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发明专利:1072实用新型: 479外观设计: 27
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申请号:202011081061.7 公开号:CN112697746A 主分类号:G01N21/3581
申请人:浙大宁波理工学院 申请日:2020.10.11 公开日:2021.04.23
发明人:于欣;徐安
摘要:本发明涉及一种基于光谱信息的红薯粉明矾含量检测方法,特别涉及测量领域。包括以下步骤:S1:通过光谱仪得到红薯粉的可见‑近红外光谱信息;S2:获取多个红薯粉样本,并通过光谱仪得到所述样本的近红外光谱信息;S3:将所述可见‑近红外光谱信息和所述近红外光谱信息合称为光谱信息,对所述光谱信息进行预处理得到预处理信息;S4:对所述预处理信息进行数据降维得到最终降维数据;S5:根据所述最终降维数据进行建模得到明矾检测模型。本方案解决了如何对红薯粉成分进行无损检测的技术问题,适用于红薯粉明矾含量的无损检测。
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申请号:202511102215.9 公开号:CN120598065A 主分类号:G06N5/04
申请人:蓝耘科技集团股份有限公司 申请日:2025.08.07 公开日:2025.09.05
发明人:徐欣;安江华;徐佳
摘要:本发明涉及大模型调度技术领域,具体公开了一种大语言模型多用户高并发高吞吐推理方法及系统,所述方法包括对每一采集时段内的所有用户信息进行识别,提取并统计字词,得到字词库;根据所述字词库确定宏观限制边界;以每个用户为索引,统计用户信息对应的字词,得到每个用户的字词变化信息,根据所述字词变化信息在宏观限制边界中确定微观限制边界;对任一用户,根据微观限制边界蒸馏得到子模型,基于所述子模型构建交互信道;本发明为每个用户蒸馏出单独的子模型,用于完成其大部分交互需求,响应速度极快,并且蒸馏出的子模型一般是本地模型,不占用大模型的实时资源,优化了任务处理架构。
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申请号:200410036119.0 公开号:CN1736439 主分类号:A61K36/808(2006.01)I
申请人:谢庚安 申请日:2004.10.25 公开日:2006.02.22
发明人:谢庚安;徐淑欣
摘要:本发明公开了一种治疗银屑病的中药冲剂,它由紫草,金银花,生黄芪,土茯苓,防风,三七,玄参,丹参,丹皮,当归,鸡血藤,苦参,甘草等十六味中药,经科学配比加工而成。该治疗银屑病的中药冲剂,治愈率较高,无毒副作用,对各种类型、各种病程期均有较好的治疗效果。
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申请号:201710594258.2 公开号:CN107978532A 主分类号:H01L21/50(2006.01)I
申请人:力成科技股份有限公司 申请日:2017.07.20 公开日:2018.05.01
发明人:徐宏欣;王启安
摘要:本发明揭露一种形成堆叠式封装结构的方法。对第一半导体封装体的模封复合物进行激光钻孔,以在模封复合物内形成多个贯穿孔。导电层形成于模封复合物上,以使模封复合物被导电物质所覆盖,且使上述的多个贯穿孔被导电物质所填充。导电层被研磨后,会暴露出模封复合物。第二半导体封装体堆叠在第一半导体封装体上,以使第二半导体封装体的多个金属凸块与填充于多个贯穿孔内的导电物质接触。本发明可减少堆叠式封装结构的厚度。
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申请号:201710905860.3 公开号:CN107978569A 主分类号:H01L23/31(2006.01)I
申请人:力成科技股份有限公司 申请日:2017.09.29 公开日:2018.05.01
发明人:王启安;徐宏欣
摘要:本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法,其包括基板、芯片、密封体、多个焊球以及图案化金属层。基板具有彼此相对的第一表面以及第二表面。芯片设置于第一表面上且电连接至基板。密封体密封芯片且覆盖于第一表面。焊球位于第二表面上且与基板电连接。图案化金属层位于密封体上。图案化金属层包括至少一凸出部以及由至少一凸出部所定义的至少一凹陷部。凸出部面向密封体。黏着层位于图案化金属层以及密封体之间。黏着层填充于凹陷部中。
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申请号:201710975893.5 公开号:CN107978583A 主分类号:H01L23/498(2006.01)I
申请人:力成科技股份有限公司 申请日:2017.10.19 公开日:2018.05.01
发明人:王启安;徐宏欣
摘要:本发明提供一种封装结构及其制造方法。封装结构包含电路载体、衬底、晶粒、多根导电线以及密封体。衬底设置于电路载体上且包含多个开口。晶粒设置于电路载体与衬底之间。导电线穿过衬底的开口以电性连接在衬底与电路载体之间。密封体设置于电路载体上且密封晶粒、衬底以及导电线。
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申请号:201710982289.5 公开号:CN107978584A 主分类号:H01L23/498(2006.01)I
申请人:力成科技股份有限公司 申请日:2017.10.20 公开日:2018.05.01
发明人:王启安;徐宏欣
摘要:本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法,其包括线路载板、第一芯片、支线架、多个第一导电连接件、第一密封体以及封装件。第一芯片设置于线路载板上。第一芯片具有主动面以及相对于主动面的晶背,且主动面面向线路载板。支线架位于第一芯片的晶背上,且支线架具有多个开口。第一导电连接件位于线路载板上,且第一导电连接件对应于开口设置。第一密封体位于线路载板与支线架之间且包封第一芯片。封装件设置于支线架上且通过第一导电连接件电连接至线路载板。
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申请号:201710984049.9 公开号:CN107978566A 主分类号:H01L21/98(2006.01)I
申请人:力成科技股份有限公司 申请日:2017.10.20 公开日:2018.05.01
发明人:王启安;徐宏欣
摘要:本发明提供一种堆叠封装结构的制造方法,其包含至少以下步骤。形成第一封装结构且在第一封装结构上形成第二封装结构。第一封装结构包含电路载体以及设置于电路载体上的晶粒。形成第一封装结构包含:在电路载体上提供导电中介板,通过密封体密封导电中介板,以及移除密封体和导电中介板的板的一部分。导电中介板包含板体、从板体分别延伸到电路载体和晶粒的多个导电柱以及导电突起。导电突起设置于晶粒上,且导电柱电性连接到电路载体。第二封装结构通过导电中介板电性连接到第一封装结构。
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申请号:202110485921.1 公开号:CN113921471A 主分类号:H01L21/8238
申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 申请日:2021.04.30 公开日:2022.01.11
发明人:李欣怡;徐志安
摘要:本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中,实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。
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申请号:202511548997.9 公开号:CN121487333A 主分类号:H10D84/01
申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 申请日:2021.04.30 公开日:2026.02.06
发明人:李欣怡;徐志安
摘要:本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中,实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。
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