摘要：本发明涉及一种大电流/高压二极管的制备方法，所述大电流/高压二极管；包括分开布置的第一引脚和第二引脚，二极管芯片以及塑封体；第一引脚有第一贴片基岛，而第一贴片基岛有与其互为一体的第一引线；第二引脚有第二贴片基岛，而第二贴片基岛有与其互为一体的第二引线；二极管芯片、第一贴片基岛和第二贴片基岛封装在塑封体内；二极管芯片的背面通过不导电胶层装在第一贴片基岛和第二贴片基岛上，二极管芯片表面的正极和负极分别通过金线与第一贴片基岛和第二贴片基岛电连接；而其：大电流/高压二极管的制备步骤依次是：圆形硅片贴膜、划片、装片、焊线、塑封、固化、去飞边、电镀和切筋成型。本发明具有工艺合理、制成品体积相对较小等优点。

摘要：本发明提供一种OLT与ONU连通检测方法，OLT与ONU连通检测方法包括：将待检测的OLT与ONU分别通过网线连接到一台能够发送和接收报文的仪表的第一网口与第二网口，将一台计算机与仪表通过网络连接，将待检测的OLT通过串口线连接到计算机的串口中，以便于通过计算机相应的软件配置OLT；配置OLT使得ONU与OLT相连，配置仪表发送的业务数据流；从仪表的第二网口发送的业务数据流通过ONU与OLT转发，在仪表的第一网口检测接收，以检测ONU到OLT的连通性；分析发送和接收的业务数据流，确定连通故障原因。本发明的技术方案可以快速确定OLT与ONU之间的业务连通故障。

摘要：本发明公开了一种功率型大电流器件装片工艺，该工艺采用具有升温区域、温度稳定区域和降温区域的温度轨道，并且该工艺的步骤如下：(a)将器件框架送入升温区域进行加热处理；(b)接着将器件框架送入温度稳定区域，并将焊料点焊在器件框架的PAD区域上；(c)在温度稳定区域内，采用压模头将器件框架的PAD区域上的焊料修整为配合芯片尺寸的具有一定高度的“口”字形结构；(d)在温度稳定区域内，将芯片安放于器件框架的PAD区域上，使芯片背面的金属与焊料在温度环境下共熔形成合金，从而得到半成品；(e)将半成品送入降温区域，在降温区域内，芯片和器件框架之间的合金固化。本发明能够提高产品制程质量以及可靠性水平，降低客户端失效比例，提高使用寿命。

摘要：本发明提出了一种无源光网络中排查异常光网络单元的方法和装置，其中方法包括：确定异常光网络终端的类型；如果是长发光光网络终端，通过长发光检测开关确定无源光网络口下长发光光网络终端的序列号，根据所述序列号对所述长发光光网络终端进行关闭操作；如果是没有注册成功的网络终端，通过静默开关控制没有注册成功的光网络终端进行注册操作；如果是硬件损坏的光网络终端，确定无源光网络口下硬件损坏的光网络终端的序列号，根据所述序列号对所述长发光光网络终端进行拆除操作。本发明能够保障正常ONU的业务带宽。

摘要：本发明提供一种数据备份方法及系统。根据本发明所述方法，所述系统检测执行备份的服务器类型是否符合预设的服务器类型；在确定符合时，按照预设的服务器类型所对应的备份方式，将数据库中的数据备份到相应数据备份服务器中。本发明有效解决了企业数据备份需要设置大量存储服务器的问题。

摘要：本发明公开一种商品的快速查找方法，包括：输入查找的商品名称；根据所述商品名称在商品数据库中搜索匹配的商品；调取匹配的商品的位置信息；以及根据调取的商品位置信息查找所述查找的商品。相应地，本发明还公开一种商品的快速查找系统。本发明的技术方案，快速地获取查找商品的精确位置信息，节省了购物时间，提升了顾客的购物体验。

摘要：本发明提供一种在相同硬件环境下存储设备读写对CPU消耗的对比检测方法。本发明涉及计算机领域，尤指在存储设备读写对CPU消耗的检测方法。本测试方法具有，可操作性强，可实现性，数据清晰，量化操作，Linux脚本简单易写。在服务器完成自身的运作的同时，毫不影响，同时增加以上统计功能，便捷，有效。

摘要：本发明公开了一种多芯分支组合电缆，涉及组合电缆领域。一种多芯分支组合电缆，包括蓄电池，蓄电池底部固定连接有支撑柱，且支撑柱外壁面前侧开设有分管，支撑柱外壁面接触连接有夹紧机构，支撑柱底部固定连接有底座，且底座底面通过螺钉连接安装有主电缆，主电缆外环面缠绕有抗摩擦条，且主电缆两侧壁面焊接有钩柱，主电缆底部端面处固定连接有分支架，且分支架另一侧端面处固定连接有连接座，连接座外壁面连接有分支电缆，分支电缆外壁面安装有卡环四个，分支电缆底部端面处固定连接有勾环。本发明解决了传统组合电缆输送电力不足以及电缆保护不充分的问题。

摘要：本发明公开了一种向量数据处理方法、系统、设备、存储介质及程序产品，该方法包括：对向量数据进行预处理，得到预处理后的向量数据；根据向量距离不变约束规则，确定升维转换矩阵；根据所述升维转换矩阵，对预处理后的向量数据进行升维量化；本发明根据向量距离不变约束规则，对向量数据进行升维量化，可以解决采用存算一体芯片部署后对向量直接量化带来的精度损失的问题。

摘要：本发明名称为一种半导体用氧化铟锡靶材及其制备方法，属于靶材技术领域。所要解决的技术问题为提供了一种制备高密度、均匀性和导电性能良好的半导体用氧化铟锡靶材及其制备方法。技术方案要点为：原料准备、涂覆处理、初步烧结、去除异味、二次烧结。