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1:
[发明]
基于贝叶斯网络的抽样试验设计方法
申请号:
201510328941.2
公开号:CN104915779A 主分类号:
申请人:
北京航空航天大学
申请日:2015.06.15 公开日:2015.09.16
发明人:
李晓阳
;
胡雨晴
;
李人擎
摘要:本发明公开了一种基于贝叶斯网络的抽样试验设计方法,属于生产验收技术领域。所述方法包括确定产品生产过程中影响变更风险的因素,多层次分析,建立贝叶斯网络;基于贝叶斯网络量化变更风险指数;根据历史数据确定产品可靠性参数的先验分布;利用变更风险指数修正产品可靠性参数的先验分布;基于贝叶斯抽样试验设计方法设计动态抽样方案。本发明首次将贝叶斯网络用来量化变更风险,基于贝叶斯理论,可充分利用试验前的变更信息;通过量化的父节点对子节点的影响,有效的识别贝叶斯网络节点中要素的重要性,识别关键要素,从而给生产方有效信息,通过对关键要素的控制,到达降低物料变更风险,节省试验成本,提高试验效率的目的。
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2:
[发明]
LED芯片及其制作方法
申请号:
201710750865.3
公开号:CN107527982A 主分类号:H01L33/50(2010.01)I
申请人:
聚灿光电科技股份有限公司
申请日:2017.08.28 公开日:2017.12.29
发明人:
刘佳擎
;
李庆
;
陈立人
摘要:本发明提供了一种LED芯片,包括:衬底;成形在衬底上、且由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的外延层;分别与N型半导体层和P型半导体层电连接的N型电极和P型电极;所述LED芯片还包括在LED芯片背面位于所述衬底表面的光致发光膜层和/或滤光膜层,所述LED芯片与PCB基板电气连接能够实现光子从所述衬底端经由所述光致发光膜层和/或滤光膜层出射发光。本发明还提供了一种LED芯片的制作方法。本发明通过在LED芯片背面的衬底表面设置光致发光膜层,LED芯片发出的光通过衬底经由光致发光膜出射发光,在LED所发出的波长在蓝绿色区的光的激发下发射出波长更加集中的单色绿色、蓝色的光,从而单色出光效率更高。
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3:
[发明]
一种贴片式LED封装颗粒
申请号:
201710812261.7
公开号:CN107658376A 主分类号:H01L33/54(2010.01)I
申请人:
聚灿光电科技(宿迁)有限公司
申请日:2017.09.11 公开日:2018.02.02
发明人:
刘佳擎
;
李庆
;
陈立人
摘要:本发明提供一种贴片式LED封装颗粒,包括封装体和设置于封装体内部的LED芯片,其中:在封装体的表面设置有若干同圆心的圆环形正三角形凸起,所述圆心正对所述LED芯片发光表面的中心,所述三角形凸起的斜面与底面的夹角大于第一夹角值且小于第二夹角值;且沿着圆心指向最外侧的圆环形正三角形凸起的方向,相连的圆环形正三角形凸起的间距逐步变小。通过在封装体表面设置若干同圆心的圆环形正三角形凸起,不仅可以有效的降低LED芯片所发的光在封装体表面发生全反射的可能性,提高了该LED封装颗粒的出光效率,而且成本低廉。
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4:
[发明]
一种用于吸附LED晶片的吸嘴及具有其的分选设备
申请号:
201710812265.5
公开号:CN107634127A 主分类号:H01L33/02(2010.01)I
申请人:
聚灿光电科技(宿迁)有限公司
申请日:2017.09.11 公开日:2018.01.26
发明人:
刘佳擎
;
李庆
;
陈立人
摘要:本发明提供一种用于吸附LED晶片的吸嘴,所述吸嘴包括轴向连接的吸嘴体和吸嘴头,所述吸嘴头用于接触所述LED晶片并对LED晶片进行吸附;且在所述吸嘴体中设置有线圈,在所述线圈通电时,所产生的磁场能够吸附所述吸嘴头所接触的LED晶片。从而在使用该吸嘴吸附LED晶片时,通过精确控制线圈中的电流的强度值,就可以精确的控制该线圈所产生的磁场的磁场强度,进而精确的控制该磁场吸附LED晶片的力度,从而可以有效的防止在吸附的过程中,该LED晶片被损坏的可能性。
