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发明专利:2786实用新型: 1746外观设计: 182
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申请号:202210714390.3 公开号:CN114792222A 主分类号:G06Q10/08
申请人:山东数元信息技术有限公司 申请日:2022.06.23 公开日:2022.07.26
发明人:李京;王波
摘要:本发明公开了应用于电子产品批发的监管方法、系统及装置;属于电子产品批发技术领域;通过对不同类型的电子产品的入库、上架和交易进行全方位的监测和分析,筛选出批发过程不同阶段的不同状态的电子产品,通过将不同阶段的不同状态的电子产品进行联立来对其批发的整体情况进行分析评估,可以筛选出最佳款以及最差款的电子产品,并针对性的进行补货和下架,可以使得最佳款保持高效有序的进货,以及差款的及时下架以便引进新款,有效提高了电子产品批发监管的整体效果;本发明用于解决现有方案中不能对不同类型的电子产品的批发进行全方位的监测分析,导致电子产品批发的监管效果不佳的技术问题。
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申请号:200910241700.9 公开号:CN101710524A 主分类号:H01F1/40(2006.01)I
申请人:中国科学院半导体研究所 申请日:2009.12.02 公开日:2010.05.19
发明人:朱峰;李京波
摘要:本发明公开了一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法,包括以下步骤:利用化学清剂将InAs单晶片表面清洗干净,并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物;将处理干净的InAs单晶片放入沉积设备中,沉积一层金属扩散层;将沉积了金属扩散层的InAs单晶片放入石英管中,并抽真空后密封;将真空封闭的石英管放入加热设备中恒温加热,加速扩散过程;将加热过的石英管切割开后,取出InAs单晶片,并用酸性液体刻蚀掉多余金属。用化学洗剂将InAs单晶片清洗干净,完成制备。利用本发明,能够制备出InAs体单晶的温度在300K以上的铁磁性半导体材料,且整个制备过程中所使用的设备都是技术成熟,产业常用的设备,而且缩短了制备成本和制备时间,非常利于推广。
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申请号:200910241693.2 公开号:CN101740665A 主分类号:H01L31/18(2006.01)I
申请人:中国科学院半导体研究所 申请日:2009.12.02 公开日:2010.06.16
发明人:李京波;朱峰
摘要:本发明薄膜太阳能电池制备技术领域,公开了一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法,包括以下步骤:步骤1:利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净,并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层;步骤2:将清洗干净的浮法玻璃放入沉积设备中,沉积透明电极层;步骤3:将沉积了透明电极层的基片用化学试剂超声清洗;步骤4:将清洗干净的基片放入生长设备中,生长CdS薄膜,完成太阳能电池CdS窗口层的制备。利用本发明,提高了器件的性能,可以利用该CdS薄膜制备大面积、低成本的太阳电池及其他光学器件,使CdS薄膜中杂质浓度降低,增强了CdS薄膜的质量。
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申请号:201310587042.5 公开号:CN103675816A 主分类号:G01S13/90(2006.01)I
申请人:中国科学院电子学研究所 申请日:2013.11.20 公开日:2014.03.26
发明人:刘波;李道京
摘要:本发明公开了一种基于压缩感知理论的干涉逆合成孔径雷达目标定位方法,包括步骤:根据目标的速度范围和距离范围设计参数区间;获取目标回波数据,利用所述参数区间和目标回波数据的采样时刻构建感知矩阵;利用所述感知矩阵基于压缩感知理论对各个通道获得的目标回波数据做成像处理,分别获取距离-多普勒域图像;对各通道获取的距离-多普勒域图像两两做干涉处理,获取干涉相位图;利用所述干涉相位信息定位目标。该方法利用短时间数据,对运动目标可实现高分辨率成像和定位。
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申请号:201210192542.4 公开号:CN103491515A 主分类号:H04W4/16(2009.01)I
申请人:腾讯科技(深圳)有限公司 申请日:2012.06.12 公开日:2014.01.01
发明人:李宗波;宁京
摘要:本发明适用于移动通信技术领域,提供了一种国际漫游业务关闭提醒方法、装置及移动终端,所述方法包括下述步骤:当检测到移动终端的短信消息中具有国际漫游业务开通标识时,获取并保存与该国际漫游业务开通标识对应的漫游目的地的网络运营商信息;获取该业务开通所在地的网络运营商信息;若该移动终端所在地的网络运营商信息由该漫游目的地的网络运营商信息变更为该业务开通所在地的网络运营商信息时,输出是否需要关闭该业务的提醒信息。本发明能够及时输出是否需要关闭该业务的提醒信息,避免出现该移动终端的通信费用被大量浪费等情况。
