摘要：本发明提供一种具有照相功能的闪存存储器及制备方法和电子装置。所述闪存存储器包括若干存储器单元，所述存储器单元包括：基底；栅极叠层，位于所述基底上方，包括依次层叠的隧穿氧化物层、浮栅层、隔离层和控制栅层；互连结构，位于所述栅极叠层的上方并与所述栅极叠层电连接；滤光膜，位于互连结构的上方；棱镜，设置于所述滤光膜的表面上。本发明闪存存储器是首次具有紫外图像拍摄功能的闪存(flash)存储芯片，具有非挥发性的优点，断电后图像信息不会丢失，而且很好的与闪存(flash)工艺结合。

摘要：本发明提供一种图像传感器、其制备方法及电子设备，图像传感器包括：基底，基底中形成有间隔排列的至少两个光电转换元件；深槽，位于基底中相邻的两个光电转换元件之间，深槽具有第一宽度；第一旋涂式介电材料，填充于深槽的底部；单晶硅层，形成于深槽侧壁，使深槽的宽度缩小至第二宽度，第二宽度小于第一宽度；高K介质层，形成于深槽底部和侧壁；第二旋涂式介电材料，填满深槽。本发明大幅度提高了深槽的深宽比，同时避免了深槽填充时孔洞的产生。

摘要：一种三维堆叠芯片和电子设备，三维堆叠芯片包括：第一芯片；第二芯片，位于所述第一芯片上堆叠设置；散热层，位于所述第一芯片和所述第二芯片之间；一条或多条信号导线，至少部分信号导线的至少部分区域与所述散热层同层间隔设置；其中，与所述散热层间隔设置的所述至少部分信号导线的至少部分区域与所述散热层之间的最小距离d满足：d≥V0/0.4V·nm‑1；其中，d的单位为nm；V0为所述至少部分信号导线的至少部分区域上承载的电压，V0的单位为V。本申请实施例的三维堆叠芯片可以有效将芯片运行产生的热量高效率的散发出去。

摘要：一种存储结构、电子设备，该存储结构包括基底以及设置在所述基底上的相互间隔设置的存储单元组，所述存储单元组包括多个相互间隔设置的存储单元；其中，每个所述存储单元包括在垂直所述基底的方向上依次层叠设置的两个晶体管，所述存储单元组中的部分或全部存储单元在所述基底正投影的几何中心的连接线为六边形。

摘要：本发明公开了一种高性能永磁同步电机整体式磁钢，包括平板型磁钢，其特征在于：所述的平板型磁钢的左边沿设有与平板型磁钢成夹角θ1、并连接为一体的左平板型磁钢；所述的平板型磁钢的右边沿设有与平板型磁钢成夹角θ2、并连接为一体的右平板型磁钢；平板型磁钢的中线与左平板型磁钢的中线和右平板型磁钢的中线相交于一条直线上；平板型磁钢、左平板型磁钢和右平板型磁钢采用铁氧体材料压制烧结为一整体。该高性能永磁同步电机整体式磁钢，降低了磁钢的生产成本，提高了聚磁效果，免除了相邻平板型磁钢之间的空隙，有效的提高了永磁同步电机转子的激磁效果和电机的功率密度，达到了取代稀土材料的目的。

摘要：本发明提供的一种动态调节的超表面及其制造方法与电磁波调控方法，超表面包括：基底层；设置在所述基底层上的金属膜层；所述金属膜层上设置有周期性的若干沟槽；所述沟槽中填充有时变材料；其中，所述时变材料为电磁性质通过电场调制随时间变化的材料。本发明中的超表面通过在金属膜层上设置若干沟槽，并在沟槽中填充时变材料，利用电场调制时变材料的电磁性质，进而改变超表面上每个结构单元的相位，周期金属沟槽的腔共振效应大大增强了电磁波与时变材料的相互作用，无需改变超表面上每个结构单元的形状和尺寸，降低了超表面的制造难度，能够实现多功能的超表面。

摘要：本发明属于高分子涂料、油墨和胶黏剂技术领域，公开了一种高双键含量的刚性丙烯酸酯类UV光固化改性桐油树脂及其制备方法和应用。本发明的高双键含量的刚性丙烯酸酯类UV光固化改性桐油树脂其结构中含有刚性较大的环形四/六氢邻苯二甲酰亚胺基团以及较多的(甲基)丙烯酸酯结构。当进行UV辐射时，多个丙烯酸酯双键聚合形成交联网络；同时，(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的环氧基团被消耗后生成的多个羟基以及极性较大的四/六氢邻苯马来酰亚胺结构增强了固化膜与基材表面之间的分子间作用力。本发明树脂制备方法简单，产物结构特性有利于提升UV固化膜的硬度以及固化膜与基材之间的粘附力，可应用于高分子涂料、油墨和胶粘剂等领域中。

摘要：本发明提供了一种降低CMOS器件漏电的方法，包括：提供衬底，所述衬底含有硅；在所述衬底上形成浮栅；从所述浮栅的两侧向所述浮栅的底部的所述衬底内注入氧原子，形成氧原子区；对所述衬底进行退火工艺，使得所述氧原子区的硅变成二氧化硅，以形成沟道电流阻挡结构；在所述浮栅的两侧的衬底内形成N型阱区，所述沟道电流阻挡结构阻挡沟道击穿时产生的电流。如果CMOS器件的N型阱区之间产生沟道击穿电流，本发明的沟道电流阻挡结构能阻挡沟道击穿产生的电流，并且，相比于现有技术，本发明的沟道电流阻挡结构由二氧化硅组成，相对于PN结，阻挡沟道击穿电流的效果更好，即阻挡漏电流的效果更好。

摘要：本发明提供了一种降低CMOS器件漏电的方法，包括：在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽；填充氧化物，以形成第一沟槽隔离结构和第二沟槽隔离结构；刻蚀部分深度的第一沟槽隔离结构形成第三沟槽，刻蚀部分深度的第二沟槽隔离结构形成第四沟槽；填充硅，以形成第三沟槽隔离结构和第四沟槽隔离结构；在衬底上形成栅极结构；在衬底内形成n型阱区，覆盖所述第三沟槽隔离结构和第四沟槽隔离结构，并且，位于剩余的所述第一沟槽隔离结构和剩余的第二沟槽隔离结构的上方并与其均接触。相比于现有技术，剩余的第一沟槽隔离结构和剩余的第二沟槽隔离结构能阻挡沟道击穿产生的电流，并且，相对于PN结，阻挡沟道击穿电流的效果更好。

摘要：本发明提供一种近红外图像传感器结构及其制作方法，该结构包括近红外光转换层及光电二极管层，近红外光转换层包括稀土上转换纳米发光材料以将近红外光转化为可见光，光电二极管层位近红外光转换层下方以响应近红外光转换层发出的可见光。本发明通过引入稀土上转换纳米材料作为感光材料，利用其优异的上转换发光性能，将近红外光的光信号转化为可见光的光信号，并通过发光二极管将可见光的光信号转化为电信号以生成图像信号，可以拓宽CMOS图像传感器的光响应范围，实现CMOS图像传感器在近红外领域的应用。本发明的制作方法形成的近红外光转换层中，稀土上转换纳米材料能够以稳定形式存在，能够满足稀土上转换纳米材料的器件应用。