摘要：本发明公开了一种灶具的防干烧控制方法、系统、燃气灶及介质，该方法包括：采集灶具的振动信息；从振动信息中提取灶具的实时特征向量，并计算实时特征向量与预设振动特征向量的第一相似度；当第一相似度大于第一阈值时，采集灶具的温度信息；从温度信息中提取灶具的温度特征向量，并计算温度特征向量与预设干烧温度特征向量的第二相似度；当第二相似度大于第二阈值时，判断进入干烧状态并关闭灶具。本发明利用振动信息和温度信息共同作用对干烧状态进行判断，避免仅通过温度信息进行判断易造成误判；振动信息的时域和频域双维度信息区分蒸煮烹饪场景，利用实时特征向量与预设特征向量计算相似度，有效提升了干烧判定结果的准确性。

摘要：本发明公开了一种纳米材料及器件制备方法，特别是一种IIB-VIB族半导体/CdS纳米p-n结的制备方法。本发明是在化学气相沉积方法合成的磷掺杂p-型IIB-VIB族半导体纳米线的基础上，运用原子层沉积技术在p-型IIB-VIB族半导体纳米线表层包裹生长CdS壳层。将IIB-VIB族半导体/CdS核壳结构，通过光刻和电子束镀膜技术在所制备核壳结构的金电极和钛电极，从而制备完成IIB-VIB族半导体/CdS核壳结构纳米p-n结器件。本发明所制得的IIB-VIB族半导体/CdS核壳结构纳米p-n结性能良好、可控性高，可大规模制备；可广泛应用于太阳能电池、光电探测等纳米光电子领域。

摘要：本发明公了一种铋同步催化生长和掺杂p-型硒化锌纳米线的方法，属于纳米半导体材料制备和掺杂技术领域。本发明采用化学气象沉积方法，利用气-液-固生长机理，首先将纯度≥99.9％的硒化锌粉末置于水平管式炉的中部，将纯度≥99.9％的铋粉置于水平管式炉的前部，将生长衬底置于水平管式炉的后部，引入流量为85sccm的氩氢混合气作为载气并使炉内气压保持在20000-30000Pa。升温至1050℃并保温1h后降至室温。沉积衬底上生长出p-型硒化锌纳米线。该方法实现了硒化锌纳米线的同步生长和掺杂，避免了传统金催化生长过程中的杂质原子引入，简化了硒化锌纳米线的生长和掺杂工艺，降低了成本，且易于操作。

摘要：本发明公开了基于石墨烯和II-VI族半导体轴向p-n结纳米线阵列的柔性光电子器件及其制备方法。其包括柔性衬底、石墨烯层、II-VI族半导体轴向p-n结纳米线阵列、PMMA绝缘层、铝电极、金/钛电极。首先将石墨烯层转移至带有二氧化硅层的硅衬底上；然后利用化学气相沉积法在石墨烯层上生长II-VI族半导体轴向p-n结纳米线阵列；接着利用旋涂法在II-VI族半导体轴向p-n结纳米线阵列缝隙间填充PMMA绝缘层；再利用电子束蒸镀法在PMMA绝缘层上制备铝电极和在石墨烯层裸露一侧之上制备金/钛电极；最后利用牺牲层刻蚀转移法将器件整体从硅衬底上转移至柔性衬底。本发明采用了石墨烯和II-VI族半导体轴向p-n结纳米线阵列，有效提高了无机柔性光电子器件的密度和延展性。

摘要：一种作业起下管柱自动测量装置包括可逆计数器、霍尔传感器、磁标和承载开关，其霍尔传感器与磁标相对安装，霍尔传感器安装在支架上，磁标安装在天车滑轮的轮缘上，承载开关安装在井口封井器法兰上，可逆计数器安装在修井机操作室内；霍尔传感器和承载开关分别通过屏蔽电缆与可逆计数器相连，可逆计数器与供电电源相接。本发明实现了实时录取起下管柱数据，克服了过去人工测量录取起下管柱数据的繁琐工作的弊端，使得了解进度更加直观快捷，操作简单。在井下自动起下管柱测取技术领域具有突破性，此技术也可用于其他如起下钻具及抽油杆深度的测量，用途广泛。

