摘要：本发明公开一种基于气流粉碎技术制备止血材料的方法，包括：(1)配制纤维蛋白原溶液：纤维蛋白原溶液包括如下组分：纤维蛋白原2.5‑3.5wt％、海藻糖10‑25wt％、甘氨酸2‑10wt％、氯化钠1.0‑1.5wt％、枸橼酸钠0.1‑0.6wt％、盐酸精氨酸2.0‑2.5wt％、余量为注射用水；(2)将纤维蛋白原溶液冷冻干燥，气流粉碎后制得纤维蛋白原粉；(3)配制凝血酶溶液：凝血酶溶液包括如下组分：凝血酶0.1‑0.5wt％、海藻糖1.5‑5.0wt％、氯化钙0.3‑1.0wt％、甘氨酸0.5‑2.0wt％、蔗糖1.0‑3.0wt％、右旋糖酐20 0.5‑2.0wt％、余量为注射用水；(4)将凝血酶溶液冷冻干燥，气流粉碎后制得凝血酶粉；(5)将纤维蛋白原粉与凝血酶粉混合，灌装，干燥，制得止血材料。本发明的制备工艺简单、周期短，制备的材料临床使用方便，止血效果优异，具备更广阔的应用前景。

摘要：本发明公开一种止血复合材料及其制备方法：包括(1)将介孔硅和纳米氧化锌分散于含凝血因子XIII和纤维蛋白原的溶液中，搅拌，抽滤，干燥，制得组分A；(2)将介孔硅和纳米氧化锌分散于含凝血酶和氯化钙的溶液中，搅拌，抽滤，干燥，制得组分B；(3)将组分A与组分B混合，得到止血复合材料。本发明以介孔硅和纳米氧化锌作为原料，介孔硅通过快速吸收水分，加速负载组分的快速溶解，启动反应，促发纤维蛋白胶形成，实现快速止血；介孔硅作为载体，可以显著提高止血复合材料的流动性，更易精准给药，进一步提高止血效果。纳米氧化锌具备的抗菌和加速创面愈合功能，可以进一步提高治疗效果。本发明方法制得的止血复合材料具有显著的临床优势。

摘要：本申请提供了一种数据传输管理方法、电子设备及存储介质，涉及智能终端领域。所述方法应用于与无线接入点之间存在第一链路的第一电子设备。所述方法包括：响应于用户操作，确定与第一电子设备之间进行数据传输的第二电子设备，第二电子设备和无线接入点之间存在第二链路；建立用于和第二电子设备进行数据传输的第三链路；当满足第一预设条件时，建立与第二电子设备连接的第四链路并断开第一链路；或当满足第一预设条件时，建立与第二电子设备连接的第四链路并保持第一链路；所述第三链路所处的频段和预设频段不同。本申请实施例可以提高数据传输的效率。

摘要：本发明提供了一种在梯度磁场下制备Fe3O4纳米棒的方法，是在梯度磁场作用下，将溶有铁离子和亚铁离子的溶液滴入充有氨气的反应器中，于80℃~90℃下反应40~50分钟；溶液中析出黑色沉淀物；冷却至室温，分别用蒸馏水、乙醇洗涤，真空干燥，得到Fe3O4纳米棒。扫描电镜、透射电镜和X射线衍射等分析表明，制备的Fe3O4纳米棒本结构整齐有序，晶体完整，形貌均一，直径为35~45nm，长度为300~400nm；室温下对产物进行磁性能分析，发现产物剩磁和矫顽力可忽略，饱和磁化强度为54~86emu/g，表现出超顺磁性；磁响应分析说明Fe3O4纳米棒也具有较高的磁响应性，这种特性在药物输送系统和催化领域有非常大的潜在应用前景。

摘要：本发明公开了一种适用于太阳能光伏和光热的新型免跟踪式聚光器，包括入射面、反射面和出射面，所述入射面与出射面处于同一平面上，且入射面的表面积大于出射面的表面积，所述反射面为多面体，所述入射面、反射面、出射面以及两个互相平行且大小相同的面合围成柱体结构，在所述柱体结构内充满透明物质，在出射面上面设置有太阳能接收设备，可以为双面光伏设备，亦可为真空管式太阳能热水设备，所述太阳能接收设备的背光面与出射面相对，所述太阳能接收设备的向光面接收太阳直射和散射。本发明不仅能接受来自聚光器聚集的太阳能，还能接收到太阳的直接辐射和散射辐射，大大增加单位面积上太阳能的利用率。

摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种相变存储器的阵列结构及其制备方法。该相变存储器的阵列结构利用竖直p-n结二极管作为相变存储单元的陈列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直p-n结二极管阵列器件的埋层字线。该相变存储器的阵列结构可以降低埋层字线的电阻率、提高相变存储器的集成度以及提高相变存储器的存取速度，而且，该金属硅化物埋层的形成工艺简单，并与通常的集成电路工艺兼容。

摘要：本发明提供一种浮栅非挥发半导体存储器和制造方法。所述浮栅非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极、漏极、第一绝缘层、第一多晶硅层、第二绝缘层、第二多晶硅层、保护层及侧墙。所述源极、漏极位于所述衬底上，所述第一绝缘层位于所述衬底上的源极、漏极区域对应的以外区域。所述第一多晶硅层位于所述第一绝缘层上，以形成浮栅，所述第二绝缘层位于所述第一多晶硅层上，所述第二多晶硅层位于所述第二绝缘层上，以形成控制栅及字线。所述侧墙位于所述字线两侧，所述保护层位于所述第二多晶硅上。所述漏极区域的半导体结为P-N结，所述源极区域的半导体结为金属半导体结。

摘要：本发明提供一种电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法。所述电荷俘获非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极区域、漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡绝缘层和栅电极。所述漏极区域及源极区域均包括金属半导体结。本发明电荷俘获非挥发半导体存储器的编程电压低、编程速度快、功耗较低、可靠性较高。

摘要：本发明提供一种电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法。所述电荷俘获非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极区域、漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡绝缘层和栅电极。所述漏极区域及源极区域均包括混合的半导体结，所述混合的半导体结包括金属半导体结和P-N结。本发明电荷俘获非挥发半导体存储器的编程电压低、编程速度快、功耗较低、可靠性较高。

摘要：本发明提供一种电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法。所述电荷俘获非挥发半导体存储器包括一半导体衬底、一源极区域、一漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的一隧道绝缘层、一电荷俘获层、一阻挡绝缘层和一栅电极。所述漏极区域包括P-N结，所述源极区域包括金属钛、钴、镍、铂中任意一种或者其混合物与半导体衬底形成的金属半导体结。本发明电荷俘获非挥发半导体存储器的编程电压低、编程速度快、功耗较低、可靠性较高。