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发明专利:9301实用新型: 2146外观设计: 617
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申请号:201610145481.4 公开号:CN105990618A 主分类号:H01M10/60(2014.01)I
申请人:罗伯特·博世有限公司 申请日:2016.03.15 公开日:2016.10.05
发明人:A.博施
摘要:本发明涉及一种专用于对电池系统(100)除湿和/或调温的电池调节系统(1)。为了及时地和按照需要地再生吸附剂(1),电池调节系统(1)包括用于可逆地吸附吸着质尤其是水的吸附剂(2)、用于测量吸附剂(2)的重量的重量测量元件(3)以及用于加热吸附剂(2)的吸附剂加热装置(4)。此外本发明涉及一种相应的电池系统(100)、运行方法和控制器。
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申请号:02127023.6 公开号:CN1470864 主分类号:G01N23/04
申请人:瀚宇彩晶股份有限公司 申请日:2002.07.26 公开日:2004.01.28
发明人:施博
摘要:一种X光检测仪阵列单元的制作方法,形成栅极于基底上;形成栅极绝缘层于栅极及基底上;形成硅岛于晶体管区的栅极绝缘层上;形成共同线于栅极绝缘层上且形成源/漏极于硅岛上而构成薄膜晶体管(TFT);形成下电极于电容区的栅极氧化层上且覆盖共同线;形成顺应性的钝化层于栅极氧化层、下电极与TFT上;形成第一介层洞穿透钝化层,露出源极表面;形成平坦化层于钝化层上且填入第一介层洞;形成第二介层洞及第三介层洞穿透平坦化层,其中第二介层洞露出源极表面,第三介层洞露出位于电容区的钝化层表面;形成上电极于部分平坦化层上,并与源极电性连接;本发明可以节省元件面积,且仅需六道微影蚀刻步骤,因而减少制造成本。
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申请号:02127024.4 公开号:CN1470865 主分类号:G01N23/04
申请人:瀚宇彩晶股份有限公司 申请日:2002.07.26 公开日:2004.01.28
发明人:施博
摘要:一种X光检测仪阵列单元的制作方法,用以减少使用光罩数量,第一道微影蚀刻步骤定义栅极于基底上;第二道微影蚀刻步骤定义硅岛于晶体管区的栅极绝缘层上;第三道微影蚀刻步骤定义共同线于栅极绝缘层上,并且定义源/漏极于硅岛上而构成薄膜晶体管(TFT)结构;第四道微影蚀刻步骤定义像素电极于平坦化层上;第五道微影蚀刻步骤定义第一介层洞与第二介层洞穿透介电层与平坦化层,其中第一介层洞露出源极的表面,第二介层洞露出部分第一导体层的表面与部分共同线的表面;第六道微影蚀刻步骤定义电荷收集电极于介电层上;本发明仅需六道微影蚀刻步骤,比习知制程少一道微影蚀刻步骤,因而减少光罩的使用量而降低制造成本。
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申请号:01137740.2 公开号:CN1415999 主分类号:G02F1/1333
申请人:瀚宇彩晶股份有限公司 申请日:2001.11.01 公开日:2003.05.07
发明人:施博
摘要:本发明是一种同平面切换模式液晶显示单元的制造方法,包含下列步骤:提供一绝缘基板;于该绝缘基板上形成一第一导体层,以一第一光罩微影蚀刻过程对其定义出一栅极导线构造、一共同电极构造、一接线垫、一第一梳状电极以及一第二梳状电极;于该绝缘基板上方依序形成一栅极绝缘层以及一半导体层,以一第二光罩微影蚀刻过程对该半导体层以与门极绝缘层进行图案定义,用以形成一信道结构、一绝缘结构、一储存电容的介电层以及多个导线交错绝缘结构;于该绝缘基板上方形成一高掺杂半导体层以及一第二导体层,以一第三光罩微影蚀刻过程于上定义出一源漏极构造、一数据导线、一连接电极以及一储存电容的上电极;以及于该绝缘基板中除部分接线垫外的区域上方形成一保护结构。
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申请号:01801167.5 公开号:CN1372675 主分类号:G06K19/07
申请人:皇家菲利浦电子有限公司 申请日:2001.02.20 公开日:2002.10.02
发明人:M·博施
