摘要：本文披露的实施方式包括等离子体源以及用于减少半导体处理中产生的化合物的减量系统。在一个实施方式中，披露一种等离子体源。等离子体源包括具有入口和出口的主体，并且所述入口和所述出口流体耦接于所述主体内。所述主体进一步包括内表面，并且所述内表面以氧化钇或类金刚石碳涂覆。等离子体源进一步包括分流器和等离子体产生器，所述分流器设置于主体中的一位置，使得在入口与出口之间形成两个流动路径，等离子体产生器设置于一位置，从而可操作性地于分流器与主体的内表面之间的主体内形成等离子体。

摘要：本发明公开的实施方式包括一种具有传感器组件的基板支撑件，以及具有所述基板支撑件的处理腔室。在一个实施方式中，基板支撑件具有定位盘。所述定位盘具有工件支撑表面以及排出所述工件支撑表面的气孔。传感器组件被设置在所述气孔中，且经配置以检测一度量，所述度量指示出设置在所述工件支撑表面上的工件的偏折，其中所述传感器组件经配置以当被定位在所述气孔中时允许气体流过所述传感器组件。

摘要：于此披露静电卡盘组件和具有所述静电卡盘组件的处理腔室。在一个实施方式中，提供一种静电卡盘组件，静电卡盘组件包括具有外边缘的主体，外边缘连接前侧表面和背侧表面。主体具有设置在主体中的夹持电极。晶片间隔掩模形成在主体的前侧表面上。晶片间隔掩模具有多个细长特征结构。细长特征结构具有从中心到外边缘径向对齐的长轴。晶片间隔掩模具有限定在细长特征结构之间的多个径向对齐的气体通道。

摘要：本文所描述的实现方式可保护腔室部件免遭高温下使用的腐蚀性清洁气体腐蚀。在一个实施方式中，腔室部件包括至少一波纹管，此波纹管包括通过管状折形接头结构耦接至底部安装凸缘的顶部安装凸缘。在至少管状折形接头结构的外表面上设置涂层。涂层包括聚四氟乙烯、聚一氯对二甲苯、聚二氯对二甲苯、类金刚石碳(DLC)、氧化钇稳定的氧化锆、镍、氧化铝或铝硅镁钇氧复合物的至少一个。在一个实施方式中，腔室部件是具有内部波纹管的阀门。

摘要：于此公开的实施方式包括一种具有传感器组件的面板，一种具有所述传感器组件的处理腔室、及在处理腔室中用于监控基板的方法。在一个实施方式中，面板经配置以将处理气体导入等离子体处理腔室中。面板具有一个或多个孔。传感器组件设置于一个或多个孔中。传感器组件具有传感器及控制器。

摘要：公开了一种用于半导体处理腔室的加热器，所述加热器包括：陶瓷主体；和电阻加热元件，所述电阻加热元件嵌入所述陶瓷主体中，所述电阻加热元件以加热器线圈的形式设置，所述加热器线圈具有内中心区段和外中心区段，所述内中心区段具有多个第一尖峰并且所述外中心区段具有多个第二尖峰，其中所述第一尖峰的数量小于约56，并且所述第二尖峰的数量小于约80。

摘要：本文公开了形成金属陶瓷钎焊接头的方法。形成钎焊接头的方法包括：使金属部件的表面脱氧；组装所述接头；加热所述接头以熔融接头部件；以及冷却所述接头。在某些实施方式中，所述钎焊接头包括共形层。在另外实施方式中，所述钎焊接头具有减少所述接头内的应力集中的特征。

摘要：本文所公开的多个实例涉及构造为提供用于处理腔室的热量的灯。灯包括充满气体的灯罩。灯丝设置于灯罩内。灯丝具有上直径、下直径和长度。一对电极电耦接至灯丝。一对引脚电耦接至该对电极。该对引脚构造为将能量转移至灯丝。上直径或下直径与长度的比是约0.3。上直径不等于下直径。

摘要：本文公开的示例涉及用于检查灯尺寸的方法和设备。方法包括确定灯的实际测量结果。灯被配置为在基板处理设备中加热基板。产生具有宽度和高度的窗口。窗口基于灯的目标测量结果。方法进一步包括：基于实际测量结果的图像与窗口之间的差产生偏差。将偏差与第一阈值进行比较。如果偏差超出第一阈值，则剔除此灯。

摘要：于此披露静电卡盘组件和具有所述静电卡盘组件的处理腔室。在一个实施方式中，提供一种静电卡盘组件，静电卡盘组件包括具有外边缘的主体，外边缘连接前侧表面和背侧表面。主体具有设置在主体中的夹持电极。晶片间隔掩模形成在主体的前侧表面上。晶片间隔掩模具有多个细长特征结构。细长特征结构具有从中心到外边缘径向对齐的长轴。晶片间隔掩模具有限定在细长特征结构之间的多个径向对齐的气体通道。