摘要：一种高强无磁耐磨钢的制造方法，主要用于成品厚度是3-6mm规格的Mn13的制造，其工艺流程是：坯料—加热炉加热—高压水除鳞—二辊轧机初轧—四辊轧机精轧—保温炉保温—四辊炉卷轧制—层流冷却—卷曲—开平—检验—包装—交货。本发明解决了3-6mm薄规格产品不能单张固溶热处理的问题。实现了薄规格高强无磁耐磨钢（Mn13）的炉卷生产，同时实现了薄规格产品的在线固溶处理。

摘要：一种镍基合金Ni36板的加热和轧制方法，属于冶金领域，先电炉加热后再在煤气加热炉加热，电炉加热为钢坯装炉后，以50～80℃/h的加热速度加热，升温至500℃保温2小时出炉；所述煤气加热炉加热为：将温度不低于350℃的钢坯进入煤气加热炉加热，其预热段温度≤900℃，预热段时间为1h，进入加热段和均热段，加热段和均热段的温度控制在1130～1150℃，加热段和均热段的时间为1.5～2h。轧制工序的前三道次的压下量分别是10-12mm、15-17mm、20-22mm。本发明解决了镍基合金Ni36钢板表面轧制裂纹的问题。

摘要：本发明属于轧制板材的工艺方法，具体涉及一种4Cr13中厚板耐蚀模具钢轧制板材的工艺方法。按照坯料—轧制—空冷至200-250℃—入低温回火炉（或台车炉）—出炉缓冷——二次入低温回火炉—缓冷进行处理。本发明的有益效果是：解决了4Cr13中厚板轧后热应力裂纹、冷却易脆裂的问题。实现了4Cr13中厚板模具钢板材轧制。采用合理的冷却方式，实现了4Cr13中厚板模具钢预硬生产。使该产品成功进入市场使用。不需额外投入，效果好，实现了低成本、高利润生产。

摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层，并在开口的侧壁上形成第一侧墙；通过第一刻蚀工艺在开口暴露的控制栅层中形成凹陷，以使第一侧墙的靠近开口一侧的底部与控制栅层之间出现间隙；通过第二刻蚀工艺去除开口暴露的控制栅层及其下方的层间介质层；形成填满间隙的第二侧墙；去除开口暴露的浮栅层，并在开口内形成字线；去除硬掩膜层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明在开口暴露的控制栅层中形成凹陷，使后续形成的控制栅的顶角圆滑，提高了第二侧墙的厚度均匀性，从而避免控制栅和字线之间的隔离失效，确保闪存器件的正常运行。

摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层；在开口侧壁上形成第一侧墙并去除开口暴露的控制栅层；在开口侧壁上形成第二侧墙，同时去除开口底部暴露的层间介质层，以使所述开口下方的浮栅层暴露；去除开口底部暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及，去除所述硬掩模层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明取消了第二侧墙的制备工艺之前进行的层间介质层的湿法刻蚀工艺，使所述层间介质层在所述第二侧墙的制备过程中保护浮栅层不受刻蚀损伤，从而确保后续形成的浮栅及浮栅尖端的形貌稳定，提高了产品性能的稳定性及良率。

摘要：本发明提供了一种半导体量测结构及其量测方法，包括光栅原件和量测组件，光栅原件包括多个平行且等间距排布的光栅线条图形；量测组件包括多个平行且等间距排布的第一线条图形和多个平行且等间距排布的第二线条图形，且光栅线条图形、第一线条图形和第二线条图形的延伸方向相同；其中，光栅线条图形的光栅宽度与第一线条图形的第一宽度相同，相邻光栅线条图形间的光栅间距与相邻第二线条图形间的第二间距相同，相邻第一线条图形间的第一间距与第二线条图形的第二宽度相同。本发明通过获取第一间距和第二宽度的量测值来计算光栅宽度和光栅间距的实际值，从而减小了量测复杂度和时间成本，实现了光栅原件合格性的快速检测。

摘要：本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，去除硬掩膜层之后，进行浮栅材料层的刻蚀工艺，在第一侧墙的下方形成浮栅，并使所述浮栅中远离所述源线的侧壁的顶部形成浮栅尖端。本发明优化闪存器件的工艺流程，取消了在第一侧墙的形成步骤之前进行的浮栅材料层的刻蚀步骤，并使浮栅尖端形成于浮栅的远离源线的侧壁的顶部，减小了浮栅的厚度变化对浮栅尖端的尖锐程度的影响，为进一步缩小闪存器件的尺寸提供了便利。进一步地，本发明通过缩短第一侧墙的厚度使所述浮栅尖端暴露，优化了所述闪存器件的擦除效果。

摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层；在所述开口的侧壁上形成第一侧墙，去除所述开口暴露的控制栅层及其下方的层间介质层；在所述开口的侧壁上形成第二侧墙，去除所述开口底部的浮栅层，以暴露所述开口下方的衬底；在所述开口内形成字线；去除所述硬掩模层，回刻所述第一侧墙，以减小所述第一侧墙的宽度；去除暴露的控制栅层及其下方的层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明通过减小第一侧墙的宽度增大了浮栅和控制栅与后续形成的电连接件之间的距离，从而减小或避免浮栅和控制栅与电连接件之间发生击穿，提高了闪存器件的耐压性能。

摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，以图案化的硬掩模层为掩膜刻蚀所述图案化的硬掩模层下方的浮栅层和衬底，以形成隔离沟槽；判断所述刻蚀工艺是否发生异常；若所述刻蚀工艺发生异常，则进行两次或多次灰化及湿法清洗工艺；若否，则进行一次灰化及湿法清洗工艺，以去除刻蚀工艺中产生的副产物；以及，在所述隔离沟槽内填充形成介质层。本发明通过判断所述隔离沟槽的刻蚀工艺是否发生异常，来确定后续所需的灰化及湿法清洗工艺的次数，减少或避免浮栅层中因析出的磷与刻蚀过程中的副产物反应而产生的凹陷及杂质微粒，从而避免闪存器件的磷析出问题随着晶圆检测的次数增加、静置时间的延长以及晶盒开启次数的增加而恶化。

摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、测试方法，应用于半导体制备技术领域。与现有技术相比，本发明的制备方法，省去了在对浮栅层进行刻蚀形成浮栅尖端之前的牺牲氧化层的沉积、刻蚀工艺，而是对形成所述浮栅尖端的刻蚀工艺进行优化，从而使所述第二开口中所暴露出的所述浮栅层的侧壁由现有技术中的直角变为锐角(即所述第二开口中暴露出的所述浮栅层的侧壁且呈斜坡状)，因此，实现了节约工艺成本和形成的浮栅尖端可以做到很尖的目的。并且，由于本发明是通过对浮栅层的刻蚀时间的控制，来实现形成尖锐程度不同的浮栅尖端，因此，本发明还实现了增强浮栅尖端的局部电场、提高擦除能力的目的。