摘要：本发明提供的一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管的形成方法中，根据得到的栅极结构和间隙壁的AEI CD动态调整离子注入的能量和/或剂量，可以降低不同晶圆上的芯片的饱和电流和阈值电压的均匀性，即，可以降低MOS晶体管的片间差异，从而降低了对具有该MOS晶体管的半导体器件的工作特性的影响。

摘要：本发明涉及一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有金属层间介电质层，在所述金属层间介电质层内形成有独立的金属结构；刻蚀所述金属层间介电质层，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，且所述金属结构上方对应的所述金属层间介电质层的高度，低于所述半导体衬底上所述金属结构以外的位置处对应的所述金属层间介电质层的高度；对所述金属层间介电质层进行平坦化处理。本发明通过增加刻蚀金属层间介电质层的步骤，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，在后续的平坦化处理步骤中，研磨的应力主要集中在金属结构以外的位置处，有效减小了金属结构所受应力，从而改善金属挤压缺陷。

摘要：本发明所提供的一种改善MIM电容的击穿电压的方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底上形成有第一电极；在所述第一电极上经过n次沉积，以形成电容介质层，其中n≥2，且n为正整数；以及在所述电容介质层上形成第二电极，以形成MIM电容。本发明通过在第一电极上经过多次沉积形成电容介质层，以消除形成电容介质层内以及电容介质层与第一电极之间的应力过大造成的电介质层的破裂，从而减少了击穿电压的测量值与设计值的偏差。

摘要：一种半导体曝光工艺对准标记的制作方法，包括提供半导体基底；在半导体基底中形成第一沟槽；在形成有第一沟槽的半导体基底上淀积第一介质层，第一介质层填满所述第一沟槽；进行化学机械研磨，且过研磨直至第一沟槽内的第一介质层表面形成凹陷；形成层间介质层；在层间介质层中形成第二沟槽，第二沟槽完全露出第一沟槽内的所述第一介质层，且第二沟槽的开口大于所述第一沟槽的开口；形成流淌层。本发明的对准标记的制作方法能够完全结合在半导体器件尤其是功率器件的制造工艺中进行，不需要引入新的工艺步骤和新的工艺参数的要求，就能实现在流淌性比较好的介质层中形成清晰的、能够被曝光机识别的对准标记，让后续的工艺能顺利的进行。

摘要：本发明公开一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法，其包含：1、硅衬底上依次溅镀钛金属层、氮化钛层、铝金属层和氮化钛薄膜；2、涂覆光刻胶并进行显影；3、紫外线硬化处理光刻胶；4、湿法蚀刻制成镀有氮化钛薄膜的金属线；5、去除氮化钛薄膜上的光刻胶；6、清洗晶圆表面以及镀有氮化钛薄膜的金属线；7、湿法蚀刻掉未制成金属线区域内的钛金属层、氮化钛层、金属线上镀有的氮化钛薄膜；8、后道处理；9、蚀刻后检查。本发明在金属层上增加氮化钛薄膜，利用氮化钛薄膜的平滑表面，优化光刻胶与金属层之间的附着力，解决金属线上金属线切口的问题，提高产品良率；该增加的氮化钛薄膜最后可用湿法蚀刻去除，以获得和原来一样的金属层结构。

摘要：本发明涉及电磁阀技术领域，特别涉及一种先导式防腐电磁阀，包括弹簧、动铁芯、密封轴、活塞、以及从上往下依次排列的线圈组件、阀盖与由聚四氟乙烯加工而成的阀体，所述阀盖上部与所述线圈组件底部连接、下部与所述阀体顶部连接，所述线圈组件外围套设有电磁线圈，所述弹簧与动铁芯从上往下依次设于所述线圈组件内部中间，所述弹簧上端与所述线圈组件内部连接、下部与所述动铁芯连接，所述活塞套设于所述阀盖下部中间，所述密封轴上部穿过所述阀盖上部的中间孔道与所述动铁芯下部固定连接，所述活塞内部设有先导孔。本发明的先导式防腐电磁阀，具有结构简单、成本低廉、操作方便、防腐性能优异等优点。

摘要：本发明涉及一种工业氢氟酸除砷的方法，首先采用取样滴定的方式，利用少量的样品和滴定结果的准确度，低成本、高效率、高精度地计算出待除砷的无水氟化氢所要消耗的高锰酸钾量T₂，然后再按照T₂的1.45～1.55倍的量加入高锰酸钾溶液与待除砷的无水氟化氢进行反应，经实验结果证明，该加入量下反应得到的氢氟酸，虽然含有微过量的高锰酸钾（以锰离子和钾离子存在），但经过精馏、纯化后完全可以去除，且最终得到的氢氟酸中的砷含量在100ppt以下，完全符合电子级氢氟酸的要求。

摘要：本发明涉及一种衬塑设备及其生产氢氟酸的方法，通过在衬塑设备的容纳腔体的钢体层上设置与钢体层和衬塑层之间的间隙相连通的进气口和排气口，通过进气口向间隙内通入干燥气体，同时通过排气口对所述间隙抽真空，使生产过程中渗透到间隙内的氟化氢气体及时被抽除，防止对衬塑层和钢体层造成损坏，另外，通入干燥气体和抽真空同时进行的做法，不但可以降低渗透到间隙内的氟化氢气体浓度和加快氟化氢气体排出的速率，而且可以避免衬塑层因承受负压过大而变形损坏，因此设备的使用寿命更高，对衬塑层和钢体层的性能要求更低，生产成本更低。

摘要：本发明提供一种形成顶层导电层的方法，包括：形成第一材料层；在所述第一材料层上形成金属层，所述金属层的厚度小于或者等于在所述金属层上形成第二材料层，所述第二材料层的厚度小于或者等于以及对所述第二材料层的表面执行灰化工艺，其中，所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成顶层导电层。其中，所述金属层的厚度小于或者等于所述第二材料层的厚度小于或者等于通过控制所述金属层及所述第二材料层的厚度，并增加一道灰化所述第二材料层的工艺，可以降低由所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成的所述顶层导电层的表面粗糙度，并提高顶层导电层的反射率。

摘要：本发明提供的确定光阻的适用条件的方法及其所用的掩膜板中，利用具有不同大小光刻图形的掩膜板对光阻进行光刻，以在基板上形成对应的测试图形，对所有测试图形进行缺陷检测，统计不同面积大小的所述测试图形分别对应的光刻良率，并在一数据库中放入相关的数据资料，将所述数据库中最高光刻良率所对应的所述测试图形的面积定义为该光阻在一光刻工艺条件下的优选光刻面积，进而，在光刻图形面积大小发生变化时，可以在所述数据库中找到目标光刻图形面积为优选光刻图形面积时所对应的光刻良率最高的光阻和光刻工艺条件，并利用所述光阻和所述光刻工艺条件来进行刻蚀，从而，可不必改变光阻的适用条件而达到较佳的刻蚀效果。