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5:
[发明]
对高速数据存储器进行试验的方法及系统
申请号:
201510490308.3
公开号:CN105183595A 主分类号:
申请人:
北京国科环宇空间技术有限公司
申请日:2015.08.11 公开日:2015.12.23
发明人:
张强
;
吴少俊
;
宫永生
;
李人擎
摘要:本发明公开了对高速数据存储器进行试验的方法及系统,其中,该方法包括:设置环境试验箱的环境参数,将高速数据存储器置于环境试验箱所提供的环境内;设定待测试的性能指标以及各性能指标对应的失效阈值;运行高速数据存储器,获取待测试的性能指标对应的性能数值;判断性能数值达到相应的失效阈值之前是否收到上报的故障信息,如果是,则将故障时环境试验箱的环境参数作为高速数据存储器的环境极限值;否则将到达失效阈值时环境试验箱的环境参数作为高速数据存储器的环境极限值。本发明方案能够实现对高速数据存储器的环境极限值进行测试,以获知存储器与运行环境之间的关系。
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6:
[发明]
一种低介低损Ca-Al-B基微波介质陶瓷材料
申请号:
202011072559.7
公开号:CN112194466A 主分类号:C04B35/10
申请人:
电子科技大学
申请日:2020.10.09 公开日:2021.01.08
发明人:
李恩竹
;
温擎宇
;
杨鸿程
;
孙成礼
;
钟朝位
;
张树人
摘要:本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明首次将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料应用,提供的低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料,其原料组成为CaCO3、Al2O3和H3BO3,化学通式为CaAl2xB2O7(x=0.25~1),主晶相为CaAl2B2O7,利用固相烧结法制备,其预烧温度为750℃~900℃,烧结温度为930℃~1040℃,具有低介电常数(4~6),损耗低至2.14×10‑4,频率温度系数‑20~‑30ppm/℃。本发明为低介低损介质陶瓷材料提供了一种新的选择。
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7:
[发明]
一种低介低损Ca-Al-B基LTCC材料及其制备方法
申请号:
202011075136.0
公开号:CN112194468A 主分类号:C04B35/10
申请人:
电子科技大学
申请日:2020.10.09 公开日:2021.01.08
发明人:
李恩竹
;
温擎宇
;
杨鸿程
;
孙成礼
;
钟朝位
;
张树人
摘要:本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介电常数、低介电损耗Ca‑Al‑B基微波介质LTCC材料及其制备方法。本发明将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料通过添加助剂使其可应用于LTCC领域,实现了850℃~900℃的低温致密烧结,介电常数5~6.2,损耗低至4.19×10‑4,频率温度系数‑30~‑20ppm/℃。CaAl2B2O7作为CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表,其研究仅限于发光性能以及晶体结构分析,在固相烧结中,其反应过程、物相组成以及微波介电性能与各个物相含量之间的关系均未具体研究。本发明为低介低损LTCC材料提供了一种具有优异性能LTCC材料的新选择。
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8:
[发明]
潜艇用电子设备可靠性加速试验方法和装置
申请号:
202010277421.4
公开号:CN111579185A 主分类号:G01M7/02
申请人:
中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日:2020.04.08 公开日:2020.08.25
发明人:
胡湘洪
;
李人擎
;
宋岩
;
王春辉
;
李劲
;
陆家乐
;
曾庆国
;
谢章用
;
江丰
