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发明专利:14764实用新型: 11792外观设计: 1026
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申请号:201210046656.8 公开号:CN102645805A 主分类号:G02F1/1362(2006.01)I
申请人:北京京东方光电科技有限公司 申请日:2012.02.24 公开日:2012.08.22
发明人:张金中
摘要:本发明实施例提供一种阵列基板及制备方法和液晶显示器,该阵列基板包括基板,在基板上依次设置有控制电极层、巨磁电阻层、绝缘层、像素电极层和信号电极层,控制电极层、巨磁电阻层和绝缘层共同构成巨磁电阻有源矩阵;信号电极层与巨磁电阻层相连,像素电极层与巨磁电阻层相连;所述巨磁电阻层包括由靠近基板到远离基板的方向依次设置的反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁隔离层和软磁层,反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间是反铁磁耦合,铁磁被钉扎层和软磁层之间是铁磁性耦合。本发明可以有效提高液晶显示器的Ion特性、加快充电速度以及提高亮度。
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申请号:201110306262.7 公开号:CN102629555A 主分类号:H01L21/283(2006.01)I
申请人:北京京东方光电科技有限公司 申请日:2011.10.11 公开日:2012.08.08
发明人:张金中
摘要:本发明公开了一种栅极绝缘层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置以及制备方法,包括:采用等离子化学气相沉积技术,在具有栅极图形的基板上沉积第一氮化硅层;在所述第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层;在所述第二氮化硅层上沉积氮掺杂非晶硅层。本发明中所述的氮掺杂非晶硅层与作为薄膜晶体管的有源半导体层的非晶硅的晶格匹配度高,从而降低了晶格畸变程度,并减少了缺陷数量,载流子在迁移过程中受到的捕获和散射几率降低,提高了等效载流子迁移率,进而提高了薄膜晶体管的性能,尤其是离子(Ion)特性。
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申请号:201110066710.0 公开号:CN102655115A 主分类号:H01L21/77(2006.01)I
申请人:北京京东方光电科技有限公司 申请日:2011.03.18 公开日:2012.09.05
发明人:张金中
摘要:本发明实施例提供一种TFT阵列基板、及其制作方法和制造设备,涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域,能够改善TFT的充电特性,提高TFT载流子迁移率,且实现简便、成本较低。方法包括:在基板上形成栅绝缘层;在第一CVD腔体内,对所述栅绝缘层通H2进行表面处理,之后,在所述栅绝缘层上沉积第一a-Si有源层;在内部充有高压N2和H2的第二CVD腔体内,对所述第一a-Si有源层进行退火处理;退火处理之后,在所述第一CVD腔体内,在所述第一a-Si有源层上分别沉积第二a-Si有源层和第三a-Si有源层,在所述第三a-Si有源层上沉积P掺杂n+非晶硅层。本发明实施例用于TFT阵列基板制造。
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申请号:201410062722.X 公开号:CN103872139A 主分类号:
申请人:北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 申请日:2014.02.24 公开日:2014.06.18
发明人:张金中
摘要:本发明提供一种薄膜晶体管,该薄膜晶体管的有源层包括交替层叠设置的多层有源半导体子层和的多层绝缘隔离子层,所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述多层有源半导体子层导电连接。相应地,本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法,以及一种阵列基板和显示装置。本发明能够有效地增加薄膜晶体管中有源层的沟道电流,能够弥补有源层载流子迁移率较低导致的沟道电流较小的问题。
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申请号:201410419804.5 公开号:CN104241551A 主分类号:
申请人:京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 申请日:2014.08.22 公开日:2014.12.24
发明人:张金中
摘要:本发明实施例提供的一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,对衬底基板上所需沉积相同材料的像素电极通电,并对位于蒸发源处的电极通电,形成电场;将与所需沉积材料对应的蒸镀材料放入蒸发源内,使蒸镀材料离子化,离子化后的蒸镀材料在电场的作用下沉积在衬底基板上,由于仅在所需沉积材料的像素电极处通电,因此可以使所需沉积材料的各像素单元沉积材料的厚度高于其他各像素单元;将其他各像素单元中沉积的材料刻蚀去除,使衬底基板仅在之前通电的像素电极上具有蒸镀材料,这样在依次沉积和刻蚀的过程中,形成所需材料的图形,避免了因采用掩膜板制作材料图形时由于对位产生误差,而限制成品的分辨率,有利于提高OLED的分辨率。
