摘要：本发明提供一种减少金属刻蚀工艺反应腔室产生沉积物的方法，其在一具有MOS半导体组件基板表面形成一介电层后，并在介电层上设有一铝金属导电层，该铝金属导电层上设有一图案化光致抗蚀涂层，以图案化光致抗蚀涂层为掩膜，进行一般的刻蚀技术，在刻蚀结束后，并加入四氟化碳及二氮化二氢气体，四氟化碳可以减少现有技术因三氯化铝所产生的铝腐蚀，并通过此二气体与沉积在反应腔室内壁、反应腔室内的设备及铝金属导电层侧壁的聚合物进行反应，可以达到减少沉积物的效果，使定期维修保养的次数减少，并且使二次清洗平均间隔时间拉长，节省成本。

摘要：本发明提供一种智能检测转换反应室模式的控制方法，其利用检测反应室内部的参数设定来自我控制转换清洁型与污染型模式，且可混合检测执行清洁型与污染型模式的参数设定在同一反应室中，而通过检测参数设定来实时执行干式清洁(dryclean)与调适反应室状态，进而达到可延长平均清洁时距(mean time between clean，MTBC)，消除首片晶片(First Wafer)效应，以及降低工艺设备定期保养(preventive maintenance，PM)的费用的功效。

摘要：本发明提供了一种复配咪唑啉类缓蚀剂，其原料组成包括：油酸、二乙烯三胺、季铵化试剂、复配物，其中，所述复配物为焦锑酸钾，该复配咪唑啉类缓蚀剂是使油酸和二乙烯三胺反应得到咪唑啉中间体，然后再与季铵化试剂反应得到咪唑啉季铵盐缓蚀剂，最后加入复配物进行复配得到的。本发明还提供了该复配咪唑啉类缓蚀剂的制备方法。本发明所提供的复配咪唑啉类缓蚀剂是通过复配物与缓蚀剂进行复配，利用协同作用提高了缓蚀剂的缓蚀效率，生产成本低而且制备工艺简单。