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1:
[发明]
MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法和装置
申请号:
201410469917.6
公开号:CN104237764A 主分类号:
申请人:
工业和信息化部电子第五研究所
申请日:2014.09.15 公开日:2014.12.24
发明人:
卞鸣锴
;
师谦
摘要:本发明公开了一种MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法和装置,首先测量器件的初始界面态密度;常温下施加预设应力条件1,测量器件界面态密度;常温下施加预设应力条件2,测量器件界面态密度;然后确定器件退化的最大应力条件;测得器件阈值电压和饱和漏极电压;降温并施加最大应力条件,测量器件界面态密度;常温下施加最大应力条件,测量器件界面态密度;根据测得参数和基于HCI幸运电子模型得到的在一定应力条件下界面态密度随时间变化的规律、器件寿命与器件所受应力状态的关系获取器件的寿命。本发明在低温加速过程中无需恒温控制,降低测试成本,同时有效减小器件参数测试及最佳加速应力搜索过程中器件退化量对测试结果的影响。
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2:
[发明]
一种4010NA废水处理的方法及装置
申请号:
201510978275.7
公开号:CN105417884A 主分类号:
申请人:
山西翔宇化工有限公司
申请日:2015.12.23 公开日:2016.03.23
发明人:
师谦
;
张彩凤
摘要:本发明涉及一种4010NA废水处理的方法及装置,属于4010NA废水处理技术领域;提供一种工艺简单、使用设备少、成本显著降低的4010NA废水处理的方法及装置;包括换热器、分相器、水相输送泵、芬顿反应釜、过滤机和调节池,将4010NA产生的废水降温至30℃-35℃,然后通过分相器进行分相,分出的水相进入芬顿反应釜,调节芬顿反应釜内的pH为3-4,然后按照摩尔比为1:5-10加入硫酸亚铁和双氧水进行搅拌,完成后调节pH为7-8,通过过滤机将固体废渣过滤后进入调节池,往调节池内加入生活污水,调节COD含量不大于500ppm,最后进入生化池进行生化处理;本发明主要应用在有机废水处理方面。
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3:
[发明]
一种回收四甲基氢氧化铵的方法及装置
申请号:
201510978274.2
公开号:CN105348117A 主分类号:
申请人:
山西翔宇化工有限公司
申请日:2015.12.23 公开日:2016.02.24
发明人:
张彩凤
;
师谦
摘要:本发明涉及催化剂回收技术领域,更具体而言,涉及一种回收四甲基氢氧化铵的方法及装置,该方法及装置可有效回收废液中的四甲基氢氧化铵;提供了一种降低成本、节能减排的四甲基氢氧化铵回收的方法及装置;一种回收四甲基氢氧化铵的方法,按照以下步骤进行:首先将四甲基氢氧化铵催化剂废液通过活性炭进行吸附,然后冷却结晶,再通过过滤分离工序将固体四甲基氢氧化铵分离出来,分离出来后在软水中溶解配制装置得到四甲基氢氧化铵溶液,配制好的四甲基氢氧化铵溶液进入RT生产车间循环套用,所述冷却结晶至0-25℃,固体四甲基氢氧化铵和软水配置20%-25%的四甲基氢氧化铵溶液;本发明主要应用在催化剂回收方面。
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4:
[发明]
功率器件时控方式间歇寿命试验条件确定及试验方法
申请号:
201410790389.4
公开号:CN104502827A 主分类号:
申请人:
工业和信息化部电子第五研究所
申请日:2014.12.17 公开日:2015.04.08
发明人:
陈媛
;
侯波
;
师谦
摘要:本发明提供一种功率器件时控方式间歇寿命试验条件确定和试验方法,通过获取功率器件的升温时间、降温时间,确定功率器件的初始间歇寿命试验条件,进行试验;根据实时最小壳温和实时最大壳温修正预设升温时间、降温时间、当前间歇寿命试验的条件,进而在准确的参数设置环境下进行当前间歇寿命试验,提高了功率器件间歇寿命试验的效率,而且可以针对其他试验条件(如电流、电压、束流、水温)的微小变化导致的实时最小壳温和实时最大壳温变化而使功率器件时控方式间歇寿命试验条件输入不准确的技术问题,进行功率器件时控方式间歇寿命试验条件的修正,确保所确定试验条件的准确性,有效预防了升温时间过长导致功率器件损伤等技术问题。
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5:
[发明]
集成电路动态输出性能测定方法、装置和系统
申请号:
201711353462.1
公开号:CN107861055A 主分类号:G01R31/28(2006.01)I
申请人:
中国电子产品可靠性与环境试验研究所
申请日:2017.12.15 公开日:2018.03.30
发明人:
师谦
;
陈辉
;
肖庆中
