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1:
[发明]
三维存储器阵列及其制造方法
申请号:
202280069596.3
公开号:CN118202805A 主分类号:H10B12/00
申请人:
汉阳大学校产学协力团
申请日:2022.07.13 公开日:2024.06.14
发明人:
朴泳旭
;
安镇浩
摘要:公开三维存储器阵列及其制造方法。更详细地,根据一实施例,在包括沿垂直方向交替层叠的多个分离绝缘层及多个存储器单元层的情况下单独配置晶体管及电容器的三维存储器阵列可包括:晶体管,沟道、源极及漏极分别由具有不同掺杂浓度的半导体物质形成;和/或电容器,包括增加相向面积的电容器介电膜。
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2:
[发明]
利用原子层淀积形成薄膜的方法
申请号:
02107879.3
公开号:CN1389910 主分类号:H01L21/8238
申请人:
三星电子株式会社
申请日:2002.03.26 公开日:2003.01.08
发明人:
金营宽
;
朴泳旭
;
李承换
摘要:本发明提供一种利用原子层淀积(ALd)形成薄膜的方法。提供一种具有单反应空间的ALD反应器。可以在所述ALD反应器的单反应空间中同时装载一批衬底。然后,在单反应空间中引入含反应剂的气体,在单反应空间内,反应剂的一部分化学吸附到该批衬底的上表面上。然后,从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。根据本发明的一个实施例,引入含反应剂气体后,在单反应空间内稀释未被化学吸附的反应剂,以便于排除未被化学吸附的反应剂。
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3:
[发明]
通过使用三(二甲基氨基)硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法
申请号:
01139965.1
公开号:CN1392288 主分类号:C23C26/00
申请人:
三星电子株式会社
申请日:2001.11.21 公开日:2003.01.22
发明人:
金营宽
;
朴泳旭
;
李承换
摘要:本发明提供一种形成含硅固体薄膜层的原子层沉积方法。将基底置入腔体,此后,将含Si和氨基硅烷的第一反应物注入腔体。该第一反应物的第一部分化学吸附于基底上,第一反应物的第二部分物理吸附于基底上。一个优选方案中,通过吹洗和冲洗腔体,将第一反应物的物理吸附的第二部分从基体上清除。然后将第二反应物注入腔体,这里第二反应物的第一部分与第一反应物的化学吸附的第一部分化学反应,在基底上形成含硅固体。然后从腔体中清除第二反应物的未化学反应部分。一个优选方案中,在基底上形成的含硅固体为薄膜层,如氮化硅层。另一个优选方案中,第一反应物至少为选自Si[N(CH
3
)
2
]
4
,SiH[N(CH
3
)
2
]
3
,SiH
2
[N(CH
3
)
2
]
2
和SiH
3
[N(CH
3
)
2
]中的一种。第二反应物优选为活性NH
3
。腔体的压强优选维持在0.01-100乇的范围内,且在优选实施方案中可在整个工艺中保持恒定,或可在四个步骤中的至少一个中改变。上述步骤中的一步或多步可重复进行,以在基底上获得较厚的固体。
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4:
[发明]
制作半导体存贮器件的电容器下电极的方法
申请号:
97118523.9
公开号:CN1211820 主分类号:H01L21/822
申请人:
三星电子株式会社
申请日:1997.09.12 公开日:1999.03.24
发明人:
南升熙
;
金荣善
;
朴泳旭
摘要: 制作半导体存贮器件电容器下电极的方法。在衬底上形成绝缘膜图形,具有将衬底的预定区域暴露的接触孔。在所形成膜的全表面淀积掺杂非晶硅膜。下电极图形通过光刻成形非晶硅膜而形成。通过清洗从所形成膜去除沾污和表面氧化膜。非晶硅薄层通过将清洗过的所形成膜装入保持高真空的处理室并以预定时间向处理室提供预定气体而淀积到下电极图形的表面上。在非晶硅薄层上许多硅单晶核形成并生长,进而形成具有粗糙表面的下电极。
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5:
[发明]
鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法
申请号:
200710141807.7
公开号:CN101123180 主分类号:H01L21/02(2006.01)I
申请人:
三星电子株式会社
申请日:2007.08.13 公开日:2008.02.13
发明人:
赵世泳
;
朴永洙
;
鲜于文旭
