摘要：本发明提供一种有机发光二极管(OLED)显示器和制造该有机发光二极管显示器的方法，OLED显示器包括基板、在所述基板上的至少一个薄膜晶体管(TFT)、覆盖至少一个TFT并具有通孔和槽的绝缘层、在所述绝缘层上并通过所述通孔与至少一个所述TFT电连接的第一电极、在所述第一电极和所述槽上的具有使所述第一电极暴露的开口的像素界定层、通过所述开口与所述第一电极电连接的包括有机发光层的中间层、以及所述中间层上的第二电极。有机发光层和像素界定层之间的台阶由于一部分像素界定层填充槽而减小，所以有机发光层可易于在开口中形成。

摘要：提供了显示装置。显示装置包括衬底、布置在衬底上的多个晶体管以及布置在晶体管上的多层绝缘膜，其中，多层绝缘膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜，多层绝缘膜包括使第一绝缘膜和第二绝缘膜在与衬底垂直的方向上彼此重叠的第一区和布置有第一绝缘膜的第二区，第一区与多个晶体管重叠，并且第二绝缘膜的模量低于第一绝缘膜的模量。

摘要：本发明涉及显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基底基板；设置在基底基板上并且包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；设置在有源图案与栅电极之间的无机绝缘层；设置在薄膜晶体管上的第一有机绝缘层；设置在第一有机绝缘层上的第二有机绝缘层；以及设置在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间并且与第一有机绝缘层和第二有机绝缘层直接接触的绝缘层。

摘要：本发明提供了一种有机发光显示装置及一种制造该有机发光显示装置的方法。沟槽形成在平坦化层中，随后第一电极在沟槽中形成为具有相对的端部，从而减小了平坦化层和第一电极之间的高度差。即，可通过减小第一电极相对于平坦化层的凸出或使所述凸出最小化，来减小形成在第一电极上的像素限定层的厚度。因此，当由激光感应热成像法来形成有机层时，可提高转印效率，通过减小或防止有机层的热损坏和开裂缺陷，可提高装置的可靠性。

摘要：一种薄膜晶体管(TFT)阵列构件和有机发光显示装置及其制造方法。该方法通过采用由两步蚀刻工艺紧随的半色调掩膜，并通过与源电极、漏电极和像素电极的各层的形成同时形成电容器的各层，来寻求减少TFT阵列构件的制造中所使用的掩膜的数目。结果，电容器的各层与源电极、漏电极和像素电极的各层中的相应层位于相同的水平并且由相同材料的制成。电容器具有由两个分开的介电层隔开的三个电极，从而在不增加电容器尺寸的情况下得到具有增加的电容的电容器。

摘要：一种包括用于保护有源层的结构的薄膜晶体管以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示设备。薄膜晶体管包括：栅电极，布置在基板上；第一绝缘层，布置在栅电极上；有源层，布置在第一绝缘层上并且对应于栅电极；第二绝缘层，布置在第一绝缘层上并且覆盖有源层，第二绝缘层包括分别暴露有源层的第一部分和第二部分的第一开口和第二开口；源电极，布置在第二绝缘层上并且经由第二绝缘层的第一开口连接至有源层的第一部分；漏电极，布置在第二绝缘层上并且经由第二绝缘层的第二开口连接至有源层的第二部分；以及虚设构件，布置在第二绝缘层上并且至少对应于有源层的位于有源层的第一部分与第二部分之间的第三部分。

摘要：本发明公开了一种显示设备。显示设备具有优异的发光效率，显示设备包括：显示部分，包括由像素限定层限定的像素；以及位于显示部分上的触摸部分。触摸部分包括：与像素限定层重叠的第一触摸电极；位于第一触摸电极上的第一有机层；接触第一触摸电极的第二触摸电极；位于第二触摸电极上的第二有机层；以及位于第一有机层、第二触摸电极和第二有机层上的高折射率层。高折射率层在平面图中被布置在相邻的第二触摸电极之间，并且包括朝向显示部分突出并且与像素中的一个像素重叠的第一凸出表面。

摘要：提供了一种具有触摸传感器的显示装置。所述显示装置包括：显示面板，包括多个像素，所述多个像素中的每个包括由像素限定层限定的发光区域；以及触摸传感器，设置在显示面板的一个表面上，并且包括多个感测电极以及连接到所述多个感测电极的多条感测线。至少两条感测线设置在彼此相邻的发光区域之间。

摘要：提供了根据各种实施方式的显示设备。根据实施方式的显示设备包括：基板；在基板上的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上的有机绝缘层；布置在有机绝缘层上的像素电极，其中，在像素电极上限定中心区域、围绕中心区域的外围区域和与外围区域邻近的连接区域，并且像素电极包括：布置在外围区域中并且朝向基板突出的突出物，和布置在连接区域中并且电连接至薄膜晶体管的通孔塞；以及暴露像素电极的中心区域的像素限定层。

摘要：本发明公开了一种可以使用掩模利用较少的图案化操作制造的平板显示装置及其制造方法，该平板显示装置包括：基底；薄膜晶体管(TFT)的有源层；电容器的第一底电极和第一顶电极；形成在基底上第一绝缘层；与沟道区对应的栅极底电极和栅极顶电极；电容器的第二底电极和第二顶电极；像素底电极和像素顶电极；形成在栅极顶电极、电容器的第二顶电极和像素顶电极上的第二绝缘层；形成在第二绝缘层上的源电极和漏电极。