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申请号:201810771255.6 公开号:CN109483923A 主分类号:B29C73/24(2006.01)I
申请人:中国航空工业集团公司济南特种结构研究所 申请日:2018.07.13 公开日:2019.03.19
发明人:王京刚;李波
摘要:本发明属于复合材料罩体领域。具体涉及一种用于复合材料罩体下陷的装置。由压杆、主体框架、快卸螺钉a、推杆组件、快卸螺钉b、刀具a、刀具b、快卸螺钉c、滑块组成,主体框架上设有螺纹孔,压杆安装至主体框架的螺纹孔中并旋紧,推杆组件放置在主体框架的定位槽中,推杆组件侧面设有滑槽,滑块放置在所述滑槽中,推杆组件通过快卸螺钉c固定在主体框架上。且推杆组件上设有相互垂直的两个刀具放置槽,刀具a的刀具放置槽是用于切割罩体下陷宽度边界,刀具b的刀具放置槽是用于切割罩体下陷宽度及深度,刀具a通过快卸螺钉b固定;刀具b通过快卸螺钉a固定。结构简单,操作方便,适用范围广,取得了很好的质量效益和经济效益。
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申请号:202111195026.2 公开号:CN113990971A 主分类号:H01L31/0352
申请人:华南师范大学 申请日:2021.10.11 公开日:2022.01.28
发明人:刘宵;李京波
摘要:本发明公开一种基于量子点超晶格和二维材料复合的光电探测器。该光电探测器自下而上依次包括:衬底;金属电极层,包括源电极和漏电极,源电极和漏电极之间形成沟道;光敏层,其包括设置在所述沟道上的二维材料上方的量子点超晶格。二维材料与量子点超晶格形成异质结,源电极和漏电极被配置为使电流能够通过光敏层,量子点超晶格被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子‑空穴对以产生可检测的变化电流。
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申请号:202111182664.0 公开号:CN114023835A 主分类号:H01L31/0352
申请人:华南师范大学 申请日:2021.10.11 公开日:2022.02.08
发明人:刘宵;李京波
摘要:本发明公开一种量子点超晶格光电探测器。该光电探测器自下而上依次包括:衬底;光敏层,其包括设置在所述衬底上的两层二维材料及其上方的量子点超晶格;金属电极层,包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极形成沟道。所述二维材料与所述量子点超晶格材料形成异质结,所述源电极和所述漏电极被配置为使电流能够通过所述光敏层,所述量子点超晶格被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子‑空穴对以产生可检测的变化电流。本发明可以提高器件的电学性能,增强电荷转移,响应速度更快。
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申请号:202410484291.X 公开号:CN118463629A 主分类号:F27D17/00
申请人:浙江芯科半导体有限公司 申请日:2024.04.22 公开日:2024.08.09
发明人:柯茜;李京波
摘要:本发明属于尾气处理装置领域,提供了一种炉罩可折叠的碳化硅冶炼尾气收集装置,包括集气室,所述集气室呈中空的半球形,所述集气室的顶部中心插接有插管,所述集气室的内壁上开有螺纹槽,所述插管圆周内壁靠近下方的位置卡接有过滤网板,所述集气室的底部外边缘处固定安装有环形套筒;折叠机构一,所述折叠机构一安装在插管的圆周内壁上,所述折叠机构一的内部设置有一级除硫机构;本发明通过电机带动传动轴的转动,再利用传动轴带动活性炭板的转动,活性炭板起到叶轮的作用,转动时使得集气室内部形成负压,从而将碳化硅冶炼后的排出的废气向上收集,收集废气的同时通过活性炭板对一氧化碳进行吸附。
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申请号:202010974993.8 公开号:CN112101940A 主分类号:G06Q20/38
申请人:上海万向区块链股份公司 申请日:2020.09.16 公开日:2020.12.18
摘要:本发明提供了一种用区块链实施的可验证随机样本抽样系统,包括:客户端、区块链事物处理模块及区块链分布式数据存储模块;所述客户端包括:可视化信息操作模块和数据由链下至区块链的传输模块;所述区块链事物处理模块包括:可验证随机数产生模块、动态区块链验证者集群生成模块、业务合约模块、P2P模块及共识模块;所述区块链分布式数据存储模块包括;交易存证模块。本发明通过可验证随机数生成模块可以根据给定的随机数种子,随机生成一个可验证的随机数,区块链上的任意用户都可以使用生成者公开的密钥验证随机数的真实性。
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