摘要：提供了一种散热装置和一种照明装置，所述散热装置包括：第一散热模块，被配置为接收光源模块产生的热量；以及第二散热模块，所述第二散热模块包括延伸到所述第一散热模块并传递所接收的热量的第一构件以及被配置为将从所述第一构件传递的热量发射到发光空间的第二构件，因此可以减少制造成本和重量，可以提高空间利用率，并且可以实现光学构件的融雪效果。

摘要：提供一种用于处理数据的设备和方法。提供所述设备和方法用于通过根据数据发送或接收周期在中断或轮询基础上检测事件来处理数据。所述设备包括：缓冲器，被配置为存储一个或多个无线包；处理器，被配置为实现确定发送或接收无线包的周期的周期确定单元；数据处理单元，被配置为通过根据所述周期在轮询模式或中断模式下检测事件来处理被包括在无线包中的数据。

摘要：本发明提供一种超声波探头及其制造方法，所述超声波探头包括背衬层，所述背衬层设置有允许安装压电构件的凹槽。该超声波探头包括：所述压电构件；所述背衬层，设置在所述压电构件的后侧表面上，并且在所述背衬层的前侧表面上设置有安装所述压电构件的凹槽。

摘要：本发明公开一种耐氢脆性得到改善的奥氏体系不锈钢和高压氢气用容器。以重量％计，根据本发明的一个实施例的奥氏体系不锈钢包含：C：0.1％以下(0除外)、Si：1.0％以下(0除外)、Mn：2.0％至7.0％以下、Cr：15～25％、Ni：7％至小于10％、N：0.4％以下(0除外)、余量的Fe和其他不可避免的杂质，由以下式(1)定义的堆垛层错能(SFE)为40～70mJ/m²，SFE＝4Ni+0.6Cr+7.7Mn‑44.7Si+1.2‑‑‑式(1)。

摘要：一种半导体存储器件，包括：第一堆叠结构、第一支撑层、第二堆叠结构、块切割结构、以及在所述第二堆叠结构上并且由第二切割图案分开的第二支撑层。所述第一堆叠结构包括第一堆叠和第二堆叠，所述第二堆叠结构包括由所述块切割结构分开的第三堆叠和第四堆叠，所述第一支撑层在所述第一堆叠和所述第二堆叠上，所述第二支撑层在所述第三堆叠和所述第四堆叠上，第一切割图案包括所述块切割结构上并且连接所述第一支撑层和所述第二堆叠的第一连接，并且所述第二支撑层的所述第二切割图案包括所述块切割结构上并且连接设置在所述第三堆叠和所述第四堆叠上的所述第二支撑层的第二连接。

摘要：一种用于超声诊断设备的探头包括：壳体；压电构件，设置在壳体内部；至少一个声匹配层，设置在压电构件的前部；声透镜，设置在所述至少一个声匹配层的前部；背衬构件，设置在压电构件的后部，并设置有使传递到压电构件的后部的声波减少并且调整声阻抗的多个孔隙。一种制造用于超声诊断设备的探头的方法包括下述操作：准备用于形成背衬层的液体；将流体浇到模具中；使流体硬化；去除模具。

摘要：本发明涉及一种在流化床反应器中生产碳纳米管的方法，其包括通过将催化剂和碳源供给到具有0.5barg至1.2barg(表压)的内部压力的流化床反应器的内部来制备碳纳米管，从而提高碳纳米管的产率和纯度。

摘要：本发明公开了通过向流化床反应器供应催化剂和碳源来制造碳纳米管的方法，其中流化床反应器具有扩大区，其中供应到流化床反应器的原料的流动速度(线速度)等于或高于流化床反应器中内部物料的终端速度。

摘要：本公开提供了垂直半导体器件。一种垂直半导体器件包括：多个垂直存储单元，在第一基板的上表面上；粘合层，在第一基板的与第一基板的上表面相反的下表面上；第二基板，在其上具有第一外围电路；下绝缘夹层，在第二基板上；以及多个布线结构，电连接垂直存储单元和第一外围电路。粘合层的下表面和下绝缘夹层的上表面可以彼此接触。

摘要：公开了一种三维半导体存储器件，该三维半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；堆叠，包括顺序地堆叠在衬底上的第一堆叠和第二堆叠，该堆叠在堆叠连接区域上具有阶梯结构，第一堆叠和第二堆叠中的每一个包括竖直地堆叠在衬底上的导电图案；以及接触插塞，设置在连接区域上并分别耦接至导电图案。每个接触插塞的底表面位于相应的导电图案的顶表面和底表面之间。在每个堆叠中，当从相应的导电图案的顶表面测量时，每个接触插塞的凹陷深度在导电图案的堆叠方向上单调变化。与第一堆叠的最上导电图案和第二堆叠的最下导电图案耦接的接触插塞具有离散的凹陷深度。