摘要:本发明涉及一种集成电路动态输出性能测定方法,包括以下步骤:获取数字通道板的各个目标基准比较电压值和数字通道板对应输出的集成电路的各个目标电平输出错误率;其中,目标电平输出错误率与目标基准比较电压一一对应;根据各个目标基准比较电压值和各个电平输出错误率,得到集成电路的基准比较电压动态分布;根据基准比较电压动态分布确定集成电路输出性能。上述的集成电路动态输出性能测定方法将根据多个目标基准比较电压值和多个电平输出错误率得到基准比较电压动态分布(即基准比较电压和错误率的关系),根据基准比较电压动态分布可以得到集成电路的噪声容限、误码率等参数,测试结果更加准确。
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6:
[发明]
一种可快速唤醒的自适应芯片电源开关网络电路
申请号:
201910767541.X
公开号:CN112422110A 主分类号:H03K17/04
申请人:
新岸线(北京)科技集团有限公司
申请日:2019.08.20 公开日:2021.02.26
发明人:
黄谦
;
鲁超
;
张师群
摘要:本发明公开了一种可快速唤醒的自适应芯片电源开关网络电路,包括:N条并行的级联链条;当所有级联链条都开启并传递至各级联链条的最后一级,睡眠唤醒完毕;一个嵌入式电压传感器,用于对电源网络VDD进行实时采样;比较器,用于将嵌入式电压传感器的输出的采样值与预先设置的IR压降阈值进行比较,实现对VDD的IR压降进行实时观测,能够减少电源开关网络的时延,自适应的最大限度的提高唤醒相应速度。
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7:
[发明]
基于拓扑层次语义地图的导航方法、装置、设备及介质
申请号:
202410657055.3
公开号:CN118443030A 主分类号:G01C21/20
申请人:
上海科技大学
申请日:2024.05.24 公开日:2024.08.06
发明人:
李承谦
;
师泽仁
摘要:本发明涉及地图导航技术领域,揭露了一种基于拓扑层次语义地图的导航方法、装置、设备及介质,所述方法包括:根据预构建的拓扑层次语义地图进行楼层地图栅格化处理,得到栅格化地图;根据所述拓扑层次语义地图构建地图拓扑树;根据所述栅格化地图进行最优路径选取,得到全局路径规划;获取起始位置以及目标位置,根据所述地图拓扑树、所述起始位置和所述目标位置在所述全局路径规划选取导航路径。本发明实现机器人导航过程中跨楼层导航并提高导航效率。
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8:
[发明]
透射式显示屏
申请号:
200410086900.9
公开号:CN1627182 主分类号:G03B21/62
申请人:
株式会社有泽制作所
申请日:2004.11.03 公开日:2005.06.15
发明人:
药师寺谦一
;
安达圭辅
摘要:本发明提供了透射式显示屏(306),包括:蝇眼透镜(171),其一侧为凸透镜形状;光屏蔽层(173),设置在蝇眼透镜(171)的透镜表面的相对侧,具有多个设置在多个透镜装置单元(170)的每个焦点的附近的开口(174),其中,如果垂直于透镜装置单元(170)的光轴的均匀光入射到透镜表面上,则使用显示屏时从相对于该透镜装置单元(170)的光轴方向在水平方向倾斜预定角度的方向观看时的亮度,大于从使用显示屏时在垂直方向倾斜与在水平方向倾斜的角度相同的角度的方向观看时的亮度。
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9:
[发明]
透射式屏幕
申请号:
200510115206.X
公开号:CN1773370 主分类号:G03B21/60(2006.01)I
申请人:
株式会社有泽制作所
申请日:2005.11.11 公开日:2006.05.17
发明人:
药师寺谦一
;
青木裕一
摘要:本发明提供一种在使用时的对角方向上具有比其他方向大的视野角度的透射式屏幕。在具有多个单透镜(10)的复眼透镜(100)中,复眼透镜(100)的透镜边界呈与复眼透镜(100)的外形相似的长方形,在将复眼透镜(100)的长方形的短边朝向铅直方向使用的状态下,当在单透镜(10)的透镜面上入射与单透镜(10)的光轴方向平行的图像光时,从单透镜(10)射出的图像光的散射角度,在复眼透镜(100)的外形所呈的长方形的对角方向上比在水平方向及垂直方向上大。
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10:
[发明]
祼芯片测试与老化筛选临时封装载体
申请号:
200610034730.9
公开号:CN101021547 主分类号:G01R1/02(2006.01)I
申请人:
信息产业部电子第五研究所
申请日:2006.03.30 公开日:2007.08.22
发明人:
黄 云
;
恩云飞
;
师 谦
;
罗宏伟
摘要:本发明公开了一种裸芯片测试与老化筛选临时封装载体,它包括电气互连衬底和为电气互连衬底提供机械支撑的夹具,夹具包括底座基板、支撑固定件、弹力盖板、盖板支撑件和锁扣件,支撑固定件的中部开有用于容纳裸芯片的空腔,电气互连衬底被夹设在底座基板与支撑固定件之间,电气互连衬底中部设有显露在支撑固定件空腔内的金属凸点区,电气互连衬底周边设有显露在底座基板外的金属接触区,盖板支撑件活动联接在支撑固定件的一侧,而锁扣件相对于盖板支撑件固定联接在支撑固定件的另一侧并能与盖板支撑件相扣紧,弹力盖板设置在盖板支撑件的内面。它解决了裸芯片的测试和老化筛选难题,通过模仿集成电路的封装来实现芯片的测试和老化筛选。
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