摘要：本发明公开了卫生巾生产线上的传导层点压装置，包括传导层输送箱体、传导层切刀辊、传导层吸附辊，特点是在传导层吸附辊一侧设置有传导层点压辊，所述点压辊的辊周面设有凸点，所述凸点与传导层吸附辊的辊周面相触。本发明摒弃了传统的喷胶连接方式，对于卫生巾生产厂家来说，可有效降低生产成本，同时用这种生产线生产的卫生巾表面清洁，使用过程中卫生、舒适、安全。

摘要：本发明公开了一种无刷直流电机外转子用的斜磁磁路磁环组件，包括以冲压绕卷成圆环状并以焊接或扣环封口固定形成一体式结构的钢圈套、压进钢圈套内并与钢圈套内壁紧密贴紧固定的一体式磁环，一体式磁环采用注塑成型模具一体成型并被注塑成型模具内部的斜磁磁路充磁部件以充磁方式磁化产生斜磁磁路，斜磁磁路以一体式磁环的轴心线环形阵列倾斜设置令斜磁磁路的轴心线与一体式磁环的轴心线形成夹角，倾斜夹角的角度为1°‑18°，具体根据磁场极数而定；该斜磁磁路磁环组件的结构方式相比现有技术的直磁磁路磁环结构方式无论在转速、电机启动速度、所

摘要：本发明公开了一种自动取件生产线，包括注塑机、用于夹取工件的夹取机构、用于回收废流道的回收槽、及用于运输工件的输送带，所述夹取机构包括第一滑轨、与所述第一滑轨滑动连接的机械臂，所述机械臂包括末端装有夹子的第一机械臂、及末端装有若干个工件夹具的第二机械臂，所述第二机械臂的末端转动连接有支架，所述工件夹具固定安装在所述支架上。利用夹子取出流道放入回收槽中进行回收，同时，利用工件夹具将在注塑机中的工件取出放入输送带上进行传送，全过程完全自动化进行，不需要人工操作，方便快捷，而且安全。

摘要：本发明公开了一种电源设备和平面变压器及其制作方法。其中，平面变压器，包括依次设置的第一磁芯、第一次级线圈、PCB线圈、第二次级线圈和第二磁芯，所述第一次级线圈和第二次级线圈均设置有第一引脚和次级接线脚，所述第一次级线圈和第二次级线圈外设置有绝缘漆层，第一引脚和次级接线脚为导电脚。本发明通过在第一次级线圈和第二次级线圈外设置有绝缘漆层，采用浸漆的方式，使次级线圈被绝缘漆包裹，不会出现露铜区域而被过高压击穿的现象，而且绝缘漆层比环氧树脂薄，有利于平面变压器超薄化。

摘要：本发明提供了一种提升红外探测器图像非均匀性的控温方法及系统，该控温方法包括：步骤1：读取红外探测器的衬底温度；步骤2：将衬底温度转换为对应的电压从而形成衬底温度电压，将衬底温度电压和计算得到得到参考电压一并送入差分放大器；步骤3：差分放大器将经过放大的差值信号送入PID温度补偿电路；步骤4：PID温度补偿电路输出控制信号给H桥驱动器，H桥驱动器通过改变MOS管的开关状态，输出电流给TEC热电制冷器，从而达到控制温度的目的。本发明的有益效果是：本发明能够通过单芯片模拟控温方式，提升红外探测器衬底温度的稳定性，改善红外探测器的图像非均匀性。

摘要：本发明提供了一种红外图像质量评估方法、系统及存储介质，该红外图像质量评估方法包括如下步骤：第1步：采集待评价的红外图像，将采集的红外图像保存起来；第2步：将红外图像放在时间域与空间域内进行分析，通过评价参数进行红外图像的评价；第3步：进行评价参数的计算，并生成相对应的评价报告。本发明的有益效果是：本发明通过数据采集卡采集待评价的红外图像，在时间域与空间域内进行定量分析，客观评价红外图像质量。

摘要：本发明公开了一种基于多颜色空间设计的平滑调光调色方法，包括以下步骤：S1：首先接收来自用户或外部源的输入参数；S2：对S1接收的输入参数进行检测参数类型，然后分别将输入参数中的HSV参数、XYZ参数和色温参数分别转换为适应设备的对应RGB数值和CW数值；S3：将S2中的RGB数值和CW数值分别利用平滑调光步进法进行调节至目标RGB数值/CW数值。本平滑调光调色方法具备多样化的颜色控制、平滑调光和色温灯光控制的优点，它可以为用户提供更灵活、更具表现力的照明体验，并满足不同场景和需求下的色彩呈现要求。

摘要：本发明公开了一种强化生物除磷过程中实现磷回收的系统及其回收方法，其包括进行序列间歇式活性污泥污水处理的主反应器、与主反应器连接进行磷释放和回收的次反应器、用于次反应器的泥水分离装置、化学沉淀池、供水装置、排水装置、搅拌装置和提供反应器内氧气的供氧装置，其特征在于所述系统还包括时间控制单元，所述时间控制单元分别连接供水装置、排水装置、搅拌装置和供氧装置控制系统运行时间。本发明可以减少现有强化生物除磷过程中污泥的产生，降低系统运行能耗，同时还能同步实现磷的回收，取得经济效益。

摘要：本发明公开了一种器件，该器件包括多个STI区、位于多个STI区之间且相互平行的多个半导体条以及位于半导体条上方的多个半导体鳍状件。栅堆叠件设置在多个半导体鳍状件的上方并横穿多个半导体鳍状件。漏极外延半导体区设置在栅堆叠件的一侧并与多个半导体鳍状件连接。漏极外延半导体区包括与半导体鳍状件相邻的第一部分，其中第一部分形成位于多个半导体条上方并与多个半导体条对准的连续区。漏极外延半导体区还包括与第一部分相比远离栅堆叠件的第二部分。第二部分中的每一个都位于一个半导体条上方并与该半导体条对准。第二部分相互平行并由介电材料相互分隔开。本发明还公开了基于FinFET的ESD器件及其形成方法。

摘要：本发明提供了一种静电放电(ESD)保护器件。该ESD包括由具有第一掺杂类型的半导体材料形成的阱区和由具有第二掺杂类型的半导体材料形成的浮置基极。该浮置基极垂直设置在阱区的上方。该ESD还包括由具有第三掺杂类型的半导体材料形成的第一终端接收区。该第一终端接收区垂直设置在浮置基极的上方。ESD还包括第二终端接收区。该第二终端接收区通过浅沟槽隔离(STI)区与第一终端接收区水平横向间隔分开。在一些实施例中，第二终端接收区由具有第三掺杂类型的半导体材料形成以形成双极结型晶体管(BJT)。在一些实施例中，第二终端接收区由具有第四掺杂类型的半导体材料形成以形成硅可控整流器(SCR)。本发明提供了用于ESD的垂直BJT和SCR。