摘要：本发明公开了一种基于水平排布纳米线薄膜的柔性异质结太阳能电池阵列及其制备方法。其包含一层柔性衬底层、太阳能电池阵列、一层柔性封装层，太阳能电池阵列被设置于柔性衬底层和封装层之间且包含矩阵排列的太阳能电池结构单元和铜连接线，太阳能电池结构单元包含p型纳米线薄膜、n型半导体薄膜、钛电极和双层金电极。首先制备钛电极和第一层金电极；然后将p型纳米线薄膜转移至适当位置并制备第二层金电极；接着制备n型半导体薄膜和沉积铜连接线；再然后旋涂柔性衬底层并利用牺牲层刻蚀法完成器件转移；最后旋涂柔性封装层。本发明充分发挥了纳米器件在柔性太阳能电池领域的优势，并解决了其有效面积小的问题。

摘要：本发明公开了一种大面积二硫化锆薄膜及其原子层沉积制备方法，是通过锆前驱体和硫前驱体交替通入反应腔，并在衬底表面发生自限性化学反应生长而成的。制备过程包含10‑5000个生长循环，每个生长循环包含四个步骤：1)首先向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入锆前驱体并使之吸附于衬底表面，2)其次向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入高纯氮气以清洗过量锆前驱体和反应副产物，3)然后向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入硫前驱体并使之与吸附于衬底表面的锆前驱体发生自限性反应并生成二硫化锆原子层，4)最后向原子层沉积系统的反应腔内

摘要：本发明公开了一种ZrS₂/III‑VI族半导体纳米线阵列异质结、制备方法及应用。其包括一层n‑型III‑VI族半导体衬底，III‑VI族半导体衬底上设有同种材料的纳米线阵列结构，III‑VI族半导体衬底以及纳米线阵列表面上设有一层原子层沉积工艺制备ZrS₂薄膜。由于本发明所涉及的异质结是由新型二维半导体ZrS₂与表面具有三维纳米结构的半导体衬底结合而成，不但可以发挥出新型二维材料的优点，还可以达到调控吸光波长、增强光吸收的效果；并且原子层沉

摘要：本申请是关于一种图像数据处理方法、装置、设备及存储介质，具体涉及计算机视觉技术领域。所述方法包括：获取并对图像数据进行人脸识别，获取图像数据中的目标人脸图像区域；基于目标人脸图像区域中的像素值，生成目标卷积核并对图像数据进行卷积处理，获得各个候选卷积值；选取至少一个大于目标阈值的目标卷积值，并在图像数据中确定生成目标卷积值的目标区域；将目标区域与目标人脸图像区域进行图像混合处理，得到目标图像数据。基于上述方案生成的目标图像数据对神经网络模型进行训练时，可以在避免隐私泄露的前提下，尽可能提高对神经网络模型的训练效果。

摘要：本发明公开了一种烹饪状态识别、模型训练方法、系统、设备及存介质，所述训练方法包括：获取历史烹饪过程中不同烹饪状态下的至少两类检测传感器的烹饪数据；从烹饪数据中提取得到多个特征数据；对多个特征数据进行降维处理，得到预设数量的降维特征数据；将降维特征数据输入分类算法进行训练，训练得到烹饪状态识别模型；烹饪状态识别模型以烹饪数据为输入，以烹饪状态为输出。通过事先记录的烹饪过程中不同烹饪状态下的多维度感知信息，提取包括分别与至少两类检测传感器的烹饪数据对应的多个特征数据，再利用主成分分析法降维处理以提取保留几个信息量较大的降维特征，再以降维特征输入分类模型进行训练得到烹饪模式预测模型。