摘要：本发明公开了一种套管装置，包括机架（1）、压下机构和套管机构，压下机构包括第一气缸（2）、第一伸缩机构（3）、第二伸缩机构（4）和压板（5），套管机构包括气缸支架（6）、第二气缸（7）和第三气缸（8），气缸支架（6）固定在压下机构的侧面。本发明的一种套管装置，套管方便，效率高。

摘要：本发明公开了一种自动套管机，包括机架（1），机架（1）共分为上中下三层，在机架（1）上顺序安装传输装置、放管装置、套管装置和输送装置。本发明的一种自动套管机，取代了人工套管，即省时省力，又工作效率高。

摘要：本发明公开了一种适用于中医体质调理的复合制剂及其制备方法；所述复合制剂包括阶梯式三元‑四元‑五元复合制剂。本产品三元复合物以羟丙基甲基纤维素、气相二氧化硅、硅化微晶纤维素为基础，实现消化道黏膜保护与机体安全耐受建立；四元复合物在三元复合物基础上添加抗性糊精，实现消化功能与排便节律稳定；五元复合物在四元复合物基础上进一步增加L‑谷氨酰胺，实现全身状态调和与中医九大体质平衡。三者严格遵循三元→四元→五元顺序使用，形成从安全耐受建立到肠道环境调节再到全身巩固的完整调理路径。本发明提供成型率高、稳定性好、抗吸潮、冲调性优、适合工业化大规模生产的制备工艺。

摘要：本发明属于金属热加工领域，涉及一种变截面金属管件的成形方法，特别提供了一种金属锥形管无模拉拔成形工艺，可用于不锈钢、碳钢、合金钢、铝合金、铜合金、钛合金等锥形管的成形。通过控制坯料拉拔速度、进料速度(或冷热源移动速度)以及感应加热温度、冷热源距离等工艺参数来实现金属锥形管的成形，解决了常规方法生产锥形管存在工艺复杂、工序多、材料损耗大等缺点。本发明具有以下优点：采用等径焊管坯或无缝管坯为原料，通过加热和冷却直接无模拉拔成形锥形管，工艺流程短，生产成本低；加工过程不产生废料，材料利用率高；产品形状规格自由度大、产品尺寸精度高，单道次断面缩减率大，生产效率高。

摘要：本发明一种合成高纯砷烷的方法，属于电子气体合成纯化技术领域；该方法包括步骤(1)、粗制砷烷的合成过程：先用砷粉和锌粉制成砷化锌，再与稀硫酸反应得到粗制砷烷；和(2)、高纯砷烷的纯化过程：对粗制砷烷采用液氮冷阱低温真空分离、分子筛吸附干燥和镓-铟合金深吸附脱水、氧。本发明所述的方法能深度脱除氧、水和二氧化碳等电子材料中有害杂质，一般可以达到0.01～0.1ppm以下；纯化剂主体镓-铟合金可以反复使用，使用寿命除化学处理稍许损失外，理论上具有很长的使用寿命。

摘要：本发明公开了用于一数字影像处理装置的数据处理方法，包含有取得一内编码画面数据及一预测画面数据；取得该内编码画面数据中对应于一像素的一第一相素值；取得该预测画面资料中对应于该像素的一第二相素值；根据该内编码画面数据中对应于该像素的一第一运动向量及该第一相素值，决定一第三相素值；根据该预测画面资料中对应于该像素的一第二运动向量及该第二相素值，决定一第四相素值；计算该第一相素值及该第二相素值的平均，以产生一第五相素值；以及根据该第三相素值、该第四相素值及该第五相素值，决定一内插画面数据中对应于该像素的相素值。

摘要：本发明是一种多媒体装置及其移动补偿方法，用以于两画面之间产生中间画面。多媒体装置包括插补单元、线性处理单元及合并单元。插补单元依据两画面的第一与第二像素数据、及第三像素数据之间的大小关系来产生第一参考像素数据。第一及第二像素数据依据中间画面的待插补像素的位置及相关的移动向量而取得。第三像素数据是依据待插补像素于此两画面中实质上相同位置的两笔像素数据而取得。线性处理单元线性组合第一及第二像素数据来产生第二参考像素数据。合并单元依据第一与第二像素数据的差值来合并此两参考像素数据，以产生待插补像素的像素数据。

摘要：本发明公开了一种溶胶凝胶法制备铪铟锌氧（HfInZnO）薄膜的方法，属于半导体薄膜与器件领域。包括以下步骤：a,制备前驱体溶液和溶胶；b，采用旋涂法在洁净的基片上镀膜；c，预烘烤；d，高温退火；采用溶胶凝胶法制备的铪铟锌氧薄膜，设备简单，不需要任何真空条件，成本低，污染小易于实现，镀膜效率高。

摘要：本发明公开了一种医用氧气浓度测量装置，它包括气路连接管，气路连接管为圆柱体，气路连接管平放柱体面顶部为长方形面，长方形中心开一圆孔与气路连接管贯通，一个缓冲管放置在气路连接管顶部长方形面与圆孔相通，缓冲管为圆柱体立放与气路连接管贯通，缓冲管立放顶部与气体浓度测量管相通，气体测量管为圆柱体，气体测量管柱体面下部为长方形面，测量管下部长方形面中心开一圆孔通过缓冲管与气路连接管贯通，全部材料采用轻质铝合金制作，气路连接管用于连接所测量的气体，接通后保证气体弥散到测量管，在测量管做气体浓度测量。装置测量管内超声波发射器发射和接收超声波信号，信号即可通过电线送到自制电路板上，根据氧气浓度不同超声波传播的速度不同运算信号，处理后，直接传到显示屏，这时就可以在屏幕上观察到相应的氧气浓度值了。

摘要：本发明公开一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其过程包括：玻璃基板上依次制备源漏电极、氧化物有源层、沉积氧化铝、氧化硅绝缘层、栅电极。本发明在制备绝缘层之前生长一有源层保护层，以避免等离子体增强型化学气相沉积对有源层的损伤，提高了器件的性能。