摘要：本发明公开了一种BICC使用SCTP承载信令的方法，在呼叫控制服务器中为与其相邻的每个呼叫控制服务器设置一个局向号，并建立局向号与该局向上所有SCTP链路的链路集的对应关系，在使用SCTP作为信令承载发送BICC信令消息时，呼叫控制服务器首先根据呼叫处理的结果获取目的局向号，再根据局向号与链路集的对应关系索引出到达目的呼叫控制服务器的链路集，然后从链路集中选择一条SCTP链路，最后从选定的SCTP链路中选择一条SCTP流将待发的信令消息发出。本发明使BICC直接采用SCTP承载信令，在进行组网时不再受信令点编码分配的限制，选路过程更加简单灵活。

摘要：本发明涉及通信网络技术领域，公开了一种网络承载重定向方法，包括步骤：获取初始侧网关发送的网络资源信息；转换所述初始侧网关的网络资源信息为目标侧网关应用协议格式；发送所述转换后的初始侧网关网络资源信息至所述目标侧网关，建立所述初始侧网关与目标侧网关间的承载连接。应用本发明所公开的方法，在应用不同协议的网络之间已建立承载连接的情况下，发起承载重定向请求，以实现所述网络间的承载重定向连接。本发明还公开了相应的网络承载重定向装置及系统。

摘要：本发明实施例公开了一种天线装置，其应用于终端；所述天线装置包括第一天线、第二天线、第三天线、第四天线；第一射频开关、第二射频开关；通过第一射频开关与第一天线连接的第一端口和第二端口，通过第二射频开关与第二天线连接的第三端口和第四端口；与第三天线连接的第五端口，以及与第四天线连接的第六端口。当所述终端的第一通讯网络功能关闭并且第二通讯网络功能开启时，所述第一射频开关导通第二端口与第一天线之间的连接并且断开第一端口与第一天线之间的连接；以及所述第二射频开关导通第四端口与第二天线之间的连接并且断开第三端口与第二天线之间的连接。从而，可以在WIFI工作时满足LTE网络的2*2MIMO和WIFI网络的2*2MIMO。

摘要：本申请公开了一种实现大数据处理的方法及装置，包括：在分布式系统基础架构（hadoop）外部环境，利用预先设置的拆分策略拆分hadoop总查询任务；按照拆分的hadoop查询任务，在hadoop的分布式存储系统中分别进行hadoop内部查询；将各内部查询结果按照预先设置的存储策略存储在hadoop外部环境；通过hadoop外部查询方式对存储信息进行统计并显示。本发明还包括与方法相对应的装置，通过本发明在hadoop外部环境对总查询任务进行拆分，在执行完拆分查询任务后，将内部查询结果按照任务拆分进行相应的分级存储，实现hadoop大数据访问的分页浏览和在不影响系统性能下进行数据统计。

摘要：本发明公开了一种计费方法及装置，所述方法包括：获取对用户访问互联网的业务数据进行深度数据包检测DPI后的一个或多个流量详细记录FDR文件；根据所述FDR文件中的信息按照预设的匹配策略在分类策略表中进行匹配，在匹配成功后获取对应的计费ID，生成包含所述计费ID的话单。本发明通过对用户上网流量的分拣，输出特定标签(计费ID)的话单，供计费系统实现分类计费，对用户的不同业务类别实现了差异化计费，为用户提供更好的差异化服务。

摘要：一种移动用户上网记录的生成方法及系统，流量检测装置监测移动用户数据业务相关的控制面消息，获取移动用户的分组报文协议PDP上下文信息；并监测移动用户数据业务相关的用户数据面消息，对承载在IP之上的业务应用数据流进行识别，获取移动用户的用户业务使用信息；记录生成装置将同一移动用户的PDP上下文信息和用户业务使用信息相关联，生成所述移动用户的上网记录。本发明方案生成的上网记录包括PDP上下文信息和用户业务使用信息，使得实现数据业务的“明明白白消费”成为可能。

摘要：本发明提供了一种用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法。利用衬底结构中第一材料层相对于第二材料层具有较低的电阻率，从而在产生有微刻蚀缺陷而提前暴露出第一材料层时，即能够使得衬底结构的电阻提前出现突变而被及时的检测到，如此，即可以及时有效的检测出当前刻蚀工艺中是否存在微刻蚀现象而导致微刻蚀缺陷，并且还可以进一步的判断出对应采用的刻蚀设备是否存在异常。

摘要：本发明提供一种掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法，所述掩模层的重工方法包括：提供一衬底；去除待重工的掩模层，并使部分厚度的氮化硅层形成为氮氧化硅层；去除部分厚度的氮氧化硅层，且在对氮氧化硅层或氮化硅层执行第一蚀刻工艺时，具有第二厚度的氮氧化硅层和具有第一厚度的氮化硅层在第一蚀刻工艺下的蚀刻时间差异在预设范围内；形成图形化的掩模层。本发明中，通过去除部分厚度的氮氧化硅层，且在利用第一蚀刻工艺蚀刻时具有第二厚度的氮氧化硅层和具有第一厚度的氮化硅层的蚀刻时间差异在预设范围内，从而解决重工掩模层后的氮化硅层在干法蚀刻中报警的问题。

摘要：本发明提供了一种氮化硅蚀刻方法，包括：提供一衬底，衬底上具有氮化硅层；执行氧化工艺，在氮化硅层上形成氮氧化硅层；形成图形化的掩模层，图形化的掩模层覆盖氮氧化硅层；对氮氧化硅层及氮化硅层执行干法蚀刻工艺，并以标准蚀刻终点时间监控干法蚀刻工艺，其中，标准蚀刻终点时间利用氮化硅层的厚度、氮氧化硅层的厚度、氮化硅层的蚀刻速率以及氮氧化硅层的蚀刻速率建立。本发明中，利用氮氧化硅层覆盖氮化硅层以防止氮化硅层在重工工艺中氧化，使得经重工的衬底和未重工的衬底具有相同的结构，从而可以利用标准蚀刻终点时间对干法蚀刻工艺进行监控，以达到解决干法蚀刻机台因重工图形化的掩模层的衬底报警的问题。

摘要：本发明提供一种接触孔及其制作方法，该接触孔制作方法包括以下步骤，提供一半导体结构，其中，半导体结构包括多个间隔设置的闸极结构及覆盖闸极结构的层间介质层，于层间介质层的上表面形成一光阻层中，并图案化光阻层以得到光阻开口；基于图案化的光阻层形成接触孔于层间介质层，且于形成接触孔的过程中扩大光阻开口以使接触孔的内壁形成内壁转角；去除光阻层，并圆化接触孔的顶部转角及接触孔的内壁转角。本发明通过设计形成接触孔的步骤，当接触孔的底面与闸极结构上表面齐平时，增加扩大光阻开口的步骤，形成接触孔后增加圆化接触孔的顶部转角及内壁转角的步骤，增大了后续沉积步骤的沉积面积，降低了沉积难度，提升了后续沉积步骤的良率。