摘要：本发明公开了一种等离子体加工设备及其工作方法，涉及等离子体加工技术领域，能够清除等离子体加工设备内的残余电荷，提高等离子体加工设备工作的稳定性。本发明提供的等离子体加工设备包括反应腔室，分别位于所述反应腔室的顶部和底部上且相对设置的上电极和下电极，以及位于所述反应腔室外部的射频电源，还包括设置于所述反应腔室外部的开关，所述开关与所述上电极相连接，且所述开关用于对所述上电极的接通路径进行控制以使所述上电极与所述射频电源连接或者与地连接。本发明可用于等离子体加工技术中。

摘要：本发明提出一种基板处理设备的放电组件，包括：具有第一端和第二端的驱动电源；具有沿其厚度方向贯通的通气孔的绝缘阻挡件；多个第一电极，第一电极与驱动电源的第一端相连且分别设在绝缘阻挡件的下表面上；和多个第二电极，第二电极与驱动电源的第二端相连且分别设在绝缘阻挡件的上表面上且与多个第一电极成对设置；其中每个电极对中的第一电极和第二电极在绝缘阻挡件的厚度方向上错开，以使第一电极和第二电极产生的等离子体放电区域位于绝缘阻挡件下方。根据本发明的放电组件采用介质阻挡放电(DBD)，具有高的放电电压，且结构简单，易于控制。本发明还提出一种腔室装置和具有该腔室装置的PECVD设备。

摘要：本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括用于产生等离子体的工艺腔、设置在所述工艺腔顶部的点火装置和射频源，其中，点火装置用于使位于点火装置部分的等离子体启辉；射频源用于分别向第一射频线圈和点火装置提供射频能量，并通过对第一射频线圈和点火装置获得的射频能量进行分配调节，而使位于点火装置部分以及工艺腔内的等离子体顺序启辉。本发明提供的反应腔室，其可以在保证顺利启辉的前提下，使工艺腔内的工艺气压恒定不变，从而可以提高整个工艺的稳定性。而且，由于在启辉过程中，工艺腔内的工艺气压较低，这不仅可以提高刻蚀均匀性，而且还可以避免启辉电压较高损伤基片。

摘要：本发明提供一种等离子体腔室和用于物理气相沉积的预清洗设备。本发明公开的等离子体腔室包括腔体、等离子体发生器、以及设置于腔体内用于支撑被加工工件的基座；还包括等离子体调节装置，等离子体调节装置设置在基座上方；且当工艺时，等离子体调节装置的表面形成有鞘层，等离子体中的离子密度大的区域中的部分离子被鞘层中的电子中和为中性粒子，从而使到达被加工工件表面的等离子体中的离子密度趋于均匀。本发明公开的用于物理气相沉积的预清洗设备包括本发明的等离子体腔室。本发明的等离子体腔室及预清洗设备内的等离子体的密度分布均匀，对被加工工件的加工质量高。

摘要：本发明提供一种下电极装置以及等离子体加工设备，其包括用于承载被加工工件的承载件；该承载件采用导电材料制作，并且在承载件上表面的不同区域之间存在高度差。本发明提供的下电极装置，其通过使承载件上表面的不同区域之间存在高度差，即，使承载件上表面的不同位置与地之间的距离不同，可以调节各个区域的电场强度，以补偿在各个区域之间存在的电场强度的差异，从而可以使等离子体相对于承载件上表面的各个区域的分布趋于均匀，进而可以提高工艺的均匀性，改善工艺结果。

摘要：本发明公开了一种检测耳机插头插入到位的方法和终端，涉及检测技术，为解决现有技术不能正确检测出带麦克的耳机插头是否插入到位的问题而发明。本发明的技术方案为：一种检测耳机插头插入到位的方法，包括：检测耳机插头麦克部分是否插入到位；根据所述耳机插头麦克部分的检测结果，输出所述耳机插头是否插入到位的检测结果。本发明实施例提供的检测耳机插头插入到位的方法和装置，适用于手机、PDA等可视化的电子设备上。

摘要：本发明涉及到一种狭缝放电等离子体动态均匀性的检测方法，其特征包括如下步骤：A.一个狭缝放电装置产生放电等离子体；B.放电等离子体发出的光经透镜成像后，用带有孔径为a的光阑的接收屏接收；C.光阑后设置光电倍增管，来探测等离子体区域面积的发光信号，光信号转换成电信号后由数字示波器记录；D.根据记录的光信号，计算在放电电压每半周期内，放电的次数，分析发光的等离子体区的放电丝数与放电面积的关系来确定等离子体是否达动态的均匀。本发明的检测方法对微等离子体在工业方面的应用具有重要意义。

摘要：本发明提供的一种预沉积工艺、扩散工艺及扩散设备，其中，预沉积工艺用于在衬底表面沉积扩散所需的扩散源薄膜，包括步骤S1：按预定顺序先后向扩散腔室通入两种以上的前驱体，并且在通入每种前驱体之后，且在通入下一种前驱体之前，向扩散腔室通入吹扫气体，吹扫气体为不与前驱体发生反应的气体，并且，进行上述步骤至少一次。本发明提供的预沉积工艺，其不仅可以精确控制沉积在衬底表面上的扩散源薄膜的厚度，从而可以精确控制扩散工艺的掺杂浓度和结面深度，而且可以提高衬底表面的扩散源薄膜生长的均匀性，从而可以提高图形衬底的台阶覆盖性、工艺重复性和成膜质量。

摘要：本发明提供一种反应腔室及等离子体加工设备，反应腔室包括套置在反应腔室的侧壁内侧的法拉第屏蔽件、绝缘环和采用不导磁的金属材料制成的遮挡环，法拉第屏蔽件叠置在绝缘环上，沿法拉第屏蔽件的周向间隔设置有至少一条开缝，且开缝沿法拉第屏蔽件的竖直方向设置，遮挡环环绕在法拉第屏蔽件与绝缘环连接处的内侧，且不与法拉第屏蔽件相接触，并接地；遮挡环用于遮挡反应腔室内的金属离子沉积在开缝与绝缘环的连接处。本发明提供的反应腔室，其可以提高反应腔室内工艺的稳定性，从而可以提高工艺质量。

摘要：本发明提供反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括采用不导磁的材料制成的法拉第屏蔽环和采用绝缘材料制成的绝缘环，在法拉第屏蔽环上设置有开缝，法拉第屏蔽环和绝缘环均套置在反应腔室的侧壁内侧，且法拉第屏蔽环叠置在绝缘环上，在绝缘环的内周壁内侧设置遮蔽环，遮蔽环与法拉第屏蔽环下表面的边缘区域连接，遮蔽环上设置有开缝，且遮蔽环采用不导磁的材料制成，并且，遮蔽环的外周壁与绝缘环的内周壁在水平方向上存在水平间距。该反应腔室，不仅可以避免降低打火风险，而且可以降低金属粒子剥落对反应腔室造成的污染；另外，可以增大反应腔室的内径和可利用控制。