摘要:本申请涉及一种潜艇用电子设备可靠性加速试验方法和装置。其中,潜艇用电子设备可靠性加速试验方法,包括步骤:获取基准剖面;获取常规应力可靠性试验时间:基于加速模型、基准剖面和常规应力可靠性试验时间,确认可靠性加速剖面;加速模型为根据潜艇用电子设备的环境应力类型得到;采用可靠性加速剖面进行可靠性加速试验,输出潜艇用电子设备的可靠性MTBF指标。本申请能够实现快速评估可靠性指标,完善了潜艇舱内电子设备可靠性试验方法,可以为潜艇舱内电子设备可靠性试验工程应用提供指导和参考。
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9:
[发明]
舰船和潜艇两用设备的可靠性鉴定试验剖面生成方法
申请号:
202010330036.1
公开号:CN111680393A 主分类号:G06F30/20
申请人:
中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日:2020.04.24 公开日:2020.09.18
发明人:
宋岩
;
杨司邦
;
李人擎
;
王春辉
;
李劲
;
江丰
;
陆家乐
;
谢章用
;
曾庆国
摘要:本申请涉及一种舰船和潜艇两用设备的可靠性鉴定试验剖面生成方法。其中舰船和潜艇两用设备的可靠性鉴定试验剖面生成方法,包括获取两用设备应用于舰船的第一环境试验剖面的第一参数,以及两用设备应用于潜艇的第二环境试验剖面的第二参数;并比对各第一环境应力的值、各第二环境应力的值、各第一环境应力的持续时间和各第二环境应力的持续时间,得到比对结果;基于比对结果,合成第一环境试验剖面和第二环境试验剖面,得到初始合成剖面;调整各合成应力的持续时间,得到当前各合成应力的持续时间,并处理当前各合成应力的持续时间和各合成应力的值,生成当前合成剖面。通过上述方法解决了多平台应用设备可靠性鉴定试验缺乏剖面依据的问题。
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10:
[发明]
用于内存访问的集成电路、处理方法、电子设备和介质
申请号:
202210953420.6
公开号:CN115328825A 主分类号:G06F12/14
申请人:
地平线(上海)人工智能技术有限公司
申请日:2022.08.09 公开日:2022.11.11
发明人:
刘擎宇
;
李文星
;
李晶
;
周奕
;
沈君成
;
其他发明人请求不公开姓名
摘要:本公开实施例公开了一种用于内存访问的集成电路、处理方法、电子设备和介质,其中,集成电路包括:第一内存模块,第二内存模块,及分别与第一内存模块和第二内存模块连接的访问信号确定模块,其中,访问信号确定模块包括:接口电路,用于将处理器的第一内存访问信号传输至第一内存模块;地址过滤电路,用于确定第一内存访问信号的访问地址对应的目标安全等级;访问信号处理电路,用于响应于目标安全等级为预设等级,将第一内存访问信号的访问地址进行地址偏移,基于偏移后的地址获取第二内存访问信号,将第二内存访问信号传输至第二内存模块。实现了较高安全等级功能可以访问较低安全等级的内存,解决较高安全等级存储不足等问题。
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11:
[发明]
用于内存访问的集成电路、处理方法、电子设备和介质
申请号:
202210953420.6
公开号:CN115328825A 主分类号:G06F12/14
申请人:
地平线(上海)人工智能技术有限公司
申请日:2022.08.09 公开日:2022.11.11
发明人:
刘擎宇
;
李文星
;
李晶
;
周奕
;
沈君成
;
其他发明人请求不公开姓名
摘要:本公开实施例公开了一种用于内存访问的集成电路、处理方法、电子设备和介质,其中,集成电路包括:第一内存模块,第二内存模块,及分别与第一内存模块和第二内存模块连接的访问信号确定模块,其中,访问信号确定模块包括:接口电路,用于将处理器的第一内存访问信号传输至第一内存模块;地址过滤电路,用于确定第一内存访问信号的访问地址对应的目标安全等级;访问信号处理电路,用于响应于目标安全等级为预设等级,将第一内存访问信号的访问地址进行地址偏移,基于偏移后的地址获取第二内存访问信号,将第二内存访问信号传输至第二内存模块。实现了较高安全等级功能可以访问较低安全等级的内存,解决较高安全等级存储不足等问题。
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