM]BF4离子液体:0.5‑1份。本发明通过分子设计优化和纳米填料协同增强,实现了性能的全面提升。
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9:
[发明]
快速固化防水聚脲及其制备方法和应用
申请号:
202511171918.7
公开号:CN120699226A 主分类号:C08G18/66
申请人:
山东世纪联合新材料科技有限公司
申请日:2025.08.21 公开日:2025.09.26
发明人:
路玲
;
石鹏
;
林焕章
;
边兵
;
张明芹
;
巩霄
摘要:本发明涉及聚脲生产技术领域,具体为快速固化防水聚脲及其制备方法和应用。该聚脲由质量比1:(0.9‑1.1)的A组分异氰酸酯预聚体和B组分氨基扩链剂复合体系组成。A组分包含改性MDI、生物基聚醚多元醇、纳米TiO2@Ag复合填料等;B组分包含端氨基聚醚、生物基胺扩链剂、超疏水改性SiO2等。本发明通过各组分协同作用,实现抗撕裂≥86kN/m、‑45℃弯折无裂纹,以及紫外老化和耐根穿刺能力的大幅提升,适用于建筑防水领域,尤其屋顶花园、地下管廊、化工厂地坪等场景,具有优异的力学性能、环境耐受性和环保性。
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10:
[发明]
多重协同增强型聚脲弹性体材料及其制备方法和应用
申请号:
202511851099.0
公开号:CN121293722A 主分类号:C08L75/02
申请人:
山东世纪联合新材料科技有限公司
申请日:2025.12.10 公开日:2026.01.09
发明人:
路玲
;
石鹏
;
林焕章
;
边兵
;
张明芹
;
巩霄
摘要:本发明涉及聚脲弹性体材料制备技术领域,具体为多重协同增强型聚脲弹性体材料及其制备方法和应用。该材料由特定的A组分和B组分反应制得,创新性地集成了协同阻燃体系、多尺度增强体系和智能防护体系。通过“磷‑氮‑硅”协同形成陶瓷骨架炭层,“纳米‑微米”协同实现应力逐级耗散,以及“自修复‑疏水”协同提供动态长效防护,本发明解决了传统防护材料性能单一且相互制约的难题。制备方法采用独特的纳米预分散和多步加料工艺。与现有技术相比,本发明材料同时具备极致的防火隔热、抗冲击、耐磨和自修复防水性能,能从根本上提升新能源汽车电池包及底盘的安全性与可靠性。
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