摘要:一种适合于接收以数据块形式的数据(D)的数据载体(4),此数据块包括定界符数据(SD)和(SE)以及有用数据(UD),该数据载体(4)包括:定界符数据检测装置(11),适合于检测数据块的定界符数据(SD)和(ED)并产生和提供至少一个有用数据开始信号(SOF;SOFA,SOFB),其中还在提供有用数据开始信号(SOF;SOFA)之后,可以不断地重新检测定界符数据(SD)和(ED),并且可以产生并提供有用数据开始信号(SOF SOFB)。
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6:[发明] 剃须装置
申请号:99803195.X 公开号:CN1291128 主分类号:B26B19/14
申请人:皇家菲利浦电子有限公司 申请日:1999.12.17 公开日:2001.04.11
发明人:S·博施
摘要: 一种剃须装置,具有壳体(1)、剃须头(2)和收集剃下的毛发的毛发收集腔(3),所述剃须头包括通过铰接结构(15)连接于壳体的托架(4)。该托架包括外切削件(6)和内切削件(8)。为了驱动内切削件,驱动装置(10)的驱动件(11)与内切削件(8)结合。为了清理毛发收集腔(3),通过绕轴旋转托架(4)打开该腔,在完成清理过程后,托架旋转回到壳体上。在打开和关闭毛发收集腔时,驱动件(11)和内切削件(8)结合和脱开结合。为了改进结合和脱开结合,设计这样的饺接结构,使得在托架移动的第一步中,托架在驱动件(11)的纵向(14)上移动。
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申请号:02819817.4 公开号:CN1636229 主分类号:G06K19/00
申请人:西北生物治疗药物公司 申请日:2002.09.06 公开日:2005.07.06
发明人:M·L·博施
摘要:本发明提供了诱导未成熟树突细胞(DC)成熟以及致敏这些细胞以诱导1型免疫应答的组合物和方法。本发明还提供了可用于激活及用于制备朝产生1型细胞因子和/或1型应答极化的T细胞的树突细胞群。同样地,提供了激活的、极化的T细胞群以及制备它们的方法。
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申请号:03148650.9 公开号:CN1567418 主分类号:G09G3/36
申请人:瀚宇彩晶股份有限公司 申请日:2003.06.11 公开日:2005.01.19
发明人:施博
摘要:一种插入黑画面的显示方式与装置,在液晶画素的电路中加入一黑画面晶体管以及一黑画面电极线以控制黑画面的插入,并搭配一可输出两组具有时间差的周期开启脉冲的栅极驱动集成电路,来分别控制切换晶体管以及黑画面晶体管的开关。
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9:[发明] 输入型显示器
申请号:200610106240.5 公开号:CN101005088 主分类号:H01L27/144(2006.01)I
申请人:瀚宇彩晶股份有限公司 申请日:2006.07.06 公开日:2007.07.25
发明人:施博
摘要:本发明提供一种输入型显示器,该输入型显示器包括薄膜晶体管(TFT)以及遮光层,该薄膜晶体管包括低电场电极、通过连接区域连接至该低电场电极的高电场电极、以及位于该连接区域上并与该高电场电极相连的场效应区域,其中当该晶体管被切换至OFF状态时、该场效应区域内形成PN结电场,而该遮光层对应于该高电场电极并遮蔽该场效应区域使得该晶体管不受到入射光的照射。
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申请号:200510113804.3 公开号:CN1949040 主分类号:G02F1/1333(2006.01)I
申请人:瀚宇彩晶股份有限公司 申请日:2005.10.12 公开日:2007.04.18
发明人:施博
摘要:一种边缘电场切换式液晶显示器与其制造方法,该方法包含:形成一第一金属层于一基板上,蚀刻该第一金属层以形成数条栅极线,形成一共通电极与一第二金属层于基板上,蚀刻该第二金属层以形成一第一电极、一第二电极、一共通线以及数条资料线,以及形成一与共通电极重叠的像素电极;该栅极线与资料线围成至少一封闭区域,用以容纳共通电极与像素电极,第一电极与像素电极连接,而第二电极则与资料线连接,且该共通电极与该共通线直接连接。本发明可克服先前技术中有关影像残留的问题,另外,本发明的方法是以现行的液晶显示器制造方法为基础,进行部分制程的更动,其可行性极高,具有产业上的可利用性。
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