摘要:本发明提供了一种鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法。在基底上形成包括侧壁的多个台面结构。在台面结构上形成半导体层。在半导体层上形成覆盖层。因此,半导体层被覆盖层保护,并包括将被形成为鳍式结构的部分。通过平面化工艺来去除覆盖层的上部的部分,由此去除半导体层在台面结构的上表面上的那部分。结果,在台面结构的侧面上形成彼此隔离的鳍式结构。因此,可以形成具有非常窄的宽度的鳍式结构,并可以容易地控制鳍式结构的厚度和位置。
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6:
[发明]
使用通用web应用控制家庭网络装置的方法及其装置
申请号:
200880118083.7
公开号:CN101878616A 主分类号:H04L12/28(2006.01)I
申请人:
三星电子株式会社
申请日:2008.11.27 公开日:2010.11.03
发明人:
陈浩
;
孙泳哲
;
朴钟旭
摘要:提供了一种通过使用通用web应用控制家庭网络装置的方法。所述方法包括:从服务器接收用于控制家庭网络装置的控制信息,其中,由通用web应用来执行所述接收;通过使用接收的控制信息中包括的脚本应用程序接口(API)将用于控制家庭网络装置的控制命令发送到控制点模块;从控制点模块接收通过对家庭网络装置执行控制命令获得的结果数据。
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7:
[发明]
用于获得加密的控制信息的家庭网络控制设备和方法
申请号:
200980114041.0
公开号:CN102017592A 主分类号:H04M11/00(2006.01)I
申请人:
三星电子株式会社
申请日:2009.03.24 公开日:2011.04.13
发明人:
陈浩
;
朴钟旭
;
孙泳哲
摘要:提供一种网络控制设备和方法。所述方法包括以下操作:向服务器通知包括加密/解密方法的能力信息,其中,服务器使用通用控制web应用向网络控制设备提供用于控制网络装置的控制信息;将请求控制信息的控制信息请求消息发送到服务器;从服务器接收已经使用所述加密/解密方法加密的控制信息;根据所述加密/解密方法对加密的控制信息解密;根据解密的控制信息发送用于控制网络装置的控制命令。
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8:
[发明]
发光器件及其制造方法、发光器件封装和照明系统
申请号:
201010513401.9
公开号:CN102044612A 主分类号:H01L33/38(2010.01)I
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2010.10.15 公开日:2011.05.04
发明人:
裵贞赫
;
郑泳奎
;
朴径旭
摘要:本发明涉及发光器件及其制造方法、发光器件封装和照明系统。发光器件包括发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及第一和第二导电半导体层之间的有源层;至少部分地位于发光结构上的钝化层;第一导电半导体层上的第一电极;以及第一电极和钝化层上的第二电极。
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9:
[发明]
使用通用web应用控制家庭网络装置的方法及其装置
申请号:
201510622929.2
公开号:CN105245415A 主分类号:
申请人:
三星电子株式会社
申请日:2008.11.27 公开日:2016.01.13
发明人:
陈浩
;
孙泳哲
;
朴钟旭
摘要:提供了一种通过使用通用web应用控制家庭网络装置的方法。所述方法包括:从服务器接收用于控制家庭网络装置的控制信息,其中,由通用web应用来执行所述接收;通过使用接收的控制信息中包括的脚本应用程序接口(API)将用于控制家庭网络装置的控制命令发送到控制点模块;从控制点模块接收通过对家庭网络装置执行控制命令获得的结果数据。
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10:
[发明]
用于获得加密的控制信息的家庭网络控制设备和方法
申请号:
201610957647.2
公开号:CN106506293A 主分类号:H04L12/28(2006.01)I
申请人:
三星电子株式会社
申请日:2009.03.24 公开日:2017.03.15
发明人:
陈浩
;
朴钟旭
;
孙泳哲
摘要:提供一种网络控制设备和方法。所述方法包括以下操作:向服务器通知包括加密/解密方法的能力信息,其中,服务器使用通用控制web应用向网络控制设备提供用于控制网络装置的控制信息;将请求控制信息的控制信息请求消息发送到服务器;从服务器接收已经使用所述加密/解密方法加密的控制信息;根据所述加密/解密方法对加密的控制信息解密;根据解密的控制信息发送用于控制网络装置的控制命令。
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