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申请号:201410440677.7 公开号:CN104233196A 主分类号:
申请人:京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 申请日:2014.09.01 公开日:2014.12.24
发明人:张金中
摘要:本发明提供一种蒸镀坩埚和蒸镀装置,所述蒸镀坩埚包括坩埚本体,所述坩埚本体上形成有容纳腔,所述蒸镀坩埚还包括导热层,所述导热层设置在所述坩埚本体的内壁上,且制成所述导热层的材料的热传导率大于制成所述坩埚本体的材料的热传导率。本发明所提供的蒸镀坩埚能够对蒸镀材料进行均匀加热,改善蒸镀效果。
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申请号:201410448648.5 公开号:CN104241540A 主分类号:
申请人:京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 申请日:2014.09.04 公开日:2014.12.24
发明人:张金中
摘要:本发明公开了一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置,包括衬底基板,依次设置在衬底基板上的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层,其中,空穴传输层的材料为具有P型掺杂的材料,P型掺杂的LUMO能级与空穴传输层本体材料的HOMO能级较为接近,因此空穴传输层本体材料的HOMO能级中电子能够跃迁到P型掺杂的LUMO能级,从而增加空穴传输层中自由空穴载流子的数量,提高了空穴载流子的迁移率,这样便于提高电子和空穴在发光层复合形成电子-空穴对的几率,以改善电子-空穴对的平衡程度,从而提高OLED的发光性能。
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申请号:201410453471.8 公开号:CN104241330A 主分类号:
申请人:京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 申请日:2014.09.05 公开日:2014.12.24
发明人:张金中
摘要:本发明提供了一种有机发光二极管显示装置及其制作方法,该显示装置具有多个像素开口区域,包括:阵列基板及位于阵列基板上且位于每个像素开口区域内的发光器件,该发光器件包括:空穴传输层、发光层和电子传输层。其中,发光层完全覆盖一个像素开口区域;空穴传输层和电子传输层分别位于发光层的两侧,或者空穴传输层和电子传输层位于发光层的同一侧;空穴传输层在发光层上的垂直投影和电子传输层在发光层上的垂直投影均部分覆盖一个像素开口区域,且二者相互错开。上述显示装置及其制作方法,能够减少光线传输到发光器件外所需经过的膜层数,减少由膜层的吸收和散射造成的光线损失,提高发光器件的外量子效率,进而提高显示装置的出光效率。
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申请号:201410104325.4 公开号:CN103902132A 主分类号:
申请人:京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 申请日:2014.03.20 公开日:2014.07.02
发明人:张金中
摘要:本发明提供一种电感式触摸屏、显示面板及显示装置,该电感式触摸屏包括:第一电磁感应层,包括多条沿第一方向设置的第一导线;第二电磁感应层,包括多条沿第二方向设置的第二导线,所述第二导线与所述第一导线交叉绝缘设置;驱动电路,与所述第一导线和所述第二导线连接,用于交替向所述第一导线和所述第二导线提供驱动电流,通有所述驱动电流的第一导线或第二导线产生磁场;感应电路,与所述第一导线和所述第二导线连接,用于感应所述第一导线或第二导线中的电流变化,所述电流变化用于确定触摸导体的触摸位置。本发明可以实现非接触式的触摸感应。
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申请号:201410453736.4 公开号:CN104218043A 主分类号:
申请人:京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 申请日:2014.09.05 公开日:2014.12.17
发明人:张金中
摘要:本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,该阵列基板包括:衬底基板及位于衬底基板上的包括源极和漏极的图形,还包括:位于衬底基板与包括源极和漏极的图形之间的隧道结结构,隧道结结构形成阵列基板的有源层。上述阵列基板及其制作方法、显示装置具有较高的载流子迁移率,TFT的开关速度更快;TFT的阈值电压不易发生漂移,具有较高的均匀性;每个像素能够使用更少的TFT,像素的开关速度更快;且制作工艺更简单易行。
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